NLAS5223B 模擬開關(guān) 雙SPDT 0.5歐姆
數(shù)據(jù)：
數(shù)據(jù)表：模擬開關(guān)，雙SPDT，超低0.5歐姆
NLAS5223B是采用亞微米硅柵CMOS技術(shù)制造的先進(jìn)CMOS模擬開關(guān)。該器件是雙獨(dú)立單刀雙擲（SPDT）開關(guān)，具有0.5歐姆的超低RON，VCC = 3.0 V。該器件還具有保證斷路前（BBM）開關(guān)，確保開關(guān)不會(huì)使驅(qū)動(dòng)器短路。 / div>
| 特性 |
| |
- NLAS5223B接口采用2.8 V芯片組，NLAS5223BL接口采用1.8 V芯片組
|
| |
| |
- 高離子通道隔離，低待機(jī)電流，50 nA，低失真，RON平坦度為0.15歐姆
|
| 應(yīng)用 | 終端產(chǎn)品 |
- 手機(jī)音頻模塊
- 揚(yáng)聲器和Earph一開關(guān)
- 振鈴音/芯片/放大器切換
- 調(diào)制解調(diào)器
| |
電路圖、引腳圖和封裝圖
