• 中速運(yùn)行... V _DD 時(shí)的12 MHz（典型值）時(shí)鐘頻率V _SS = 10 V
• 完全靜態(tài)操作
• 8個(gè)主從觸發(fā)器加上輸入和輸出緩沖
• 100％在20 V
• 5 V，10 V和15 V參數(shù)額定值下測試靜態(tài)電流
• 標(biāo)準(zhǔn)化，對(duì)稱輸出特性
• 最大輸入電流在整個(gè)封裝溫度范圍內(nèi)，在18 V時(shí)為1μA;在18 V和25°C下100 nA
• 噪聲容限（完整封裝溫度范圍）=
  • 1 V，V _DD = 5 V
  • 2 V V _DD = 10 V
  • 2.5 V V _DD = 15 V
  < /li>
• 滿足JEDEC暫定標(biāo)準(zhǔn)第13B號(hào)“B系列CMOS器件描述的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范”的所有要求
• 應(yīng)用：
  • 串行輸入/并行輸出數(shù)據(jù)排隊(duì)
  • 串行到并行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換
  • 通用寄存器

從Harris Semiconductor獲得的數(shù)據(jù)表