• 可驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)應(yīng)晶體管（MOSFET）
• 1A峰值輸出電流（1.0A灌電流和1.0A拉電流）
• 與獨(dú)立的晶體管 - 晶體管邏輯電路（TTL）和互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）兼容的輸入
• 自舉電源電壓高達(dá)108VDC
• 短暫傳播時(shí)間（典型值為30ns）
• 可以15ns的上升和下降時(shí)間驅(qū)動(dòng)1000pF負(fù)載
• 優(yōu)異的傳播延遲匹配（典型值為2ns）
• 支持電源軌欠壓鎖定
• 低功耗
• 8引腳小外形尺寸集成電路（SOIC）和耐熱增強(qiáng)型8引腳晶圓級(jí)小外形無引線（WSON）封裝

應(yīng)用

• 電流反饋推挽式轉(zhuǎn)換器
• 半橋和全橋電源轉(zhuǎn)換器
• 固態(tài)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
• 雙開關(guān)正激電源轉(zhuǎn)換器

全部商標(biāo)是其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。