描述 TPS51206 是一款具有 VTTREF 緩沖參考輸出的灌/拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器。該器件專門針對低輸入電壓、低成本、低外部元件數(shù)的空間受限類系統(tǒng)而設(shè)計。TPS51206 可保持快速的瞬態(tài)響應，并且僅需 1 個 10μF 的陶瓷輸出電容。TPS51206 支持遠程感測功能，并且可滿足 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 總線的所有電源要求。VTT 具有 ±2A 峰值電流能力。該器件支持所有 DDR 電源狀態(tài)，在 S3 狀態(tài)下將 VTT 置于高阻態(tài)（掛起到 RAM）；在 S4/S5 狀態(tài)下使 VTT 和 VTTREF 放電（掛起到磁盤）。TPS51206 采用 10 引腳、2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD封裝，額定工作溫度范圍為 –40°C 至 85°C。特性 電源輸入電壓：支持 3.3V 和 5V 電源軌 VLDOIN 輸入電壓范圍：VTT+0.4V 至 3.5V VTT 端接穩(wěn)壓器輸出電壓范圍：0.5V 至 0.9V 2A 峰值灌電流和拉電流 僅需 10μF 的多層陶瓷電容 (MLCC) 輸出電容 ±20mV 精度VTTREF 緩沖參考輸出VDDQ/2 ± 1% 精度 10mA 灌/拉電流支持高阻態(tài)（S3 狀態(tài)）和軟停止（S4 和 S5 狀態(tài)），通過 S3 和 S5 輸入選擇 過熱保護 10 引腳 2mm × 2mm 小外形尺寸無引線 (SON) (DSQ) 封裝 應用DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 存儲器電源 SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135 和 HSTL 端接 All trademarks are the property of their respective owners.