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2N7002 N溝道增強模型場效應晶體管

數(shù)據(jù):

該N溝道增強模式場效應晶體管采用飛兆專有的高單元密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。這款產(chǎn)品旨在最大限度地降低導通阻抗,同時提供穩(wěn)固,可靠,快速的開關(guān)性能。在大部分需要高達400mA直流電流的應用,并且能夠提供高達2A的脈沖電流。這款產(chǎn)品特別適合低壓,低電流應用(如小型伺服電機控制,功率MOSFET柵極驅(qū)動器)以及其他開關(guān)應用中。 / div>
特性
  • 高密度單元設計可實現(xiàn)極低的R DS(ON)
  • 電壓控制的小型信號開關(guān)。
  • 堅固而可靠。
  • 高飽和電流能力。
應用
  • 本產(chǎn)品是一般用途,適用于許多不同的產(chǎn)品租用應用。
  • 小型伺服電機控制
  • 功率MOSFET柵極驅(qū)動器

電路圖、引腳圖和封裝圖




技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(1) 相關(guān)資料(20)
元器件購買 2N7002 相關(guān)庫存
  • MOSFETs

    型號:2N7002 封裝:SOT-23

    品牌:ElecSuper 描述:帶ESD防護,N溝道,60V,0.3A,1.85Ω@10V;應用領(lǐng)域:開關(guān)電路、繼電器、驅(qū)動器、高速信號線驅(qū)動、低邊開關(guān)等。

    金額:¥0.04160

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  • MOSFETs

    型號:2N7002 封裝:SOT-23

    品牌:JXND 描述:MOSFETs N-溝道 60V 115mA SOT-23

    金額:¥0.04160

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  • MOSFETs

    型號:2N7002 封裝:SOT-23

    品牌:LGE 描述:N溝道 漏源電壓(Vdss):60V 連續(xù)漏極電流(Id):115mA 功率(Pd):200mW 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,500mA 閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.5V@250μA

    金額:¥0.06538

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  • MOSFETs

    型號:2N7002 封裝:SOT-23

    品牌:MLSM 描述:MOS管 N溝道 VDS=60V ID=0.34A VGS=±20V RDS(ON)=0.85Ω@10V RDS(ON)=1Ω@5V 絲?。?002

    金額:¥0.03920

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