立年電子科技產(chǎn)品

• FHX04LG 是一種高電子遷移率晶體管 HEMT 2023-12-15 09:37

  

  產(chǎn)品型號：FHX04LG 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHX04LG 名稱：低噪聲 放大器 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

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• TSS-53LNB+高性能的低噪聲寬帶放大器2023-12-14 16:58

  

  產(chǎn)品型號：TSS-53LNB+ 頻率范圍MHz：500 - 5000 MHz 頻率范圍GHz：0.5-5 GHz 阻抗：50Ω 封裝：MCLP 尺寸：3x3 mm

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• SLM5868-25F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-14 09:49

  

  產(chǎn)品型號：SLM5868-25F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SLM5868-25F 名稱：MFET GaAs 砷化鎵IMFET 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

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• SGM6906VUT X波段 50W GaN HEMT模塊2023-12-14 09:18

  

  產(chǎn)品型號：SGM6906VUT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGM6906VUT 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

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• SGM6906VU X波段 50W GaN HEMT模塊2023-12-14 09:11

  

  產(chǎn)品型號：SGM6906VU 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGM6906VU 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

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• SGK5867-100C C波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-13 12:13

  

  產(chǎn)品型號：SGK5867-100C 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號： SGK5867-100C 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

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• FLM7179-6F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-13 11:58

  

  產(chǎn)品型號：FLM7179-6F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM7179-6F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

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• FLM6472-6F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-13 11:50

  

  產(chǎn)品型號：FLM6472-6F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號： FLM6472-6F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

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• FLM3135-12F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-13 11:43

  

  產(chǎn)品型號：FLM3135-12F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM3135-12F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

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• FLM1415-4F Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-13 11:35

  

  產(chǎn)品型號：FLM1415-4F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1415-4F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

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