產(chǎn)品
-
FHX04LG 是一種高電子遷移率晶體管 HEMT 2023-12-15 09:37
產(chǎn)品型號:FHX04LG 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:FHX04LG 名稱:低噪聲 放大器 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT立即咨詢 -
TSS-53LNB+高性能的低噪聲寬帶放大器2023-12-14 16:58
產(chǎn)品型號:TSS-53LNB+ 頻率范圍MHz:500 - 5000 MHz 頻率范圍GHz:0.5-5 GHz 阻抗:50Ω 封裝:MCLP 尺寸:3x3 mm立即咨詢 -
SLM5868-25F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-14 09:49
產(chǎn)品型號:SLM5868-25F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:SLM5868-25F 名稱:MFET GaAs 砷化鎵IMFET 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT立即咨詢 -
SGM6906VUT X波段 50W GaN HEMT模塊2023-12-14 09:18
產(chǎn)品型號:SGM6906VUT 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:SGM6906VUT 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT立即咨詢 -
SGM6906VU X波段 50W GaN HEMT模塊2023-12-14 09:11
產(chǎn)品型號:SGM6906VU 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:SGM6906VU 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT立即咨詢 -
SGK5867-100C C波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-13 12:13
產(chǎn)品型號:SGK5867-100C 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號: SGK5867-100C 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT立即咨詢 -
FLM7179-6F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-13 11:58
產(chǎn)品型號:FLM7179-6F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:FLM7179-6F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT立即咨詢 -
FLM6472-6F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-13 11:50
產(chǎn)品型號:FLM6472-6F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號: FLM6472-6F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT立即咨詢 -
FLM3135-12F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-13 11:43
產(chǎn)品型號:FLM3135-12F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:FLM3135-12F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT立即咨詢 -
FLM1415-4F Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-13 11:35
產(chǎn)品型號:FLM1415-4F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:FLM1415-4F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT立即咨詢