產(chǎn)品
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ELM5964-7PS C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 10:37
產(chǎn)品型號：ELM5964-7PS 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：ELM5964-7PS 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT -
ELM5964-4PS C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 10:25
產(chǎn)品型號：ELM5964-4PS 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：ELM5964-4PS 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT -
ELM5964-4PST C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 10:19
產(chǎn)品型號：ELM5964-4PST 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：ELM5964-4PST 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT -
SGN2933-600D-R 雷達(dá)用高壓大功率GaN HEMT2023-12-11 13:25
產(chǎn)品型號：SGN2933-600D-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGN2933-600D-R 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：M1B -
SGK1314-30A Ku帶 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 13:18
產(chǎn)品型號：SGK1314-30A 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGK1314-30A 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IBK -
SGM6901VU X波段 24W GaN HEMT模塊2023-12-11 13:11
產(chǎn)品型號：SGM6901VU 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGM6901VU 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：VU -
SGK1314-60B ku帶 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 13:04
產(chǎn)品型號：SGK1314-60B 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGK1314-60B 名稱： IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IBK -
SGC0910-300B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 12:15
產(chǎn)品型號：SGC0910-300B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGC0910-300B-R 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK -
SGC8595-300B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 12:09
產(chǎn)品型號：SGC8595-300B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號： SGC8595-300B-R 名稱： IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK -
SGC1011-300B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 12:03
產(chǎn)品型號：SGC1011-300B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGC1011-300B-R 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK