產(chǎn)品
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SGC7172-120A C波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-10 20:42
產(chǎn)品型號(hào)：SGC7172-120A 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC7172-120A 名稱(chēng)：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK -
SGK5867-30C C波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-10 20:35
產(chǎn)品型號(hào)：SGK5867-30C 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGK5867-30C 名稱(chēng)：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IBK -
SGK5872-20C C波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-10 17:56
產(chǎn)品型號(hào)：SGK5872-20C 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGK5872-20C 名稱(chēng)：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IBK -
SGC9395-300B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-10 15:43
產(chǎn)品型號(hào)：SGC9395-300B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC9395-300B-R 名稱(chēng)：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK -
SGN3133-260L-R 雷達(dá)用高壓大功率GaN HEMT2023-12-10 15:34
產(chǎn)品型號(hào)：SGN3133-260L-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGN3133-260L-R 名稱(chēng)：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IV -
SGN3035-150L-R 雷達(dá)用高壓大功率GaN HEMT2023-12-10 15:28
產(chǎn)品型號(hào)：SGN3035-150L-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGN3035-150L-R 名稱(chēng)：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IV -
SGN2731-500L-R 雷達(dá)用高壓大功率GaN HEMT2023-12-10 15:19
產(chǎn)品型號(hào)：SGN2731-500L-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGN2731-500L-R 名稱(chēng)：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IV -
SGC9395-200B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-10 15:09
產(chǎn)品型號(hào)：SGC9395-200B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC9395-200B-R 名稱(chēng)：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK -
SGC9395-130B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-10 15:02
產(chǎn)品型號(hào)：SGC9395-130B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC9395-130B-R 名稱(chēng)：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK -
SGC1112-100B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-10 14:57
產(chǎn)品型號(hào)：SGC1112-100B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC1112-100B-R 名稱(chēng)：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK