產(chǎn)品
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FLM1314-12F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-13 11:26
產(chǎn)品型號(hào):FLM1314-12F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):FLM1314-12F 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT -
FHX35X/002 低噪聲 HEMT2023-12-13 11:17
產(chǎn)品型號(hào):FHX35X/002 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):FHX35X/002 名稱:砷化鎵HEMT 名稱:日本 封裝:SMT -
FHX35LPT 超低噪聲 HEMT2023-12-13 11:05
產(chǎn)品型號(hào):FHX35LPT 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào): FHX35LPT 名稱:砷化鎵HEMT 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT -
FHX35LP 超低噪聲 HEMT2023-12-13 10:58
產(chǎn)品型號(hào):FHX35LP 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):FHX35LP 名稱:砷化鎵HEMT 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT -
FHX35LGT/002 超低噪聲 HEMT2023-12-12 20:03
產(chǎn)品型號(hào):FHX35LGT/002 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):FHX35LGT/002 名稱:砷化鎵HEMT 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT -
FHX35LG/002 超低噪聲 HEMT2023-12-12 19:56
產(chǎn)品型號(hào):FHX35LG/002 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):FHX35LG/002 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT -
ELM7785-7PST C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 19:34
產(chǎn)品型號(hào):ELM7785-7PST 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):ELM7785-7PST 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT -
ELM7785-7PS C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 19:29
產(chǎn)品型號(hào):ELM7785-7PS 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):ELM7785-7PS 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT -
ELM7785-60F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 19:20
產(chǎn)品型號(hào):ELM7785-60F 廠家: Sumitomo Electric Device Inno 型號(hào):ELM7785-60F 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT -
ELM7785-4PST C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 19:11
產(chǎn)品型號(hào):ELM7785-4PST 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):ELM7785-4PST 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT