產(chǎn)品
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SGK1314-30B ku帶 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 11:55
產(chǎn)品型號(hào)：SGK1314-30B 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGK1314-30B 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IBK -
SGC0910-200B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 11:48
產(chǎn)品型號(hào)：SGC0910-200B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC0910-200B-R 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK -
SGC8598-50B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 11:42
產(chǎn)品型號(hào)：SGC8598-50B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC8598-50B-R 名稱： IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK -
SGC8598-200B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 11:35
產(chǎn)品型號(hào)：SGC8598-200B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC8598-200B-R 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK -
F658-5867-100A C波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 11:28
產(chǎn)品型號(hào)：F658-5867-100A 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)： F658-5867-100A 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：I2F -
SGC8598-100B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 11:20
產(chǎn)品型號(hào)：SGC8598-100B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC8598-100B-R 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK -
SGC5259-400B-R C波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-10 21:17
產(chǎn)品型號(hào)：SGC5259-400B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC5259-400B-R 名稱： IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：封裝 -
SGC7178-100A C波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-10 21:10
產(chǎn)品型號(hào)：SGC7178-100A 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC7178-100A 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK -
SGC7172-30A C波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-10 21:01
產(chǎn)品型號(hào)：SGC7172-30A 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC7172-30A 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK -
SGN3133-260H-R 雷達(dá)用高壓大功率 GaN HEMT2023-12-10 20:51
產(chǎn)品型號(hào)：SGN3133-260H-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGN3133-260H-R 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK