產(chǎn)品
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TC1202 超低噪聲GaAs FET2023-12-04 21:11
產(chǎn)品型號(hào)：TC1202 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC1202 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip -
TC1201V 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 21:03
產(chǎn)品型號(hào)：TC1201V 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC1201V 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip -
TC1301P0710 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 20:49
產(chǎn)品型號(hào)：TC1301P0710 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC1301P0710 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip -
TC1301P0811 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 20:44
產(chǎn)品型號(hào)：TC1301P0811 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC1301P0811 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip -
TC1301P0912 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 20:24
產(chǎn)品型號(hào)：TC1301P0912 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC1301P0912 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip -
TC1101P070 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 20:14
產(chǎn)品型號(hào)：TC1101P070 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC1101P070 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip -
TC1101P0710 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 20:09
產(chǎn)品型號(hào)：TC1101P0710 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC1101P0710 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip -
TC1101P0912 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 20:02
產(chǎn)品型號(hào)：TC1101P0912 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC1101P0912 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip -
TC1102 超低噪聲GaAs FET2023-12-04 19:54
產(chǎn)品型號(hào)：TC1102 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC1102 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip -
TC1102P0811 超低噪聲GaAs FET2023-12-04 19:38
產(chǎn)品型號(hào)：TC1102P0811 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC1102P0811 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip