立年電子科技產(chǎn)品

• FLL120MK L波段中高功率GaAs FET2023-12-06 10:27

  

  產(chǎn)品型號：FLL120MK 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLL120MK 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：MK

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• FLU35XM L波段中高功率GaAs FET2023-12-06 10:19

  

  產(chǎn)品型號：FLU35XM 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLU35XM 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：XM

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• FLC057WG C波段功率GaAs FET2023-12-06 10:10

  

  產(chǎn)品型號：FLC057WG 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLC057WG 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：WG

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• FLL107ME L波段中高功率GaAs FET2023-12-06 10:00

  

  產(chǎn)品型號：FLL107ME 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLL107ME 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：ME

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• FLU10XM L波段中高功率GaAs FET 2023-12-06 09:48

  

  產(chǎn)品型號：FLU10XM 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號： FLU10XM 名稱： High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：XM

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• FLL357ME L波段中高功率GaAs FET 2023-12-06 09:36

  

  產(chǎn)品型號：FLL357ME 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLL357ME 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：ME

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• FLK057XV GaAs FET芯片2023-12-06 09:18

  

  產(chǎn)品型號：FLK057XV 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號： FLK057XV 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：XV

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• FLU10ZM L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 23:02

  

  產(chǎn)品型號：FLU10ZM 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLU10ZM 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：XP

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• FLC157XP GaAs FET和HEMT芯片2023-12-05 22:55

  

  產(chǎn)品型號：FLC157XP 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLC157XP 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：XP

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• FLC087XP GaAs FET芯片2023-12-05 22:47

  

  產(chǎn)品型號：FLC087XP 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLC087XP 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：XP

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