立年電子科技產(chǎn)品

• FHX76LP 超低噪聲HEMT2023-12-04 23:19

  

  產(chǎn)品型號：FHX76LP 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHX76LP 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝： LP

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• FHX13LG 超低噪聲HEMT2023-12-04 23:11

  

  產(chǎn)品型號：FHX13LG 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHX13LG 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：LG

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• FHX14LG 超低噪聲HEMT2023-12-04 23:05

  

  產(chǎn)品型號：FHX14LG 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHX14LG 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：LG

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• FHX35LG 超低噪聲HEMT2023-12-04 22:54

  

  產(chǎn)品型號：FHX35LG 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHX35LG 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：LG

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• TC1101 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 22:44

  

  產(chǎn)品型號：TC1101 廠家：Sumitomo 型號：TC1101 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

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• TC1101P0811 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 22:38

  

  產(chǎn)品型號：TC1101P0811 廠家：Sumitomo 型號：TC1101P0811 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

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• TC1102P0710 超低噪聲GaAs FET2023-12-04 22:28

  

  產(chǎn)品型號：TC1102P0710 廠家：Sumitomo 型號：TC1102P0710 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

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• TC1106 超低噪聲GaAs PHEMT FET2023-12-04 22:18

  

  產(chǎn)品型號：TC1106 廠家：Sumitomo 型號：TC1106 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

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• TC1201P0710 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 22:07

  

  產(chǎn)品型號：TC1202P0811 廠家：Sumitomo 型號：TC1201P0710 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

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• TC1202P0811 超低噪聲GaAs FET2023-12-04 21:17

  

  產(chǎn)品型號：TC1202P0811 廠家：Sumitomo 型號：TC1202P0811 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

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