產品
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SGCA100M1H DC-4GHz高功率GaN HEMT2023-12-05 19:42
產品型號：SGCA100M1H 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGCA100M1H 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產地：日本 封裝：DFN -
SG38K30S-D 高壓塑料模GaN HEMT2023-12-05 19:32
產品型號：SG38K30S-D 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SG38K30S-D 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產地：日本 封裝：DFN -
SG38K30S-DT 高壓塑料模GaN HEMT2023-12-05 19:25
產品型號：SG38K30S-DT 廠家： Sumitomo Electric Device Inno 型號：SG38K30S-DT 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產地：日本 封裝：DFN -
SG38K30S-DT1 高壓塑料模GaN HEMT2023-12-05 19:19
產品型號：SG38K30S-DT1 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SG38K30S-DT1 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產地：日本 封裝：DFN -
F658-H130M1H 直流至3GHz高功率GaN HEMT2023-12-05 19:09
產品型號：F658-H130M1H 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：F658-H130M1H 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產地：日本 封裝：DFN -
F658-E030MK 高壓-大功率GaN HEMT2023-12-05 13:11
產品型號：F658-E030MK 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號： F658-E030MK 名稱： GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產地：日本 封裝：DFN -
F658-E070MK 高壓-大功率GaN HEMT2023-12-05 13:04
產品型號：F658-E070MK 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：F658-E070MK 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產地：日本 封裝：DFN -
SGNL015Z2K-RT DC–3.8GHz 高功率 GaN HEMT2023-12-05 12:55
產品型號：SGNL015Z2K-RT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGNL015Z2K-RT 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產地 ：日本 封裝：DFN -
SGNL015Z2K-R DC–3.8GHz高功率GaN HEMTT2023-12-05 12:52
產品型號：SGNL015Z2K-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGNL015Z2K-R 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產地：日本 封裝：DFN -
SGNL005Z2K-R 5.0GHz高功率GaN HEMT2023-12-05 12:42
產品型號：SGNL005Z2K-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGNL005Z2K-R 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產地：日本 封裝：DFN