產(chǎn)品
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FLU10ZMTE1 L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 22:39
產(chǎn)品型號:FLU10ZMTE1 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:FLU10ZMTE1 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地:日本 封裝:ME -
FLU17XM L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 22:30
產(chǎn)品型號:FLU17XM 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:FLU17XM 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地:日本 封裝:XM -
FLU17XMT L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 22:24
產(chǎn)品型號:FLU17XMT 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:FLU17XMT 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地:日本 封裝:XM -
FLU10XMT L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 22:16
產(chǎn)品型號:FLU10XMT 廠家: Sumitomo Electric Device Inno 型號:FLU10XMT 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地:日本 封裝:XM -
FLU35XMT L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 22:08
產(chǎn)品型號:FLU35XMT 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:FLU35XMT 名稱:High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地:日本 封裝:XM -
ELM1314-30F/001 Ku波段內(nèi)部匹配FET2023-12-05 20:35
產(chǎn)品型號:ELM1314-30F/001 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:ELM1314-30F/001 名稱:IMFET GaAs 砷化鎵IMFET 產(chǎn)地:日本 封裝:M2A -
FLM1011-12F/101 X、 Ku波段內(nèi)部匹配FET2023-12-05 20:25
產(chǎn)品型號:FLM1011-12F/101 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:FLM1011-12F/101 名稱: IMFET GaAs 砷化鎵IMFET 產(chǎn)地:日本 封裝:lB -
F657-4450-8F C波段內(nèi)部匹配FET2023-12-05 20:14
產(chǎn)品型號:F657-4450-8F 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:F657-4450-8F 名稱:IMFET GaAs 砷化鎵IMFET 產(chǎn)地:日本 封裝:lB -
SMC2933L6012R 高壓-大功率GaN HEMT 托盤放大器2023-12-05 19:59
產(chǎn)品型號:SMC2933L6012R 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:SMC2933L6012R 名稱:GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產(chǎn)地:日本 封裝:DFN -
SMC2933L1512R 高壓-大功率GaN HEMT 托盤放大器2023-12-05 19:52
產(chǎn)品型號:SMC2933L1512R 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:SMC2933L1512R 名稱:GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產(chǎn)地:日本 封裝:DFN