立年電子科技產(chǎn)品

• FLU10ZMTE1 L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 22:39

  

  產(chǎn)品型號：FLU10ZMTE1 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLU10ZMTE1 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：ME

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• FLU17XM L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 22:30

  

  產(chǎn)品型號：FLU17XM 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLU17XM 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：XM

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• FLU17XMT L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 22:24

  

  產(chǎn)品型號：FLU17XMT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLU17XMT 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：XM

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• FLU10XMT L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 22:16

  

  產(chǎn)品型號：FLU10XMT 廠家： Sumitomo Electric Device Inno 型號：FLU10XMT 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：XM

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• FLU35XMT L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 22:08

  

  產(chǎn)品型號：FLU35XMT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLU35XMT 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：XM

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• ELM1314-30F/001 Ku波段內(nèi)部匹配FET2023-12-05 20:35

  

  產(chǎn)品型號：ELM1314-30F/001 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：ELM1314-30F/001 名稱：IMFET GaAs 砷化鎵IMFET 產(chǎn)地：日本 封裝：M2A

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• FLM1011-12F/101 X、 Ku波段內(nèi)部匹配FET2023-12-05 20:25

  

  產(chǎn)品型號：FLM1011-12F/101 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1011-12F/101 名稱： IMFET GaAs 砷化鎵IMFET 產(chǎn)地：日本 封裝：lB

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• F657-4450-8F C波段內(nèi)部匹配FET2023-12-05 20:14

  

  產(chǎn)品型號：F657-4450-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：F657-4450-8F 名稱：IMFET GaAs 砷化鎵IMFET 產(chǎn)地：日本 封裝：lB

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• SMC2933L6012R 高壓-大功率GaN HEMT 托盤放大器2023-12-05 19:59

  

  產(chǎn)品型號：SMC2933L6012R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SMC2933L6012R 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：DFN

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• SMC2933L1512R 高壓-大功率GaN HEMT 托盤放大器2023-12-05 19:52

  

  產(chǎn)品型號：SMC2933L1512R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SMC2933L1512R 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：DFN

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