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電子發(fā)燒友網(wǎng)>汽車電子>基于EconoDUAL 3設(shè)計(jì)的600A/1200V汽車驅(qū)動(dòng)

基于EconoDUAL 3設(shè)計(jì)的600A/1200V汽車驅(qū)動(dòng)

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TRENCHSTOP? IGBT7模塊。憑借這項(xiàng)全新的芯片技術(shù),EconoDUAL 3模塊可提供業(yè)界領(lǐng)先的900 A和750 A額定電流,進(jìn)一步拓展逆變器的功率范圍。該模塊可廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和靜態(tài)無(wú)功發(fā)生器
2022-05-30 15:10:154677

安森美發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S

安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名為M3S,其中S代表開(kāi)關(guān)。
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2024-03-28 10:01:092465

三菱電機(jī)1200V級(jí)SiC MOSFET技術(shù)解析

1200V級(jí)SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢(shì)的器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前,1200V級(jí)SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品,本文主要介紹三菱電機(jī)1200V級(jí)SiC MOSFET的技術(shù)開(kāi)發(fā)概要。
2024-12-04 10:50:432593

驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)(七)——自舉電源在5kW交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱PFC應(yīng)用

隨著功率半導(dǎo)體IGBT,SiCMOSFET技術(shù)的發(fā)展和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)化,電平位移驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用場(chǎng)景越來(lái)越廣,電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅(qū)動(dòng)芯片電流可達(dá)+/-2.3A
2025-03-24 17:43:4010982

基本半導(dǎo)體發(fā)布高可靠性1200V碳化硅MOSFET

基本半導(dǎo)體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝,結(jié)合元胞鎮(zhèn)流電阻設(shè)計(jì),開(kāi)發(fā)出了短路耐受時(shí)間長(zhǎng),導(dǎo)通電阻小,閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:0310727

1200V GaN又有新玩家入場(chǎng),已進(jìn)入量產(chǎn)

量產(chǎn)階段并通過(guò)可靠性測(cè)試。 ? 1200V 藍(lán)寶石基GaN 器件 ? 據(jù)介紹,目前宇騰科技的1200V GaN功率器件已量產(chǎn)四種規(guī)格的型號(hào),包括150mΩ/12A、100mΩ/15A、75mΩ/22A
2024-07-31 01:06:005182

200~1200V電源炸機(jī),求助

測(cè)試1200V輸入時(shí),加十多分鐘后就炸機(jī)了,不是一開(kāi)始就炸,MOS管那一串都炸了,變壓器沒(méi)燒毀。大神幫我看一下電路和波形,600V以后的CS波形感覺(jué)就不太好看了,不知道是什么導(dǎo)致的。示波器通道2壞了,沒(méi)法雙通道,只能這樣了。
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2020-03-13 13:42:49

1200V碳化硅MOSFET系列選型

。尤其在高壓工作環(huán)境下,依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性,其高溫工作特性,大大提高了高溫穩(wěn)定性,也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率?! ‘a(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。    1200V碳化硅MOSFET系列選型    
2020-09-24 16:23:17

1200V耐壓400A/600A產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更低損耗與小型化

ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開(kāi)發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3
2018-12-04 10:20:43

600A

PNEUMATIC APPLICATOR 600A FOR 60
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FF600R12KE4EBOSA1

IGBT MODULE 1200V 600A
2023-11-01 10:26:55

IGBT模塊的選擇

(300A/1700V) FF225R17ME4(225A/1700V)FF500R17KE4(500A/1700V) FF400R17KE4(400A/1700V)FZ600R17KE4/E3(600A
2022-05-10 10:06:52

MG600Q2YS60A

IGBT MOD CMPCT 1200V 600A
2023-03-29 15:15:59

RD-354,參考設(shè)計(jì)使用FNA22512A 25A / 1200V,三相逆變器

RD-354,參考設(shè)計(jì)使用FNA22512A 25A / 1200V,3.7 kW三相逆變器。該參考設(shè)計(jì)支持1200 V Motion SPM 2系列的設(shè)計(jì)
2020-07-18 12:23:30

RD-354,參考設(shè)計(jì)使用FNA23512A 35A / 1200V,5.5 kW三相逆變器

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2020-07-18 12:46:31

SD66124AL混合集成電路驅(qū)動(dòng)IGBT模塊400A應(yīng)用于:汽車充電樁

;*輸入輸出電平與TTL電平兼容,適合于單片機(jī)控制:*內(nèi)部有定時(shí)邏輯短路保護(hù)電路,同時(shí)具有廷時(shí)保護(hù)特性;*具有可靠通斷措施(采用雙電源).*驅(qū)動(dòng)功率大,可以驅(qū)動(dòng)400A/1200V600A/600V的IGBT模塊;*應(yīng)用于:汽車充電樁,電焊機(jī),電機(jī),`
2017-07-14 09:48:45

中科君芯1200V系列IGBT在工業(yè)焊機(jī)電源中的應(yīng)用

) IGBT與非穿通(NPT)型IGBT(圖3 a與b),過(guò)渡到目前國(guó)際最新的溝槽柵場(chǎng)截止(Trench+FS)技術(shù)(圖3 c)。針對(duì)焊機(jī)產(chǎn)品的1200V系列正是采用了這一最新技術(shù)。相對(duì)于PT和NPT
2014-08-13 09:01:33

回收 Chroma63218A 電子負(fù)載

/ 3kWChroma63204A-1200-160 可編程高功率直流電子負(fù)載 1200V / 160A / 4kWChroma63205A-1200-200 可編程高功率直流電子負(fù)載 1200V / 200A
2020-04-14 09:35:23

回收新舊 chroma 63218A 直流電子負(fù)載

63206A-150-600可編程高功率直流電子負(fù)載 150V / 600A / 6kWchroma 63212A-150-1200可編程高功率直流電子負(fù)載 150V / 1200A / 12kWchroma
2020-12-29 10:31:27

實(shí)現(xiàn)大電流化的技術(shù)要點(diǎn)

轉(zhuǎn)換器,開(kāi)發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。ROHM于2012年3月份于全球首家開(kāi)始量產(chǎn)內(nèi)置功率半導(dǎo)體
2018-12-04 10:19:59

用于1200V PrimePACK的評(píng)估驅(qū)動(dòng)

2ED250E12-F_EVAL,2ED250E12-F評(píng)估驅(qū)動(dòng)板的開(kāi)發(fā)是為了在客戶使用1200V PrimePACK IGBT模塊進(jìn)行首次設(shè)計(jì)時(shí)為其提供支持。評(píng)估驅(qū)動(dòng)板是一個(gè)功能齊全的IGBT模塊驅(qū)動(dòng)器,其中兩個(gè)1ED020I12-F驅(qū)動(dòng)器IC過(guò)程控制和反饋信號(hào)并提供電流絕緣
2020-04-14 09:54:37

芯達(dá)茂國(guó)產(chǎn)IGBT模塊,國(guó)產(chǎn)IBGT單管 全系列型號(hào)

600A 1200V ED3 XP040HFN120AT1R3 應(yīng)用:感應(yīng)加熱/焊機(jī)40A 1200V 34mm XP050HFN120AT1R3 應(yīng)用:感應(yīng)加熱/焊機(jī)50A 1200V 34mm
2024-12-19 15:03:24

重慶市長(zhǎng)期高價(jià)回收各種英飛凌IGBT型號(hào)模塊

EconoDUAL3 ?無(wú)錫求購(gòu)英飛凌IGBT模塊FF600R12IS4F 600A,1200V,PrimePack2 PrimePack2 ?徐州收購(gòu)回收英飛凌IGBT模塊FF1400R12IP4
2021-09-17 19:23:57

長(zhǎng)期回收 Chroma63218A 電子負(fù)載

/ 600A / 6kWChroma63212A-150-1200 可編程高功率直流電子負(fù)載 150V / 1200A / 12kWChroma63218A-150-1800 可編程高功率
2021-04-08 16:42:55

首鼎SD66124AL 一款混合集成電路驅(qū)動(dòng)IGBT模塊

邏輯短路保護(hù)電路,同時(shí)具有廷時(shí)保護(hù)特性;*具有可靠通斷措施(采用雙電源).*驅(qū)動(dòng)功率大,可以驅(qū)動(dòng)400A/1200V600A/600V的IGBT模塊`
2017-06-30 14:04:23

Yoopan EFP 600A操作手冊(cè)(使用說(shuō)明書(shū))

Yoopan EFP 600A操作手冊(cè)(使用說(shuō)明書(shū)):Yoopan EFP 600A專業(yè)全功能實(shí)時(shí)演播系統(tǒng),是基于Yoopan ALL IN ONE平臺(tái)的系列產(chǎn)品這一,它完美融合了傳統(tǒng)廣電AV技術(shù)和最新IT數(shù)字化影像處理平臺(tái)。
2009-12-13 09:34:5840

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輸出1200V,800W,輸出脈寬可調(diào)的電源電路:由芯片SG3525A組成。
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Littelfuse的新型半橋IGBT模塊將額定電流提升至600A,確保靈活、高效、可靠的電源轉(zhuǎn)換

系列(1200V600A)可為設(shè)計(jì)師提供顯著更高的額定電流,能夠依托現(xiàn)代IGBT技術(shù)可靠、靈活地提供高效快速的開(kāi)關(guān)速度。
2016-10-25 16:29:153347

1200V溝槽柵場(chǎng)截止型IGBT終端設(shè)計(jì)_陳天

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2017-01-08 14:36:357

各種最經(jīng)典的IGBT電路賞析和保護(hù)方案,IGBT靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性是什么?

分別適合于驅(qū)動(dòng)1200V/100A、600V/200A1200V/400A、600V/600A及其以下的IGBT.M57959L/M57962L在驅(qū)動(dòng)中小功率的IGBT時(shí),驅(qū)動(dòng)效果和各項(xiàng)性能表現(xiàn)優(yōu)良
2017-05-17 15:03:205352

深入分析了650V1200V第三代溝槽MOSFET

ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(diǎn)(相比第二代)ROHM第三代設(shè)計(jì)應(yīng)用于650V1200V產(chǎn)品之中,包括分立或模組封裝。本報(bào)告深入分析了650V1200V第三代溝槽MOSFET,并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:2910826

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ROHM新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
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羅姆推車用級(jí)1200V耐壓IGBT 應(yīng)對(duì)電動(dòng)汽車需求

據(jù)外媒報(bào)道,最近,日本羅姆半導(dǎo)體公司(ROHM)宣布新增兩款車用級(jí)1200V耐壓絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),此類晶體管非常適合用于電子壓縮機(jī)內(nèi)的逆變器,以及正溫度系數(shù)(PTC)加熱器中的開(kāi)關(guān)電路。
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滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-29 15:15:505922

Wolfspeed推出適用于電動(dòng)車充電器的1200V 450A全碳化硅半橋模塊

日前,Wolfspeed宣布推出1200V 450A全碳化硅半橋模塊CAB450M12XM3,該產(chǎn)品可最大限度地提高功率密度,同時(shí)最大限度地降低環(huán)路電感并實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的功率總線。XM3適用于電動(dòng)車充電器,牽引驅(qū)動(dòng)器和不間斷電源(UPS)等應(yīng)用。
2019-09-14 10:54:002905

比亞迪半導(dǎo)體成功自主研發(fā)并量產(chǎn)1200V功率器件驅(qū)動(dòng)芯片BF1181

近期,比亞迪半導(dǎo)體基于先前研發(fā)成果的穩(wěn)固基礎(chǔ)上,繼續(xù)整合自身優(yōu)勢(shì),成功自主研發(fā)并量產(chǎn)1200V功率器件驅(qū)動(dòng)芯片——BF1181,今年12月實(shí)現(xiàn)向各大廠商批量供貨。
2021-12-16 10:52:454236

東芝新推出的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊

?東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”;額定電壓為1700V、額定漏極
2022-02-01 20:22:025818

比亞迪半導(dǎo)體全新推出1200V 1040A SiC功率模塊

作為國(guó)內(nèi)首批自主研發(fā)并量產(chǎn)應(yīng)用SiC器件的公司,在SiC功率器件領(lǐng)域,比亞迪半導(dǎo)體于2020年取得重大技術(shù)突破,重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊,并已實(shí)現(xiàn)在新能源汽車高端車型電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器中的規(guī)?;瘧?yīng)用。
2022-06-21 14:40:572382

1200V耐壓、400A/600A的全SiC功率模塊BSM400D12P3G002和BSM600D12P3G001

ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開(kāi)發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:051820

實(shí)現(xiàn)大電流化的技術(shù)要點(diǎn)

轉(zhuǎn)換器,開(kāi)發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05617

RJH1CV7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V-35A-IGBT/Application: Inverter)

RJH1CV7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 20:18:540

RJH1CM6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V-20A-IGBT /Application: Inverter)

RJH1CM6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:480

RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V-15A-IGBT / Application: Inverter)

RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:590

英飛凌推1200V SOI半橋柵極驅(qū)動(dòng)器2ED132xS12x系列

EiceDRIVER SOI系列誕生了首批1200V SOI半橋產(chǎn)品,用于高功率應(yīng)用,如商用HVAC、熱泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、工業(yè)變頻器、泵和風(fēng)機(jī)(高達(dá)10kW)。
2023-05-18 16:18:241125

新品 | 1200V低阻值CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品

提高。封裝采用.XT互連技術(shù),最新的CoolSiCMOSFET具有一流的熱耗散性能。產(chǎn)品規(guī)格:1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封裝CoolSiC12
2022-04-20 09:56:201544

新品 | EiceDRIVER? 0.35A/0.65A 1200V SOI技術(shù)的三相柵極驅(qū)動(dòng)

新品EiceDRIVER0.35A/0.65A1200VSOI技術(shù)的三相柵極驅(qū)動(dòng)器EiceDRIVER1200V三相柵極驅(qū)動(dòng)器,典型的0.35A源電流和0.65A灌電流。其采用DSO-24引腳封裝
2023-02-22 11:11:491968

1200V-600A/450A IGBT模塊產(chǎn)品性能

對(duì)應(yīng)用系統(tǒng)的性能具有決定性的影響。為響應(yīng)上述應(yīng)用市場(chǎng)日益增長(zhǎng)的發(fā)展需求,JSAB推出了兼容國(guó)外一流進(jìn)口品牌的Econodual3和62mm封裝的1200V-600A/450A大功率模塊。相關(guān)模塊的IGBT
2023-06-20 11:26:024094

士蘭微電子推出高性能汽車驅(qū)動(dòng)模塊—600A/1200V IGBT模塊

汽車驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)“充電五分鐘續(xù)航百公里”的效果。 ? 針對(duì)這一需求,士蘭微電子近期推出了一款高性能的汽車驅(qū)動(dòng)模塊——600A/1200V IGBT模塊(B3模塊), 它能夠提升新能源汽車充電速度和行駛動(dòng)力,為用戶帶來(lái)更高的效率和更好
2023-06-20 11:36:482064

RJH1CV7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V-35A-IGBT/Application: Inverter)

RJH1CV7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-12 19:11:330

RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V-15A-IGBT / Application: Inverter)

RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:500

用于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET

增強(qiáng)型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊,采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測(cè)NTC,并有使用預(yù)涂的熱界面材料(TIM)版本。
2023-07-28 14:22:44707

新品 | 用于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET

NTC,并有使用預(yù)涂的熱界面材料(TIM)版本。產(chǎn)品型號(hào):FF17MR12W1M1H_B1117mΩ1200VFF17MR12W1M1H_B7017mΩ1200V
2023-07-31 16:57:591730

士蘭微推出600A/1200V IGBT汽車驅(qū)動(dòng)模塊,提升充電速度與行駛動(dòng)力

隨著人們對(duì)環(huán)保意識(shí)的提高和汽車駕駛體驗(yàn)感的不斷追求,新能源汽車的市場(chǎng)需求逐漸增大,已然成為汽車發(fā)展的大趨勢(shì),但是新能源汽車充電時(shí)間長(zhǎng)、續(xù)航里程短等問(wèn)題仍然是汽車廠商和車主們的痛點(diǎn)。因此,需要更好的汽車驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)“充電五分鐘續(xù)航百公里”的效果。
2023-09-07 16:50:291913

JSAB正式推出1200V-900A模塊

JSAB正式推出兼容國(guó)外一流品牌的EconoDual3和62mm封裝的1200V-900A模塊,產(chǎn)品型號(hào)為 JGAQ900F120DM和JG1G900F120DM。
2023-12-05 10:46:162089

Qorvo發(fā)布1200V碳化硅模塊

全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)9.4mΩ。這一創(chuàng)新產(chǎn)品系列專為電動(dòng)汽車充電站、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)電源和太陽(yáng)能應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
2024-03-06 11:43:191402

具有2mA雪崩額定值的1200V、50mA 汽車類隔離開(kāi)關(guān)TPSI2140-Q1數(shù)據(jù)表

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2024-03-28 16:48:340

1200V 15A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT15N120SE數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2024-04-10 15:23:450

1200V 25A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT25N120SE數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2024-04-10 16:59:080

1200V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N120HE數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2024-04-10 17:11:310

1200V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N120SE數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2024-04-10 17:14:080

1200V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N120UE數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2024-04-10 17:16:100

1200V 75A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT75N120HA數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2024-04-10 18:02:380

1200V 75A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT75N120SA數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2024-04-10 18:05:173

納芯微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET

納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品,該產(chǎn)品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式,可提供車規(guī)與工規(guī)兩種
2024-04-17 13:37:49873

先導(dǎo)中心推出1200V 100A三電平全碳化硅模塊新品

在成功發(fā)布首款1200V 100A H橋全碳化硅模塊后,先導(dǎo)中心再度展現(xiàn)了其技術(shù)實(shí)力,推出了全新的1200V 100A 三電平全碳化硅模塊。
2024-05-09 14:25:261354

Nexperia發(fā)布新款1200V碳化硅MOSFET

Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,公司推出了業(yè)界領(lǐng)先的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,標(biāo)志著其在高功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34:581695

英飛凌1700V EconoDUAL?3 IGBT新產(chǎn)品及其在中高壓級(jí)聯(lián)變頻器和靜止無(wú)功發(fā)生器中的仿真研究

了上一代最大電流等級(jí)600A的產(chǎn)品FF600R17ME4在MVD和SVG中的典型應(yīng)用,然后介紹了1700V IGBT7的芯片特性和EconoDULA? 3模塊的性能優(yōu)化。通過(guò)與FF600
2024-05-31 15:22:381195

納微正式發(fā)布第三代快速(G3F)650V1200V碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列

氮化鎵和GeneSiC碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)正式發(fā)布第三代快速(G3F)650V1200V碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列,為實(shí)現(xiàn)最快的開(kāi)關(guān)速度、最高的效率和功率密度的增進(jìn)進(jìn)行優(yōu)化,將應(yīng)用于AI數(shù)據(jù)中心電源、車載充電器(OBCs)、電動(dòng)汽車超級(jí)充電樁以
2024-06-11 15:46:171561

新品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊系列產(chǎn)品擴(kuò)展

和柵極驅(qū)動(dòng)電壓窗口方面性能得到了改善。現(xiàn)可提供2.9mΩ1200V新規(guī)格,帶或不帶熱界面材料(TIM)。相關(guān)產(chǎn)品:FF3MR12KM1H2.9mΩ,1200V62mm
2024-06-26 08:14:271230

新品 | 900A 1700V Wave基板的EconoDUAL? 3 IGBT7 模塊

的功率密度和更長(zhǎng)的使用壽命。目前的EconoDUAL3Wave產(chǎn)品組合新增了1700V電壓等級(jí)的900A模塊。產(chǎn)品型號(hào):FF900R17ME7W_B11900A170
2024-08-13 08:14:431057

2.5nH超低電感的1200V SiC MOSFET三相全橋模塊

1200V三相全橋碳化硅功率模塊,雜散電感低至2.5nH,工作安全穩(wěn)定。工作電源電壓可達(dá)900V-1000V,工作頻率可達(dá)30kHz,輸出功率可達(dá)300kW。LPD模塊具有耐久、安全的性能優(yōu)勢(shì),性價(jià)比超國(guó)外產(chǎn)品,適用于電動(dòng)汽車、氫能源汽車、高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏風(fēng)能發(fā)電等領(lǐng)域。
2024-09-18 17:18:171724

采用第二代1200V CoolSiC? MOSFET的集成伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)

的EiceDRIVER?緊湊型單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器1ED3122MC12H。 ■? 產(chǎn)品型號(hào): REF-DR3KIMBGSIC2MA ■? 所用器件: SiC MOSFET: IMBG120R040M2H 40mΩ 1200V 柵極驅(qū)動(dòng)
2024-10-29 17:41:42940

ROHM推出第四代1200V IGBT

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載電動(dòng)壓縮機(jī)、HV加熱器、工業(yè)設(shè)備用逆變器等應(yīng)用,開(kāi)發(fā)出符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101*1、1200V耐壓、實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。
2024-11-13 13:55:451374

深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊

本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊,該功率模塊采用了先進(jìn)的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比,該模塊采用了分段式柵極溝槽(SDA)結(jié)構(gòu),并通過(guò)可以控制
2024-11-14 14:59:192867

瞻芯電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET

為了滿足高密度的功率變換的需求,瞻芯電子推出2款新型TC3Pak(Topside Cooling D3Pak)頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品,具有低損耗、散熱性強(qiáng)等特點(diǎn),讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)更緊湊、更高效,組裝時(shí)能自動(dòng)化生產(chǎn)。
2024-11-27 14:58:201445

森國(guó)科推出全新1200V/25A IGBT

森國(guó)科推出的1200V/25A IGBT(選型:KG025N120LD-R)適用于逆變焊機(jī)、不間斷電源和電磁加熱器等方面。新款I(lǐng)GBT的魯棒性和耐用性極強(qiáng),當(dāng)實(shí)際電流是標(biāo)準(zhǔn)電流的四倍時(shí)無(wú)閂鎖效應(yīng),短路時(shí)間極短,僅5μs,最大工作結(jié)溫?cái)U(kuò)大到175℃,有助于延長(zhǎng)產(chǎn)品的使用壽命。
2024-12-04 16:16:281123

MG400V2YMS31700V碳化硅MOSFET模塊,助力實(shí)現(xiàn)尺寸更小,效率更高的工業(yè)設(shè)備

東芝兩款全新碳化硅(SiC)MOSFET雙模塊---MG600Q2YMS3和 MG400V2YMS3前者額定電壓為1200V,額定漏極電流為600A;后者額定電壓為1700V,額定漏極電流為400A
2024-12-17 15:43:30636

新品 | 半橋1200V CoolSiC? MOSFET EconoDUAL? 3模塊

新品半橋1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的1200V/1.4mΩ半橋模塊。芯片為SiCMOSFETM1H增強(qiáng)型1代、集成NTC溫度傳感器
2025-04-17 17:05:15805

龍騰半導(dǎo)體推出1200V 50A IGBT

在功率器件快速發(fā)展的當(dāng)下,如何實(shí)現(xiàn)更低的損耗、更強(qiáng)的可靠性與更寬的應(yīng)用覆蓋,成為行業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)。龍騰半導(dǎo)體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品,專為高頻應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。依托先進(jìn)工藝平臺(tái)與系統(tǒng)化設(shè)計(jì)能力,為工業(yè)逆變、UPS、新能源等場(chǎng)景注入高效驅(qū)動(dòng)力。
2025-04-29 14:43:471044

新品 | EasyDUAL? 1B和2B,1200V共發(fā)射極IGBT模塊

新品EasyDUAL1B和2B,1200V共發(fā)射極IGBT模塊EasyDUAL1B,2B1200V共發(fā)射極模塊采用成熟的TRENCHSTOPIGBTT7和Emcon7芯片技術(shù),電流等級(jí)涵蓋75A
2025-05-13 17:04:461315

聞泰科技推出車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET

在全球新能源汽車加速普及的今天,續(xù)航短、充電慢成為行業(yè)發(fā)展瓶頸。為突破這兩大痛點(diǎn),高功率電壓系統(tǒng)對(duì)1200V耐壓功率芯片的需求愈發(fā)迫切,1200V SiC功率器件成為行業(yè)競(jìng)相攻堅(jiān)的焦點(diǎn)。在這一趨勢(shì)下
2025-05-14 17:55:021064

新品 | 英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? SiC MOSFET 1200V模塊

新品英飛凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模塊英飛凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半橋模塊,增強(qiáng)型1代M1H芯片、集成NTC
2025-06-10 17:06:211301

瞻芯電子第31200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用

近期,中國(guó)領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——瞻芯電子開(kāi)發(fā)的首批第31200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品,憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單,已量產(chǎn)交付近200萬(wàn)顆,為應(yīng)用系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。
2025-07-16 14:08:231049

新品 | 針對(duì)車載充電和電動(dòng)汽車應(yīng)用的EasyPACK? CoolSiC? 1200V和硅基模塊

CoolSiCMOSFET技術(shù)1200V、17mΩ,配備NTC和PressFIT壓接技術(shù)。另一個(gè)模塊基于TRENCHSTOPIGBT7技術(shù)1200V、100A,配備
2025-07-31 17:04:34837

英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? MOSFET 1200V模塊榮獲2025全球電子成就獎(jiǎng)

11月25日,英飛凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模塊榮獲2025年全球電子成就獎(jiǎng)(WorldElectronicsAchievementAwards)年度功率半導(dǎo)體
2025-11-26 09:32:50573

2ED1324S12P/2ED1323S12P:1200V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選

2ED1324S12P/2ED1323S12P:1200V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選 在電子工程師的日常工作中,選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要。今天,我們就來(lái)深入探討英飛凌(Infineon)的兩款出色
2025-12-20 11:15:12666

2ED1322S12M/2ED1321S12M:1200V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選

2ED1322S12M/2ED1321S12M:1200V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選 在電力電子領(lǐng)域,對(duì)于IGBT或SiC MOSFET功率器件的高效控制一直是工程師們關(guān)注的焦點(diǎn)。今天,我們就來(lái)
2025-12-20 11:30:021310

6ED2230S12T:1200V三相柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選

6ED2230S12T:1200V三相柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選 在電力電子領(lǐng)域,高效可靠的柵極驅(qū)動(dòng)器是實(shí)現(xiàn)高性能功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的關(guān)鍵。今天,我們就來(lái)深入探討英飛凌(Infineon
2025-12-20 14:20:09589

6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器解析

6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器解析 在電力電子領(lǐng)域,柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件(如IGBT和SiC MOSFET)的關(guān)鍵組件。今天我們來(lái)詳細(xì)探討英飛凌
2025-12-20 14:25:02660

1200V CoolSiC? MOSFET評(píng)估平臺(tái):設(shè)計(jì)與應(yīng)用全解析

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2025-12-21 10:45:06472

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