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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>模擬數(shù)字>集成電路電磁輻射與數(shù)據(jù)相關(guān)性研究

      集成電路電磁輻射與數(shù)據(jù)相關(guān)性研究

      2011-10-28 | pdf | 334 KB | 次下載 | 免費

      資料介紹

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      為了減少集成電路密碼芯片工作時的電磁信息泄漏，設(shè)汁具有防護能力的加密芯片。在研究CMOS集成電路電磁輻射原理的基礎(chǔ)上，分析了電磁輻射產(chǎn)生數(shù)據(jù)相關(guān)性的機理。以電偶極子為模型，簡化了電磁計算的方法，對基本的CMOS電路工作過程進行分析。采用TSMC0．18工藝設(shè)計CMOS反相器，并對該反向器進行電磁輻射仿真。建立評估模型并對金屬層電磁輻射的信息泄漏進行評估。結(jié)果表明，電路工作時NMOS金屬層、PMOS金屬層和輸出線的金屬層產(chǎn)生的電磁輻射均會導致信息泄漏，長度相等時，輸出線金屬層的電磁信息泄漏更強。
      集成電路 電磁輻射 加密芯片
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