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發(fā)視頻SiC·IGBT/SiC·二極管/SiC·MOSFET動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試
2023-02-23 |
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資料介紹
EN-1230A可對(duì)各類型Si·二極管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二極管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)如開通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、上升時(shí)間、下降時(shí)間、導(dǎo)通延 遲時(shí)間、關(guān)斷延遲時(shí)間、開通損耗、關(guān)斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺(tái)電壓、反向恢復(fù)時(shí)間、反向恢復(fù)充電電量、反向恢復(fù)電流、反向恢復(fù)損耗、反向恢復(fù)電流變化 率、反向恢復(fù)電壓變化率、集電極短路電流、輸入電容、輸出電容、反向轉(zhuǎn)移電容、柵極串聯(lián)等效電阻、雪崩耐量進(jìn)行測(cè)試。
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