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是德科技近期在半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域邁出重要一步，正式推出了電氣結(jié)構(gòu)測(cè)試儀（EST），一款專為半導(dǎo)體制造中鍵合線（Wire Bonding）檢測(cè)設(shè)計(jì)的創(chuàng)新解決方案。此解決方案的推出，旨在應(yīng)對(duì)當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)因芯片密度激增而面臨的嚴(yán)峻測(cè)試挑戰(zhàn)，尤其是在醫(yī)療設(shè)備及汽車系統(tǒng)等對(duì)可靠性要求極高的應(yīng)用領(lǐng)域。

在近期揭曉的維科杯·OFweek 2024中國(guó)汽車行業(yè)年度大獎(jiǎng)評(píng)選中，全球半導(dǎo)體與軟件IP領(lǐng)域的佼佼者Ceva公司憑借其創(chuàng)新的低功耗超寬帶（UWB）IP產(chǎn)品——Ceva-Waves UWB，榮膺“艙駕一體技術(shù)突破獎(jiǎng)”。這一殊榮不僅彰顯了Ceva在推動(dòng)智能邊緣設(shè)備連接、感知與數(shù)據(jù)處理技術(shù)方面的卓越貢獻(xiàn)，也進(jìn)一步鞏固了其在移動(dòng)、汽車、消費(fèi)及物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。

8月28日至30日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商英飛凌，在深圳盛大亮相“2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)（PCIM Asia）”，以“數(shù)字低碳，共創(chuàng)未來(lái)”為核心愿景，全面展示了其在硅（Si）、碳化硅（SiC）及氮化鎵（GaN）功率電子領(lǐng)域的強(qiáng)大實(shí)力與創(chuàng)新成果。

全球基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近期宣布了一項(xiàng)重要產(chǎn)品擴(kuò)展計(jì)劃，其備受歡迎的功率雙極結(jié)型晶體管（BJT）系列再添新成員。此次，Nexperia隆重推出了二十款新型BJT產(chǎn)品，涵蓋標(biāo)準(zhǔn)與汽車級(jí)應(yīng)用，均采用先進(jìn)的DFN2020D-3封裝技術(shù)。這一舉措不僅豐富了其BJT產(chǎn)品線，更彰顯了Nexperia在技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)響應(yīng)速度上的領(lǐng)先地位。

近日，沃格光電子公司旗下的湖北通格微電路科技有限公司與北極雄芯信息科技（西安）有限公司正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，標(biāo)志著雙方在玻璃基Chiplet芯片封裝領(lǐng)域的深度合作正式拉開(kāi)帷幕。此次合作，雙方將聚焦“加速玻璃基在Chiplet芯片封裝等前沿技術(shù)的商用化步伐”這一核心愿景，共同探索并引領(lǐng)半導(dǎo)體封裝技術(shù)的新一輪變革。

近日，一場(chǎng)聚焦于科技產(chǎn)業(yè)深度合作的盛事在北京圓滿落幕，深圳市中集產(chǎn)城發(fā)展集團(tuán)有限公司攜手京東方科技集團(tuán)有限公司，正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，標(biāo)志著雙方在產(chǎn)業(yè)融合與創(chuàng)新發(fā)展道路上邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。此次合作，不僅彰顯了雙方對(duì)未來(lái)科技趨勢(shì)的深刻洞察，更預(yù)示著新一輪產(chǎn)業(yè)升級(jí)與創(chuàng)新的浪潮即將在深圳這片熱土上澎湃展開(kāi)。

飛锃半導(dǎo)體近日宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展，其香港子公司Alpha Power Solutions Hong Kong Limited成功獲得香港創(chuàng)新科技署創(chuàng)新及科技基金的鼎力資助。此次資助將專項(xiàng)用于SiC（碳化硅）溝槽MOSFET晶體管制造技術(shù)的深度開(kāi)發(fā)與產(chǎn)品研發(fā)，標(biāo)志著飛锃半導(dǎo)體在推動(dòng)第三代半導(dǎo)體技術(shù)革新方面邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。

近日，深圳會(huì)展中心（福田）迎來(lái)了elexcon2024深圳國(guó)際電子展的盛大開(kāi)幕。在這場(chǎng)科技盛宴中，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體以其卓越的產(chǎn)品陣容和廣泛的應(yīng)用方案成為焦點(diǎn)。

近日，由中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院和江蘇省政府等共同舉辦、備受全球半導(dǎo)體行業(yè)關(guān)注的“世界半導(dǎo)體大會(huì)2024集成電路高質(zhì)量發(fā)展論壇暨兩優(yōu)一先頒獎(jiǎng)盛典”在南京國(guó)際博覽中心圓滿落幕。MDD辰達(dá)半導(dǎo)體在此次盛會(huì)上榮獲大會(huì)頒發(fā)的“中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)”和"中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)創(chuàng)新企業(yè)獎(jiǎng)殊榮。

MOSFET 全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種廣泛應(yīng)用于模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管，用于將輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化，可實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)和信號(hào)放大等功能，與雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor，也稱 BJT、三極管)和絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，也稱 IGBT)同屬于晶體管領(lǐng)域。MOSFET 具有開(kāi)關(guān)速度快、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好等特性，應(yīng)用于包括通信、消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控制在內(nèi)的眾多領(lǐng)域。