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小型化、多引腳、高集成是封裝技術(shù)的演進(jìn)方向。針對下游電子產(chǎn)品小型化、輕量化、 高性能的需求，封裝朝著小型化、多引腳、高集成的方向不斷演進(jìn)。

太陽電池封裝成組件后，其實際功率通常會小于理論功率，稱之為功率損失或封裝損失。

?什么是功率半導(dǎo)體？功率半導(dǎo)體包括兩個部分：功率器件和功率IC。功率器件是功率半導(dǎo)體分立器件的分支，而功率IC則是將功率半導(dǎo)體分立器件與各種功能的外圍電路集成而得來。功率半導(dǎo)體的功能主要是對電能進(jìn)行轉(zhuǎn)換，對電路進(jìn)行控制，改變電子裝置中的電壓和頻率，直流或交流等，均具有處理高電壓、大電流的能力。目前主流、使用較多的半導(dǎo)體器件，一是晶閘管，它可以輸出較大功率，但

在晶體生長的過程中，由于某些條件的引入將會導(dǎo)致結(jié)構(gòu)缺陷的生成。

三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也被稱為雙極型晶體管或晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。其主要功能是將微弱的電信號放大成幅度值較大的電信號，同時也被用作無觸點開關(guān)。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個相距很近的PN結(jié)，兩個PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種。

共晶芯片焊接平臺因具有高效、低熱阻、低成本等優(yōu)勢，被廣泛用于表面貼裝半導(dǎo)體分立器件的芯片焊接。隨著移動消費(fèi)電子產(chǎn)品的大量使用，越來越多的 IC 芯片被放置到小型表面封裝中。對于底部沒有金屬化的小型 IC 芯片，經(jīng)比較證明共晶焊接工藝優(yōu)于聚合物粘接劑粘接，將低噪聲放大器 IC 芯片以共晶焊接的方式組裝到 SC88 封裝中，并通過可靠性測試，成功實現(xiàn)量產(chǎn)。

?摘要：本文綜述了近年來國內(nèi)外關(guān)于耐高溫環(huán)氧塑封料（EMC）的基礎(chǔ)研究與應(yīng)用進(jìn)展，從先進(jìn)功率電子器件發(fā)展對塑封材料的性能需求、傳統(tǒng)EMC的高溫降解機(jī)理、EMC結(jié)構(gòu)與耐熱穩(wěn)定性的關(guān)系以及提高EMC耐熱穩(wěn)定性的改性途徑等方面進(jìn)行了闡述。重點綜述了多芳環(huán)（MAR）型以及含萘型EMC的發(fā)展?fàn)顩r。最后對功率電子封裝用耐高溫EMC未來的發(fā)展趨勢進(jìn)行了展望。關(guān)鍵詞：功率電

二極管是一種電子器件，具有單向?qū)щ娦?。它有兩個電極，正極和負(fù)極，當(dāng)在兩極間加上正向電壓時，二極管導(dǎo)通；加上反向電壓時，二極管截止。二極管是由半導(dǎo)體材料制成的，其導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間。在電子電路中，二極管可以用作整流、檢波、限幅、鉗位等。

MOSFET，全稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是一種電壓控制的開關(guān)器件。它的工作原理是，通過在柵極施加電壓，控制漏極和源極之間的電流。當(dāng)柵極施加的電壓為正時，會形成一個電場，使得漏極和源極之間形成導(dǎo)電通路，從而形成電流。當(dāng)柵極施加的電壓為負(fù)時，電場會被抑制，導(dǎo)致漏極和源極之間的電流無法流通。因此，MOSFET在電路中起到開關(guān)的作用，可以控制電路的通斷。

絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT）是一種半導(dǎo)體器件，它將MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和BJT（雙極型晶體管）的優(yōu)點集于一身，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、高電流密度等優(yōu)點。IGBT廣泛應(yīng)用于電力電子、軌道交通、電動汽車等領(lǐng)域，是現(xiàn)代電力電子技術(shù)的核心元件之一。 IGBT的結(jié)構(gòu)主要包括四層：P型襯底、N型發(fā)射層、P型基區(qū)和N型集電區(qū)。其中，P型襯底和