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聚焦離子束（Focused Ion beam，F(xiàn)IB）是一種利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的顯微切割儀器。 聚焦后作用于樣品表面。

紅外輻射是波長(zhǎng)介于可見光與微波之間的電磁波，人眼察覺不到，紅外探測(cè)器是可以將入射的紅外輻射信號(hào)轉(zhuǎn)變成電信號(hào)輸出的器件，幫助人們看見未知的世界。本文將從分類、波段、材料等方面帶大家詳細(xì)了解紅外探測(cè)器。

今天我們來聊一聊車規(guī)模塊中的一種芯片表面互連技術(shù)--Die Top System, DTS。

普通半導(dǎo)體封裝類型為裸焊盤或者PowerPADTM式封裝。在這些封裝中，芯片被貼裝在一個(gè)被稱作芯片焊盤的金屬片上。這種芯片焊盤在芯片 加工過程中對(duì)芯片起支撐作用，同時(shí)也是器件散熱的良好熱通路。當(dāng)封裝的裸焊盤被焊接到 PCB 后，熱量能夠迅速地從封裝中散發(fā)出來，然后進(jìn)入到 PCB 中。

光束整形（Beam Shaping）是一種利用光束控制技術(shù)來改變光束的形狀和特性的過程。隨著激光技術(shù)的不斷發(fā)展，激光的應(yīng)用也越來越廣泛，但是在半導(dǎo)體光刻、激光印刷、激光加工、光學(xué)信息處理等領(lǐng)域中，都對(duì)激光光束的均勻性有著一定的要求。然而激光器諧振腔輸出的光束呈高斯分布，這一特性使其往往不能被直接使用，需要通過光束整形來提高均勻性，以滿足應(yīng)用的需求。目前激光光束整形方法主要包括光闌法、場(chǎng)映射法和多孔徑光束聚焦法。

晶體管是電子學(xué)和邏輯電路中的基本構(gòu)件，用于開關(guān)和放大。MOSFET是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的一種，其柵極通過使用絕緣層進(jìn)行電隔離。因此，它也被稱為IGFET(絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬M(fèi)OS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種常見的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，MOS管可能會(huì)因?yàn)楦鞣N原因而損壞。本文將對(duì)MOS管損壞的原因進(jìn)行分析。 過壓和過流：MOS管的額定電壓和額定電流是有限的。當(dāng)電路中的電壓或電流超過MOS管的額定值時(shí)，可能會(huì)導(dǎo)致MOS管損壞。過壓可能導(dǎo)致MOS管擊穿，而過流可能導(dǎo)致MOS管過熱損壞

選擇合適的靶材在半導(dǎo)體工藝中十分重要。

用光作為畫筆在微納米世界中作畫。

雙極型晶體管，電子工業(yè)的基石，引領(lǐng)著人類科技發(fā)展的重要引擎。