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在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？

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電力電子元件可提高所有行業(yè)和應(yīng)用中電機(jī)和馬達(dá)的能源效率。這些電力電子元件越來越多地被更密集地封裝在一起，靠近或放置在電機(jī)本身附近或上面，因此受到應(yīng)用中的聲振粗糙度和振動(dòng)的影響。必須有效地消除這些組件的散熱，以防止器件過早失效，或者在最嚴(yán)重的情況下，泄漏電流隨著溫度的升高而增加，導(dǎo)致熱失控，進(jìn)一步增加散熱，直到半導(dǎo)體芯片實(shí)際熔化。

半導(dǎo)體解決方案的進(jìn)步解決了可穿戴設(shè)計(jì)的精度、功率效率和尺寸挑戰(zhàn)。例如，Maxim長期以來一直專注于開發(fā)能夠提供洞察力的產(chǎn)品，以實(shí)現(xiàn)更健康的世界。例如，MAX-HEALTH-BAND 是一個(gè)評估和開發(fā)平臺(tái)，它流式傳輸來自傳感器的原始數(shù)據(jù)或處理原始數(shù)據(jù)以輸出心率、心率變異性、活動(dòng)分類、卡路里消耗和步數(shù)信息。該平臺(tái)可以縮短長達(dá)六個(gè)月的開發(fā)時(shí)間，包括：

盡管目前半導(dǎo)體集成度越來越高，許多應(yīng)用也都有隨時(shí)可用的片上系統(tǒng)，同時(shí)許多功能強(qiáng)大且開箱即用的開發(fā)板也越來越可輕松獲取，但許多使用案例中電子產(chǎn)品的應(yīng)用仍然需要使用定制PCB。在一次性開發(fā)當(dāng)中，即使一個(gè)普通的PCB都能發(fā)揮非常重要的作用。

在之前的文章里，我們介紹了晶圓制造、氧化過程和集成電路的部分發(fā)展史。現(xiàn)在，讓我們繼續(xù)了解光刻工藝，通過該過程將電子電路圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上。光刻過程與使用膠片相機(jī)拍照非常相似。但是具體是怎么實(shí)現(xiàn)的呢？

在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計(jì)好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進(jìn)行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。

功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個(gè)管腳，分別為柵極（ Gate ），漏極（ Drain ）和源極（ Source ）。功率 MOSFET 為電壓型控制器件，驅(qū)動(dòng)電路簡單，驅(qū)動(dòng)的功率小，而且開關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的 MOSFET 的結(jié)構(gòu)有：橫向?qū)щ婋p擴(kuò)散型場效應(yīng)晶體管 LDMOS （ L ateral Double-Diffused MOSFET ）、 垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散型場效應(yīng)晶體管（ P lanar MOSFET ）， 溝槽型場效應(yīng)晶體管（ T rench MOSFET ），超結(jié)結(jié)構(gòu) 場

我們所有的連接系統(tǒng)——從連接到醫(yī)院患者的脈搏血氧儀到打印機(jī)墨盒再到物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備——都面臨著來自黑客的持續(xù)威脅。在這篇文章中，我們將看看其中的一些威脅，并學(xué)習(xí)如何保護(hù)您的設(shè)備免受這些威脅的侵害。

成功的模擬半導(dǎo)體產(chǎn)品往往比以數(shù)字為重點(diǎn)的同類產(chǎn)品在市場上停留的時(shí)間要長得多。這意味著，多年來，已經(jīng)積累了大我們已經(jīng)看到了現(xiàn)代對稱加密算法如何將明文數(shù)據(jù)塊轉(zhuǎn)換為密文的一般概念。當(dāng)然，我們要加密的明文很少小于這些算法處理的 64 位或 128 位塊。這些算法如何將大于塊大小的輸入處理成密文的不同可能方法稱為操作模式。 設(shè)計(jì)人員選擇的操作模式具有嚴(yán)重的安全隱患。我們將從最“明顯”的方法開始：簡單地將各個(gè)密文塊連接在一起。