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現(xiàn)在半導體領域中有一個前沿方向叫Chiplet(芯粒)技術，就是將以往偌大無比的一個SOC整體系統(tǒng)，切割分成眾多獨立功能的小芯片部件。這些擁有獨立功能的小部件可以互相組合，相互復用，更加方便的定制組合成為特定功能的大系統(tǒng)。那么半導體Chiplet技術分別有哪些優(yōu)點和缺點呢? 一、核心結論 1. 先進制程受限，先進封裝/Chiplet提升算力，必有取舍。 在技術可獲得的前提下，提升芯片性能，先進制程升級是首選，先進封裝則錦上添花。 2. 大功耗、高算

美國國防部高級研究計劃局（DARPA）微系統(tǒng)技術辦公室主任Mark Rosker在去年舉辦的CS Mantech上表示，化合物半導體行業(yè)將很快進入第三波材料技術浪潮。這個時代將看到由不同材料組合制造的器件。

半導體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會丟失，主要有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM: Static Random Access Memory) 和動態(tài)隨機存儲器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。

芯片燒錄行業(yè)領導者-昂科技術近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號列表，其中昂科發(fā)布軟件更新支持Geehy極海半導體的32位微控制器APM32F407RET6已經(jīng)被昂科的通用燒錄平臺AP8000所支持。 APM32F407RET6基于ARM?Cortex?-M4內(nèi)核，支持單精度FPU、增強型DSP處理指令；豐富外設資源滿足多應用需求，支持片上PHY的高速OTG接口；新增SM2、SM3、SM4等多種加密算法，有助于保障數(shù)據(jù)信息安全，工作溫度覆蓋-40℃~+105℃。 產(chǎn)品特征 ? 內(nèi)核 – 帶有FPU的32位 Arm?

隨著半導體行業(yè)的發(fā)展，開關電源的應用場合不斷拓寬。同時，對開關電源的要求也不斷提高。高功率密度、小體積、低價格成為開關電源行業(yè)的趨勢。在半導體技術迅猛發(fā)展的背景下，通過選用更加優(yōu)秀性能的開關管，能夠在同樣的體積空間下輸出更高的功率，從而達到優(yōu)化開關電源的功率的目的。對于控制回路而言，使用TL431來代替由分立的基準電壓和運放構建的具有反饋功能控制回路，文中首先對TL431的內(nèi)部結構進行分析，比較了TL431和由通用運放搭建的反饋回路，然后對TL431的靜態(tài)工作點設置進行分析和計算，最后計算了由TL431構成的補償環(huán)路。

從實際情況上看，目前多數(shù)SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進行生產(chǎn)，而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍，這也就意味著8英寸制造將會在很大程度上降低SiC的應用成本。但為什么目前市場上主流還是6英寸碳化硅襯底？

在干法蝕刻中，氣體受高頻（主要為 13.56 MHz 或 2.45 GHz）激發(fā)。在 1 到 100 Pa 的壓力下，其平均自由程為幾毫米到幾厘米。

離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束，蝕刻過程是絕對各向異性的。選擇性低，因為其對各個層沒有差異。氣體和被打磨出的材料被真空泵排出，但是，由于反應產(chǎn)物不是氣態(tài)的，顆粒會沉積在晶片或室壁上。

MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體)+FET(Field Effect Transistor場效應晶體管)這個兩個縮寫組成。即通過給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產(chǎn)生電場的效應來控制半導體(S)導電溝道開關的場效應晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，MOSFET因此又被稱為絕緣柵型場效應管。

“壓敏電阻"是一種具有非線性伏安特性的電阻器件，主要用于在電路承受過壓時進行電壓鉗位，吸收多余的電流以保護敏感器件。英文名稱叫“Voltage Dependent Resistor”簡寫為“VDR”, 或者叫做“Varistor“。壓敏電阻也是一種限壓型保護器件。利用壓敏電阻的非線性特性，當過電壓出現(xiàn)在壓敏電阻的兩極間，壓敏電阻可以將電壓鉗位到一個相對固定的電壓值，從而實現(xiàn)對后級電路的保護。