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SiC-SBD為形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同，僅電子移動(dòng)、電流流動(dòng)。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結(jié)構(gòu)，電流通過電子與空穴（孔）流動(dòng)。

先進(jìn)制程工藝進(jìn)度緩慢的情況下，多芯片整合封裝成了半導(dǎo)體行業(yè)的大趨勢(shì)，各家不斷玩出新花樣。

雙向晶閘管是由N-P-N-P-N五層半導(dǎo)體材料制成的，對(duì)外也引出三個(gè)電極，其結(jié)構(gòu)如圖所示。雙向晶閘管相當(dāng)于兩個(gè)單向晶閘管的反向并聯(lián)，但只有一個(gè)控制極。 　　

　　PNP型三極管是由2塊P型半導(dǎo)體中間夾著1塊N型半導(dǎo)體所組成的三極管，所以稱為PNP型三極管。也可以描述成，電流從發(fā)射極E流入的三極管。

今天我們來了解一下場(chǎng)效應(yīng)管，英文名叫Filed Effect Transistor ，簡(jiǎn)稱FET，也是一種具有PN結(jié)的半導(dǎo)體器件。

為了更好了解IGBT，下面我們?cè)賮砜纯此膬?nèi)部結(jié)構(gòu)：一般，IGBT 有三個(gè)端子：集電極、發(fā)射極和柵極，他們都是附有金屬層。但是，柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。IGBT結(jié)構(gòu)其實(shí)就相當(dāng)于是一個(gè)四層半導(dǎo)體的器件。四層器件是通過組合 PNP 和 NPN 晶體管來實(shí)現(xiàn)的，它們構(gòu)成了 P-N-P-N 排列。

IGBT最常見的形式其實(shí)是模塊（Module），而不是單管。IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。

今天我繼續(xù)學(xué)習(xí)二極管，今天學(xué)習(xí)的二極管的類型和作用，下面讓我們一起來看看有哪些二極管？它們的作用又是什么？

今天我們開始學(xué)習(xí)三極管了，在電子線路中它是非常重要的元件之一，也是非常復(fù)雜的元件之一，三極管也稱雙極型晶體管、晶體三極管，它是一種電流控制電流的半導(dǎo)體器件，其作用是把微弱信號(hào)放大成輻值較大的電信號(hào)，也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。下面介紹的是三極管工作原理，一起來看看吧。