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對(duì)數(shù)據(jù)不斷增長的需求正在推動(dòng)衛(wèi)星通信（衛(wèi)星通信）的強(qiáng)勁增長，特別是在更高頻段。但是，許多公司沒有專注于較低的頻率范圍，而是專注于更高頻率的Ka-Band，它為互聯(lián)網(wǎng)接入和5G等應(yīng)用提供了更多分配的頻譜。

自 1958 年 IBM 設(shè)計(jì)出首個(gè)管狀“開關(guān)模式電源”以來，打造無傳導(dǎo)和開關(guān)損耗的理想開關(guān)一直是電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)者的夢想。如今，各項(xiàng)開關(guān)技術(shù)的通態(tài)損耗都有了明顯降低；采用最新的寬帶隙半導(dǎo)體的產(chǎn)品，在 750V 額定電壓下的電阻已能達(dá)到小于 6 毫歐的水平。目前這項(xiàng)技術(shù)還未達(dá)到其物理極限，預(yù)計(jì)在不久的將來，該阻值還會(huì)進(jìn)一步降低。

面對(duì)SiC-SBD和Si-PND的特征進(jìn)行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性。反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。

表中黃色高亮部分是Si與SiC的比較。藍(lán)色部分是用于功率元器件時(shí)的重要參數(shù)。如數(shù)值所示，SiC的這些參數(shù)頗具優(yōu)勢。另外，與其他新材料不同，它的一大特征是元器件制造所需的p型、n型控制范圍很廣，這點(diǎn)與Si相同?；谶@些優(yōu)勢，SiC作為超越Si限制的功率元器件用材料備受期待。

　　NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。

固態(tài)繼電器是一種全電子電路組合元件，它依靠半導(dǎo)體器件和電子元件的電磁和光學(xué)特性來完成其隔離和繼電器開關(guān)功能。與傳統(tǒng)的電磁繼電器相比，固態(tài)繼電器是一種沒有機(jī)械和運(yùn)動(dòng)部件的繼電器，但具有與電磁繼電器基本相同的功能。

電源管理半導(dǎo)體從所包含的器件來說，明確強(qiáng)調(diào)電源管理集成電路（電源管理IC，簡稱電源管理芯片）的位置和作用。電源管理半導(dǎo)體包括兩部分，即電源管理集成電路和電源管理分立式半導(dǎo)體器件。

肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢壘二極管。

三極管的定義：一種控制電流的半導(dǎo)體器件(也稱半導(dǎo)體三極管、雙極型三極管、晶體三極管)。 其屬于半導(dǎo)體主動(dòng)元件中的分立器件，能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。 三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié)，兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種。

在N型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子，它主要由雜質(zhì)原子提供； 空穴是少數(shù)載流子, 由熱激發(fā)形成。 提供自由電子的五價(jià)雜質(zhì)原子因帶正電荷而成為正離子，因此五價(jià)雜質(zhì)原子也稱為施主雜質(zhì)。