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本應(yīng)用筆記介紹如何使用達(dá)拉斯半導(dǎo)體DS21X52和DS21X54單芯片收發(fā)器（SCT）和DS216xx時(shí)鐘適配器（CLAD）將T1轉(zhuǎn)換為E1，反之亦然。DS21X52 SCT用于T1信號(hào)，DS21354用于E1信號(hào)。三種達(dá)拉斯半導(dǎo)體CLAD（DS21600、DS21602或DS21610）中的任何一種都可用于將信號(hào)從T1轉(zhuǎn)換為E1頻率或E1轉(zhuǎn)換為T1頻率。

芯片 是所有半導(dǎo)體元器件的統(tǒng)稱，它是把一定數(shù)量的常用電子元件（如電阻，電容，晶體管等），通過半導(dǎo)體工藝集成在一起，具有特定功能的電路。

白噪聲發(fā)生器（輸出功率密度與頻率的關(guān)系圖為平坦的那些）對于測試具有擴(kuò)展低頻或直流響應(yīng)的電路非常有用。然而，對于低至幾赫茲或更低的頻率范圍，白噪聲發(fā)生器的設(shè)計(jì)因粉紅噪聲（也稱為閃爍噪聲或1/f噪聲）的存在而變得復(fù)雜。

傳感器發(fā)展到今天，小型化、智能化、集成化，已經(jīng)是升級(jí)換代的必由之路。 今天，我們來為大家介紹一下傳感器家族的mini型產(chǎn)品——--MEMS傳感器。

如何將DS2172/DS21372 BERT連接至達(dá)拉斯半導(dǎo)體的所有T1/E1成幀器和單芯片收發(fā)器（SCT）。

發(fā)現(xiàn)二極真空管里有整流特性和愛迪生效果是1884年。其實(shí)在這8年之前的1876年已發(fā)現(xiàn)了硒的整流作用。利用半導(dǎo)體特性實(shí)現(xiàn)整流效果的二極管的歷史十分古老。但比真空管還要古老是稍微意外吧。

氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體技術(shù)為提高射頻/微波功率放大的性能水平做出了巨大貢獻(xiàn)。通過減少器件的寄生元件、使用更短的柵極長度和使用更高的工作電壓，GaN晶體管達(dá)到了更高的輸出功率密度、更寬的帶寬和更高的DC-RF效率。

大家好，我們都知道無論是**功率半導(dǎo)體模塊封裝設(shè)計(jì)**還是**功率變換器的母線**設(shè)計(jì)，工程師們都在力求 **雜散電感最小化** ，因?yàn)檫@樣可以有效減小器件的 **開關(guān)振蕩及過壓風(fēng)險(xiǎn)** ，今天我們結(jié)合主流功率半導(dǎo)體廠商的SiC MOSFET模塊，聊一下低雜感模塊封裝內(nèi)部是如何設(shè)計(jì)的？

越來越多的應(yīng)用需要從位于極高溫環(huán)境中的傳感器收集數(shù)據(jù)。近年來，半導(dǎo)體、無源器件和互連器件在實(shí)現(xiàn)高精度數(shù)據(jù)采集和處理方面取得了長足的進(jìn)步。然而，對于可在高達(dá)175°C的溫度下工作的傳感器的需求仍未得到滿足，特別是在微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）提供的易于使用的外形尺寸中。與分立式傳感器相比，MEMS傳感器通常更小、功耗更低、成本更低。此外，它們還可以在同一半導(dǎo)體封裝中集成信號(hào)調(diào)理電路。

半導(dǎo)體元器件在整機(jī)應(yīng)用端的失效主要為各種過應(yīng)力導(dǎo)致的失效，器件的過應(yīng)力主要包括工作環(huán)境的緩變或者突變引起的過應(yīng)力，當(dāng)半導(dǎo)體元器件的工作環(huán)境發(fā)生變化并產(chǎn)生超出器件最大可承受的應(yīng)力時(shí)，元器件發(fā)生失效。應(yīng)力的種類繁多，如表1，其中過電應(yīng)力導(dǎo)致的失效相對其它應(yīng)力更為常見。