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半導(dǎo)體工藝和射頻封裝技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新徹底改變了工程師設(shè)計(jì)射頻、微波和毫米波設(shè)計(jì)應(yīng)用的方式。RF設(shè)計(jì)人員的技術(shù)和設(shè)計(jì)支持需求比以往任何時(shí)候都更加具體和先進(jìn)。設(shè)計(jì)技術(shù)不斷發(fā)展，在不久的將來(lái)，射頻和微波組件的性質(zhì)將大不相同。本文介紹了不同類型的混合器，它們的優(yōu)缺點(diǎn)，以及它們?cè)诓煌袌?chǎng)中不斷發(fā)展的應(yīng)用。它討論了不同混頻組件（主要是混頻器）不斷變化的格局，以及技術(shù)進(jìn)步如何改變不同細(xì)分市場(chǎng)的需求。

Linux 內(nèi)存是后臺(tái)開發(fā)人員，需要深入了解的計(jì)算機(jī)資源。合理的使用內(nèi)存，有助于提升機(jī)器的性能和穩(wěn)定性。本文主要介紹Linux 內(nèi)存組織結(jié)構(gòu)和頁(yè)面布局，內(nèi)存碎片產(chǎn)生原因和優(yōu)化算法，Linux 內(nèi)核幾種內(nèi)存管理的方法，內(nèi)存使用場(chǎng)景以及內(nèi)存使用的那些坑。

在設(shè)計(jì)mos管開關(guān)電路時(shí)，就要充分了解mos管的工作原理。在我上一篇文章中，有詳細(xì)地講解mos管的工作原理。

每個(gè) MOSFET 數(shù)據(jù)手冊(cè)都包含一個(gè) SOA 圖，該圖描述了 MOSFET 暴露于特定電壓和電流的最長(zhǎng)時(shí)間。圖1顯示了恩智浦半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)中PSMN1R5-30BLE 30V 1.5mΩ N溝道MOSFET的SOA圖?？紤]將 10V/100A 的電壓施加到 MOSFET 的條件。查看 SOA 圖上的相應(yīng)點(diǎn)，我們看到它介于 1ms 和 10ms 行之間。該圖表明，如果外殼（片片）保持在25°C，則可以施加10V和100A電流至少1ms，而不會(huì)損壞MOSFET。

各式各樣的電力電子裝置在運(yùn)轉(zhuǎn)過程中都會(huì)產(chǎn)生諧波，污染電力系統(tǒng)，導(dǎo)致諧波危害越來(lái)越嚴(yán)重，成了電網(wǎng)大公害。基于此，本文探討了諧波產(chǎn)生的原因以及影響，針對(duì)當(dāng)前諧波治理措施進(jìn)行了總結(jié)。

高速和超高速ADC和數(shù)字處理的可用性不斷擴(kuò)大，使得過采樣成為寬帶和RF系統(tǒng)的實(shí)用架構(gòu)方法。半導(dǎo)體縮放在提高速度和降低成本（以美元、功耗、電路板面積等計(jì)）方面做了很多工作，使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠探索轉(zhuǎn)換和處理信號(hào)的不同途徑，無(wú)論是使用具有平坦噪聲頻譜密度的寬帶轉(zhuǎn)換器，還是使用在所需目標(biāo)頻段內(nèi)具有高動(dòng)態(tài)范圍的帶限 Σ- 轉(zhuǎn)換器。這些技術(shù)改變了設(shè)計(jì)工程師應(yīng)該考慮信號(hào)處理的方式，以及他們指定產(chǎn)品的方式。

從原理到實(shí)例：GaN為何值得期待？

? 日本電產(chǎn)理德株式會(huì)社推出了全自動(dòng)在線半導(dǎo)體檢測(cè)裝置“ NATS - 1000 ”，用于汽車級(jí)IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor :絕緣柵雙極晶體管）/SiC（Silicon Carbide：碳化硅）模塊的功能測(cè)試。 ? ? ? ? ?? ? ? 1.? 開發(fā)的背景及特征 近年來(lái)，對(duì)車用功率器件（半導(dǎo)體元件）的需求迅速增長(zhǎng)。日本電產(chǎn)理德的“NATS-1000”最初是在母公司日本電產(chǎn)株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“日本電產(chǎn)”）的集團(tuán)公司進(jìn)行自制化，從重視可追溯性的汽車廠商的角度出發(fā)，為了優(yōu)化成本、

功率器件簡(jiǎn)介 基本電源設(shè)備特性與應(yīng)用

不平衡系統(tǒng)會(huì)產(chǎn)生過度振動(dòng)，這些振動(dòng)以機(jī)械方式耦合到系統(tǒng)內(nèi)的其他組件，例如軸承、聯(lián)軸器和負(fù)載，從而可能加速處于良好運(yùn)行狀態(tài)的組件的劣化。