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壓力傳感器檢測物理壓力并將其轉(zhuǎn)換為電信號，然后以數(shù)字形式顯示壓力值。紙基電子器件由于其天然的生物降解性、優(yōu)異的柔韌性、多孔纖維結(jié)構(gòu)、重量輕以及成本低等優(yōu)勢而受到越來越多的關(guān)注。

無鉛雙鈣鈦礦具有成分環(huán)保、穩(wěn)定性好、載流子壽命長、有效質(zhì)量低、光吸收系數(shù)高、成本低等優(yōu)點。

作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的襯底材料，碳化硅單晶具有優(yōu)異的熱、電性能，在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。碳化硅襯底加工精度直接影響器件性能，因此外延應(yīng)用對碳化硅晶片表面質(zhì)量的要求極為嚴(yán)苛。碳化硅硬度高、脆性大、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，傳統(tǒng)加工方法不完全適用。受加工技術(shù)的制約，目前高表面質(zhì)量碳化硅晶片的加工效率極低。

戈登·摩爾(Gordon Moore)在他提出了“摩爾定律”[1]的開創(chuàng)性論文中預(yù)測了“清算日”的到來——“用分別封裝并相互連接的多個小功能系統(tǒng)構(gòu)建大型系統(tǒng)可能是更經(jīng)濟的?！苯裉?，我們已經(jīng)度過了那個拐點。多個裸芯的封裝集成已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)，包括主流的中央處理單元(CPU)和通用圖形處理器單元(GP-GPU)[2]。

鍵合技術(shù)是 MEMS 工藝中常用的技術(shù)之一，是指將硅片與硅片、硅片與玻璃或硅片與金屬等材料通過物理或化學(xué)反應(yīng)機制緊密結(jié)合在一起的一種工藝技術(shù)。

晶體二極管簡稱二極管，是在本征半導(dǎo)體基片上利用摻雜生成一個P區(qū)和一個N區(qū)，并在P區(qū)和N區(qū)安上電極引線，再用外殼(管殼)封裝加固后構(gòu)成的。如下圖所示，安于P區(qū)的電極稱為陽極，安于N區(qū)的電極稱為陰極。二極管的符號如下圖中的4所示。

之前金譽半導(dǎo)體有科普過由于芯片封裝結(jié)構(gòu)上的不同，從而產(chǎn)生了非常多的封裝類型，比如說QFN方形扁平無引腳封裝、BGA 球柵陣列封裝、SOP 小外形外殼裝、 PBGA 塑料焊球陣列封裝、SSOP 窄間距小外型塑封、DIP雙列直插式封裝等等。

電動車是車輪上的數(shù)據(jù)中心，具有工業(yè)規(guī)模的電動機控制（圖1），它的可行性取決于牽引逆變器和充電電路的效率。效率每提高一個百分點都能促進散熱需求降低、重量減輕、單次充電行駛里程增加和成本降低，這構(gòu)成了一個良性循環(huán)。

Chiplet可以使用更可靠和更便宜的技術(shù)制造。較小的硅片本身也不太容易產(chǎn)生制造缺陷。此外，Chiplet芯片也不需要采用同樣的工藝，不同工藝制造的Chiplet可以通過先進封裝技術(shù)集成在一起。

上周，我給大家仔細(xì)介紹了HDD硬盤、軟盤和光盤的發(fā)展史(鏈接)。