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離子注入后的快速加熱退火(RTA)工藝是快速加熱步驟 (RTP)中最常使用的一種技術(shù)。當(dāng)離子注入完成后，靠近表面的硅晶體結(jié)構(gòu)會(huì)受到高能離子的轟擊而嚴(yán)重?fù)p傷，需要高溫退火消除損傷來(lái)恢復(fù)單晶結(jié)構(gòu)并激活摻雜離子。高溫退火過(guò)程中，摻雜物原子在熱能的驅(qū)動(dòng)下快速擴(kuò)散。但在加熱退火過(guò)程中，實(shí)現(xiàn)低摻雜物原子的擴(kuò)散非常重要，因?yàn)楫?dāng)元器件尺寸縮小到深亞微米時(shí)，摻雜物原子可以擴(kuò)散的空間很小，所以精確控制熱積存非常重要。

該技術(shù)主要涵蓋四個(gè)關(guān)鍵類別：AC/DC整流器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/AC逆變器和AC/AC轉(zhuǎn)換器。工業(yè)應(yīng)用多種多樣，對(duì)分布式發(fā)電（DG）、微電網(wǎng)（MG）和智能電網(wǎng)（SG）系統(tǒng)等可持續(xù)能源發(fā)電行業(yè)至關(guān)重要。

光刻膠的組成：樹脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機(jī)械與化學(xué)性質(zhì)（如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等）；感光劑，感光劑對(duì)光能發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)；溶劑（Solvent），保持光刻膠的液體狀態(tài)，使之具有良好的流動(dòng)性；添加劑（Additive），用以改變光刻膠的某些特性，如改善光刻膠發(fā)生反射而添加染色劑等。

近幾十年來(lái)，硅芯片的尺寸一直在不斷減小，正接近其物理極限。電子產(chǎn)業(yè)一直面臨著尋找具有本征半導(dǎo)體特性的納米材料的艱巨挑戰(zhàn)。

近日，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微納光學(xué)與技術(shù)課題組王沛教授和魯擁華副教授在大量程納米位移光學(xué)感測(cè)研究方面取得重要進(jìn)展。課題組利用光學(xué)超表面（metasurface）設(shè)計(jì)了一種簡(jiǎn)捷的光場(chǎng)偏振態(tài)空間編碼，結(jié)合精巧的光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)，發(fā)展了一種大量程（百微米量級(jí)）、高靈敏（亞納米）、簡(jiǎn)捷實(shí)用的位移感測(cè)技術(shù)。

OVP（Over Voltage Protection）即過(guò)壓保護(hù)，電壓值超過(guò)一定值后，對(duì)后級(jí)電路起到了保護(hù)作用，避免因輸入電壓過(guò)大，導(dǎo)致后級(jí)電路損壞。

植入式藥物輸送（給藥）微系統(tǒng)能夠通過(guò)最大限度地提高局部藥物功效和減少潛在的副作用來(lái)滿足局部治療要求。包括食道、胃腸道和呼吸道在內(nèi)的人體內(nèi)部器官，其輪廓會(huì)出現(xiàn)不規(guī)則折疊狀，病變部位常位于彎曲或曲折的區(qū)域。目前的治療方法對(duì)這些器官進(jìn)行局部給藥的能力有限。如果將藥物噴灑到這些區(qū)域，并利用藥物粉末的粘附性和吸水性附著到病變區(qū)域，可以提供有效的治療。

芯片是我國(guó)核心科技的“卡脖子”難題，隨著芯片尺寸的逐漸降低，對(duì)材料科學(xué)和熱科學(xué)等領(lǐng)域都提出了新的挑戰(zhàn)。

固體中電子的能量分布是離散的，電子都分布在不連續(xù)的能帶(Energy Band)上，價(jià)電子所在能帶與自由電子所在能帶之間的間隙稱為禁帶寬度（Energy Gap），禁帶寬度反映了被束縛價(jià)電子要成為自由電子所必須獲得的額外能量。

高性能單層二硫化鉬晶體管的實(shí)現(xiàn)讓科研界看到了二維半導(dǎo)體的潛力，二維半導(dǎo)體材料的發(fā)展讓我們看到了晶體管縱向尺寸下目前的縮放極限（< 1 nm），同樣的科學(xué)家們也沒有停止追尋二維半導(dǎo)體晶體管橫向尺寸的極限（也就是晶體管溝道長(zhǎng)度的縮放極限）。