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如果需要其他功能，例如可調(diào)輸出電壓或可調(diào)軟啟動時間，則會增加無源元件的數(shù)量，從而增加整體解決方案的空間要求。圖 1中的電路是一個開關(guān)型降壓轉(zhuǎn)換器示例，所需的無源元件數(shù)量最少。

在半導(dǎo)體濕法蝕刻中， 熱磷酸廣泛地用于對氮化硅的去除工藝， 實踐中發(fā)現(xiàn)溫下磷酸對氮化硅蝕刻率很難控制。 從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發(fā)， 我們?nèi)A林科納分析了影響蝕刻率的各個因素， 并通過實驗分析了各個因素對蝕刻率的具體影響。 根據(jù)目前廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)中的技術(shù)， 介紹了如何對相關(guān)因素進行控制調(diào)節(jié)， 為得到穩(wěn)定的熱磷酸蝕刻率提供了方向。

涂布后，所得抗蝕劑膜將含有 20-40% 重量的溶劑。后應(yīng)用烘烤過程，也稱為軟烘烤或預(yù)烘烤，包括在旋涂后通過去除多余的溶劑來干燥光刻膠。減少溶劑含量的主要原因是為了穩(wěn)定抗蝕劑膜。在室溫下，未烘烤的光刻膠薄膜會通過蒸發(fā)失去溶劑，從而隨時間改變薄膜的性能。通過烘烤抗蝕劑，大部分溶劑被去除，膜在室溫下變得穩(wěn)定。從光刻膠薄膜中去除溶劑有四個主要效果：(1) 薄膜厚度減小，(2) 曝光后烘烤和顯影性能改變，(3) 附著力提高，以及 (4) 薄膜變得不那么發(fā)粘因而不易受到微粒污染。

該研究為柔性熱電技術(shù)提供了全新的解決方案，能將人體或環(huán)境熱量快速有效地轉(zhuǎn)換成電能，具有穩(wěn)定可靠、長壽命、超薄、可彎曲、全天候工作等優(yōu)點，有望為柔性電子提供高效的自供電技術(shù)。

氣體傳感器是氣體檢測系統(tǒng)的核心，通常安裝在探測頭內(nèi)。從本質(zhì)上講，氣體傳感器是一種將某種氣體體積分數(shù)轉(zhuǎn)化成對應(yīng)電信號的轉(zhuǎn)換器。探測頭通過氣體傳感器對氣體樣品進行調(diào)理，通常包括濾除雜質(zhì)和干擾氣體、干燥或制冷處理、樣品抽吸，甚至對樣品進行化學處理，以便化學傳感器進行更快速的測量。

是通過加熱蒸散后形成膜進行吸氣。非蒸散型吸氣材料是激活后形狀不變，常溫下即可與活性氣體形成穩(wěn)定化合物進行吸氣。蒸散型吸氣材料工作時會帶來蒸散的金屬原子，造成極間漏電等影響電真空器件的正常工作。使其在某些電真空器件 中的應(yīng)用受到了限制。

盡管存在從流變學角度描述旋涂工藝的理論，但實際上光刻膠厚度和均勻性隨工藝參數(shù)的變化必須通過實驗來確定。光刻膠旋轉(zhuǎn)速度曲線（圖 1-3）是設(shè)置旋轉(zhuǎn)速度以獲得所需抗蝕劑厚度的重要工具。最終抗蝕劑厚度在旋轉(zhuǎn)速度的平方根上變化，大致與液體光致抗蝕劑的粘度成正比。

集成電路(IC)的制造需要在半導(dǎo)體(例如，硅)襯底上執(zhí)行的各種物理和化學過程。通常，用于制造 IC 的各種工藝分為三類：薄膜沉積、圖案化和半導(dǎo)體摻雜。導(dǎo)體（例如多晶硅、鋁和最近的銅）和絕緣體（各種形式的二氧化硅、氮化硅等）的薄膜用于連接和隔離晶體管及其組件。硅的各個區(qū)域的選擇性摻雜允許硅的導(dǎo)電性隨著電壓的施加而改變。通過創(chuàng)建這些不同組件的結(jié)構(gòu)，可以構(gòu)建數(shù)百萬個晶體管并將其連接在一起以形成現(xiàn)代微電子設(shè)備的復(fù)雜電路。

Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論（NEGF - DFT）的第一性原理計算軟件，主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運過程，是目前國內(nèi)擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的基于第一性原理的輸運軟件?？深A(yù)測材料的電流 - 電壓特性、電子透射幾率等眾多輸運性質(zhì)。

雙向觸發(fā)二極管，簡稱DIAC，是一個重要的半導(dǎo)體器件。它與晶體管非常相似，因此更嚴格地稱為晶體管而不是晶閘管。然而，DIAC在三端雙向可控硅(TRIAC)觸發(fā)和其他基于晶閘管的電路中具有重要作用。此外，多個門極觸發(fā)電路使用該器件來實現(xiàn)更高的觸發(fā)穩(wěn)定性和抗噪性。