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如今，以GaN和SiC為代表的第三代半導體技術風頭正勁。與傳統的半導體材料相比，GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子遷移率高、熱導電率大、介電常數小、抗輻射能力強……因此可實現更高的功率密度、更高的電壓驅動能力、更快的開關頻率、更高的效率、更佳的熱性能、更小的尺寸，在高溫、高頻、高功率、高輻射等功率電子應用領域，不斷在向傳統的硅基IGBT和MOSFET器件發(fā)起強勁的沖擊。

電動汽車的迅速普及加速了電池技術的創(chuàng)新，其中包括電池管理半導體。其中一個重要方面是集成，集成可帶來簡化設計、提高安全性和性能等優(yōu)勢。該領域的新進展將有助于最大限度地發(fā)揮電動汽車電池的潛力，同時又不會損害電池的健康和安全。

國家“芯火”深圳雙創(chuàng)基地(平臺)(簡稱深圳“芯火”平臺)是國家工信部重點部署推進，微納研究院與深圳IC基地共建的全國首批國家“芯火”平臺。深圳“芯火”平臺聚焦集成電路設計產業(yè)，定位國產自主創(chuàng)新和雙創(chuàng)生態(tài)建設，建立“芯片-軟件-整機-系統-信息服務”的產業(yè)生態(tài)體系，促進產、學、研、用優(yōu)質資源高效集成。采用采購、聯合、合作、自研等多種方式搭建“基礎服務+技術研發(fā)+創(chuàng)新孵化”的產業(yè)服務體系，是華南地區(qū)唯一一家國家級集成電路公共技術服務及創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)平臺。

仔細看會發(fā)現這些三極管從外觀上看很像常見到的鋁電解電容，如果不是上面印制器件型號很難把它們與通常具有三個管腳的晶體三極管聯系起來。

摘要 本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進行，例如在大約23丁和 大約200V之間或者在大約100°CTo然后可以致密該碳化硅層以去除氫含量。此外，碳化硅層可以暴露于氮源以提供活性氮-氫基團，然后可以使用其它方法堡續(xù)沉積薄膜。等離子體處理條件可用于調節(jié)薄膜的碳、氫或氮含量。文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁

關鍵詞:超臨界清洗，離子注入光刻膠，光刻膠剝離 摘要 本文提出了一種有效的、環(huán)保的干剝離方法，使用超臨界二氧化碳(SCCO2)系統，在40℃到100℃和壓力從90巴到340巴時去除離子植入的光刻劑和殘留物。高劑量離子注入后，使用純scco2不容易去除光刻膠。因此，加入極性溶劑作為高溶于scco2的共溶劑，以去除重有機物（光刻膠和光刻膠殘留物）。單一共溶劑修飾的scco2體系不能有效去除，而是膨脹重有機物。而經多種共溶劑修飾的scco2體系對離子植入光刻

電子發(fā)燒友網報道(文/李寧遠)隔離器件的使用在現今的半導體設備中越來越普遍了，既是為了滿足安全法規(guī)，也為了提高芯片的整體性能。就放大器這一類別來說，傳統的隔離技術大多基于光耦合器和分流調節(jié)器，而現在一般采用隔離放大器實現器件的內部隔離。

摘要 本文從晶體生長科學的角度回顧了單晶的濕化學蝕刻。起點是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動力學是由粗糙面上不存在的成核勢壘控制的。因此后者蝕刻速度更快數量級。對金剛石晶體結構的分析表明，晶面是該晶格中唯一光滑的面，其他面可能只是因為表面重建而是光滑的。通過這種方式，我們解釋了在001方向上KOH：H20中的最小值。實驗對HF：HN03溶液中接近001的最小蝕刻率的形狀和從各向同異性向各向異性蝕刻的過渡進行了兩個關鍵預測。

摘要 我們華林科納對h2so4-h202-h20體系中（100）砷化鎵的蝕刻情況進行了詳細的研究。研究了特定蝕刻劑成分的濃度對蝕刻速率和晶體表面形狀的影響。從這些結果中，蝕刻浴組成的吉布斯三角形被劃分為與晶體表面的不同狀態(tài)和各種蝕刻機制相對應的部分。蝕刻后的晶體表面的形狀與同一溶液中沿同一方向蝕刻的凹槽的輪廓密切相關。 介紹 本文研究（100）砷化鎵在硫酸、過氧化氫和水溶液中的化學蝕刻具有重要的技術和科學意義。該解決方案通常用于

電子發(fā)燒友網報道(文/李寧遠)大至功率變換器，小至內存、CPU等各類電子設備核心元件，哪里都少不了MOSFET的應用。MOSFET作為一種半導體器件，既能夠實現電路的通，又能夠實現電路的斷。而半導體器件需要解決的困難，說到底也不太麻煩，那就是降低損耗以此實現更高效率的電氣轉換。因此合適的功率器件往往能給整個系統帶來更可靠的性能，對于電機系統來說也是如此。