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熱電阻是中低溫區(qū)最常用的一種溫度檢測(cè)器。它的主要特點(diǎn)是測(cè)量精度高，性能穩(wěn)定。其中鉑熱是阻的測(cè)量精確度是最高的，它不僅廣泛應(yīng)用于工業(yè)測(cè)溫，而且被制成標(biāo)準(zhǔn)的基準(zhǔn)儀。熱電阻是基于電阻的熱效應(yīng)進(jìn)行溫度測(cè)量的，即電阻體的阻值隨溫度的變化而變化的特性。

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向汽車和工業(yè)設(shè)備等電子電路設(shè)計(jì)者和系統(tǒng)設(shè)計(jì)者，在ROHM官網(wǎng)上公開了一款在線仿真工具“ROHM Solution Simulator”，利用該仿真工具可以在電路解決方案上一并驗(yàn)證功率元器件(功率半導(dǎo)體)和驅(qū)動(dòng)IC等，此次又在該工具中新增了熱分析功能。

本文概述了氧化鋅的基本性質(zhì)，包括晶體結(jié)構(gòu)、能帶結(jié)構(gòu)和熱性質(zhì)，并介紹了其應(yīng)用前景、氧化鋅塊體、薄膜和納米結(jié)構(gòu)，氧化鋅的機(jī)械性質(zhì)、基本電子和光學(xué)性質(zhì)以及潛在的應(yīng)用。 晶體結(jié)構(gòu) 在環(huán)境壓力和溫度下，氧化鋅在纖鋅礦(B4型)結(jié)構(gòu)中結(jié)晶，如圖1.1所示。這是一個(gè)六邊形晶格，屬于空間群P63mc，其特征在于Zn2+和O2的兩個(gè)互連子晶格，使得每個(gè)鋅離子被氧離子的四面體包圍，反之亦然。 這種四面體配位導(dǎo)致沿六邊形軸的極性對(duì)稱。這種極性決定了

引言 硅(Si)在半導(dǎo)體器件制造中的大多數(shù)技術(shù)應(yīng)用都是基于這種材料的特定界面性能。二氧化硅（二氧化硅）可以通過(guò)簡(jiǎn)單的氧化方法在硅表面制備，其特點(diǎn)是高化學(xué)和電穩(wěn)定性。晶體硅在光伏應(yīng)用占主導(dǎo)地位，全球近90%的太陽(yáng)能電池生產(chǎn)是基于多晶和單晶基質(zhì)。發(fā)展具有經(jīng)濟(jì)吸引力的太陽(yáng)能電池的先決條件是減少材料消耗、簡(jiǎn)化技術(shù)工藝和進(jìn)一步提高能源轉(zhuǎn)換效率。本文報(bào)道了利用傳統(tǒng)和新開發(fā)的濕化學(xué)方法獲得的硅基底與紋理表面的形態(tài)、光學(xué)和電

硅表面常用的HF-HNO3-H2O蝕刻混合物的反應(yīng)行為因?yàn)榱蛩峒尤攵艿斤@著影響。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的最大蝕刻速率為4000–5000 NMS-1，w (40%-HF)/w (65%-HNO3)比為2比4，w (97%-H2SO4)0.3.對(duì)于較高濃度的硫酸，H2SO4可視為稀釋劑。為了研究硫酸在恒定HF和硝酸量下的影響，使用發(fā)煙硝酸(100%)，并且混合物中的水依次被H2SO4代替。發(fā)現(xiàn)硫酸濃度約為6mol·L-1時(shí)，蝕刻速率突然增加，這與蝕刻溶液的特征顏色有關(guān)。大于7mol·L-1 h2so 4時(shí)反應(yīng)速率降低是由于高溶液粘度和

引言 用電化學(xué)和原子力顯微鏡方法對(duì)有機(jī)酸與銅的相互作用進(jìn)行了表征可以建立用于濕銅加工的高效清洗公式。本文研究了單有機(jī)酸、二有機(jī)酸和三有機(jī)酸中銅的蝕刻速率和氧化機(jī)理。除了草酸的鈍化性能外，其他銅的電化學(xué)行為都觀察出類似的電化行為。有機(jī)酸與稀釋的氫氟酸的相互作用，顯著降低了銅的溶解速率。 實(shí)驗(yàn) 電化學(xué)分析：實(shí)驗(yàn)在石英晶體鉑電極上450nm電化學(xué)沉積的銅膜上進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。銅表面約為0.2cm2，在三個(gè)電極電化學(xué)電池中作為工作

引言 高效太陽(yáng)能電池需要對(duì)硅片的正面和背面進(jìn)行單獨(dú)處理。在現(xiàn)有技術(shù)中，電池的兩面都被紋理化，導(dǎo)致表面相當(dāng)粗糙，這對(duì)背面是不利的。因此，在紋理化后直接引入在線單面拋光步驟。隨后，使用雙面擴(kuò)散工藝來(lái)構(gòu)造發(fā)射器。為了避免太陽(yáng)能電池的前側(cè)和后側(cè)之間的短路，后側(cè)上的發(fā)射器在進(jìn)一步的濕化學(xué)工藝步驟中被移除。所以總共有兩個(gè)單面濕化學(xué)過(guò)程，一個(gè)在擴(kuò)散過(guò)程之前，一個(gè)在擴(kuò)散過(guò)程之后。在降低成本方面，我們打算將這兩個(gè)過(guò)程合

引言 原子平面的制備是半導(dǎo)體基板上原子尺度操作的必要前提。由于自組裝現(xiàn)象或使用原子探針技術(shù)操縱單個(gè)原子，只有原子平面的表面才能產(chǎn)生可重復(fù)制造納米級(jí)原子結(jié)構(gòu)的機(jī)會(huì)。原子平坦的表面也應(yīng)該是原子清潔的，因?yàn)檠趸锖臀廴緯?huì)引響原子尺度的粗糙度。原子平坦和清潔的表面也需要許多在微和光電子的應(yīng)用。 實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)是在砷化鎵外延層上進(jìn)行的，以避免結(jié)構(gòu)缺陷的可能影響，這些缺陷存在于由機(jī)械和化學(xué)機(jī)械拋光制備的商業(yè)基底的表面附

引言 晶體硅光伏效率和場(chǎng)退化領(lǐng)域的技術(shù)差距/需求已經(jīng)被確定。效率低下和快速退化的原因可能有共同的根源。極少量的污染會(huì)導(dǎo)致光伏效率低下，并且在現(xiàn)場(chǎng)安裝后暴露在陽(yáng)光下時(shí)容易進(jìn)一步降低效率。在最近的試驗(yàn)中，我們進(jìn)行了同類最佳的清洗，將隱含的開路電壓提高了3%。在批量和在線濕法清洗工具的分批生產(chǎn)試驗(yàn)中，紋理化后蝕刻導(dǎo)致多晶硅晶片上的單元效率絕對(duì)提高0.3%。 實(shí)驗(yàn) 光伏晶體應(yīng)用清潔化學(xué)的目標(biāo)是消除晶體襯底材料加工過(guò)程中產(chǎn)

引言 人們對(duì)用于器件應(yīng)用的碳化硅(SiC)重新產(chǎn)生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)，可以作為第三族氮化物外延生長(zhǎng)的襯底。在許多應(yīng)用領(lǐng)域，例如與航空航天、汽車和石油工業(yè)相關(guān)的領(lǐng)域，需要能夠在高功率水平、高溫、高頻和惡劣環(huán)境下工作的電子設(shè)備。硅(Si)不能滿足這些要求；碳化硅可以。此外，由于其典型的化學(xué)和機(jī)械性能，碳化硅與硅結(jié)合，在傳感器和微機(jī)電系統(tǒng)(微機(jī)電系統(tǒng))中得到更廣泛的應(yīng)用。 對(duì)于陽(yáng)極蝕刻，避免形成