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在半導(dǎo)體制造中，薄膜的沉積和生長是關(guān)鍵步驟。薄膜的厚度需要精確控制，因為厚度偏差會導(dǎo)致不同的電氣特性。傳統(tǒng)的厚度測量依賴于模擬預(yù)測或后處理設(shè)備，無法實時監(jiān)測沉積過程中的厚度變化，可能導(dǎo)致工藝偏差和良率下降。為此，研究團隊開發(fā)了一種基于激光反射率的光學(xué)傳感器，能夠在真空環(huán)境下實時測量氧化膜（SiO?）、氮化膜（Si?N?）和多晶硅（p-Si）的厚度。FlexF

在現(xiàn)代半導(dǎo)體和顯示面板制造中，薄膜厚度的精確測量是確保產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。傳統(tǒng)方法如掃描電子顯微鏡（SEM）雖可靠，但無法用于在線檢測；橢圓偏振儀和光譜反射法（SR）雖能無損測量，卻受限于計算效率與精度的矛盾。近期，研究人員提出了一種創(chuàng)新方法——直接相位提取技術(shù)，成功打破了這一技術(shù)瓶頸。FlexFilm單點膜厚儀結(jié)合相位提取技術(shù)通過將復(fù)雜的非線性方程轉(zhuǎn)化為線

在半導(dǎo)體芯片制造過程中，臺階結(jié)構(gòu)的精確測量至關(guān)重要，通常采用白光干涉儀或步進儀等非接觸式測量設(shè)備進行監(jiān)控。然而，SiO?/Si臺階高度標準在測量中存在的問題顯著影響了測量精度。傳統(tǒng)標準的上表面（SiO?）和下表面（Si）的折射率（n）和消光系數(shù)（k）差異導(dǎo)致了反射光的干涉相消現(xiàn)象，進而影響白光干涉儀的測量結(jié)果。為解決這一問題，本研究結(jié)合半導(dǎo)體濺射工藝，提出在

在半導(dǎo)體和顯示器件制造中，薄膜與基底的厚度精度直接影響器件性能?，F(xiàn)有的測量技術(shù)包括光譜橢偏儀（SE）和光譜反射儀（SR）用于薄膜厚度的測量，以及低相干干涉法（LCI）、彩色共焦顯微鏡（CCM）和光譜域干涉法（SDI）用于基板厚度的測量。本研究提出SR-SDI集成光學(xué)系統(tǒng)，通過可見光反射譜與近紅外干涉譜的協(xié)同處理，實現(xiàn)跨尺度同步厚度測量，并開發(fā)模型化干涉分析算

Flexfilm專注于電阻/方阻及薄膜電阻檢測領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)與技術(shù)突破，致力于為全球集成電路和光伏產(chǎn)業(yè)提供高精度、高效率的量檢測解決方案。公司以核心技術(shù)為驅(qū)動，深耕半導(dǎo)體量測裝備及光伏電池電阻檢測系統(tǒng)的研發(fā)。在半導(dǎo)體以及光伏器件制造中，接觸電阻的精確測量是優(yōu)化器件性能的關(guān)鍵。本文結(jié)合專業(yè)文獻深入解析接觸電阻的測量原理及TLM技術(shù)，并通過實例演示如何計算關(guān)鍵參

在半導(dǎo)體行業(yè)中，硅基光電子技術(shù)是實現(xiàn)光互聯(lián)、突破集成電路電互聯(lián)瓶頸的關(guān)鍵，而在硅si襯底上外延生長高質(zhì)量GaAs薄膜是硅基光源單片集成的核心。臺階儀作為重要的表征工具，在GaAs/Si異質(zhì)外延研究中，通過對樣品表面粗糙度的測試，為優(yōu)化生長工藝、提升薄膜質(zhì)量提供了關(guān)鍵數(shù)據(jù)支撐，對探究外延片生長規(guī)律具有重要意義。1實驗方法flexfilm本研究中使用臺階儀通過接

老化測試箱chamber是半導(dǎo)體行業(yè)用于加速評估器件可靠性和壽命的關(guān)鍵設(shè)備，通過模擬嚴苛環(huán)境條件（如高溫、高濕、高壓、紫外輻射等），預(yù)測產(chǎn)品在實際使用中的性能變化。一、老化測試箱chamber定義與核心功能其核心功能包括：高溫老化測試：溫度范圍通常為室溫至150°C（高壓型號可達147°C），模擬長期高溫工作環(huán)境。高濕環(huán)境模擬：濕度控制，部分設(shè)備支持飽和蒸汽

透明薄膜在光學(xué)器件、微電子封裝及光電子領(lǐng)域中具有關(guān)鍵作用，其厚度均勻性直接影響產(chǎn)品性能。然而，工業(yè)級微米級薄膜的快速測量面臨挑戰(zhàn)：傳統(tǒng)干涉法設(shè)備龐大、成本高，分光光度法易受噪聲干擾且依賴校準樣品。本文本文基于FlexFilm單點膜厚儀的光學(xué)干涉技術(shù)框架，提出一種基于共焦光譜成像與薄膜干涉原理的微型化測量系統(tǒng)，結(jié)合相位功率譜（PPS）算法，實現(xiàn)了無需校準的高效

過渡金屬二硫族化合物（TMDs）因其獨特的激子效應(yīng)、高折射率和顯著的光學(xué)各向異性，在納米光子學(xué)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力。本研究采用Flexfilm全光譜橢偏儀結(jié)合機械剝離技術(shù)，系統(tǒng)測量了多種多層TMD薄膜材料的光學(xué)常數(shù)。研究表明，半導(dǎo)體性TMD（如MoTe?）表現(xiàn)出極高的折射率（n∥≈4.84）和強雙折射（Δn≈1.54），而金屬性TMD（如TaS?）在近紅外波段

隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和人工智能(AI)驅(qū)動的半導(dǎo)體器件微型化，對多層膜結(jié)構(gòu)的三維無損檢測需求急劇增長。傳統(tǒng)橢偏儀僅支持逐點膜厚測量，而白光干涉法等技術(shù)難以分離透明薄膜的多層反射信號。本文提出一種單次曝光光譜分辨干涉測量法，通過偏振編碼與光譜分析結(jié)合，首次實現(xiàn)多層膜厚度與3D表面輪廓的同步實時測量。并使用Flexfilm探針式臺階儀對新方法的檢測精度進行驗證。