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半導(dǎo)體是一種介于導(dǎo)體和絕緣體之間的導(dǎo)電性，半導(dǎo)體通過(guò)參雜可以使得能夠精確地控制電流的流動(dòng)。通過(guò)基于晶圓的光刻、刻蝕和沉積工藝，我們可以構(gòu)建出各種元件，如晶體管。然而，僅有元件還不足以完成電路，我們還需要將它們連接起來(lái)。

Intersil ICL7660 和 ICL7660A 是單片互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）電源電路，與以前可用的器件相比，具有獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)。ICL7660 在 +1.5V 至 +10.0V 輸入范圍內(nèi)執(zhí)行從正到負(fù)的電源電壓轉(zhuǎn)換，可產(chǎn)生 -1.5V 至 -10.0V 的互補(bǔ)輸出電壓，而ICL7660A 在 +1.5V 至 +12.0V 的輸入范圍內(nèi)執(zhí)行相同的轉(zhuǎn)換，可產(chǎn)生 -1.5V 至 -12.0V 的互補(bǔ)輸出電壓。 只需 2個(gè)非關(guān)鍵外部電容器即可實(shí)現(xiàn)電荷泵和電荷儲(chǔ)存器功能。 ICL7660 和 ICL7660A 也可以連接為電壓倍增器，在 +10V 輸入下產(chǎn)生高達(dá) +18.6V的

二氧化硅是芯片制造中最基礎(chǔ)且關(guān)鍵的絕緣材料。本文介紹其常見(jiàn)沉積方法與應(yīng)用場(chǎng)景，解析SiO?在柵極氧化、側(cè)墻注入、STI隔離等核心工藝中的重要作用。

金鋁效應(yīng)是集成電路封裝中常見(jiàn)的失效問(wèn)題，嚴(yán)重影響器件的可靠性。本文系統(tǒng)解析其成因、表現(xiàn)與演化機(jī)制，并結(jié)合實(shí)驗(yàn)與仿真提出多種應(yīng)對(duì)措施，為提升鍵合可靠性提供參考。

芯片封裝是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，承擔(dān)著為芯片提供物理保護(hù)、電氣互連和散熱的功能，這其中的鍵合技術(shù)（Bonding）就是將晶圓芯片固定于基板上。

本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開(kāi)介紹，重點(diǎn)解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)，并結(jié)合不同工藝條件對(duì)材料性能的影響，幫助讀者深入理解硅材料在先進(jìn)微納制造中的應(yīng)用與工藝演進(jìn)路徑。

在先進(jìn)制程遭遇微縮瓶頸的背景下，先進(jìn)封裝朝著 3D 異質(zhì)整合方向發(fā)展，成為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵路徑。3D 先進(jìn)封裝技術(shù)作為未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)，使芯片串聯(lián)數(shù)量大幅增加。

隨著智能設(shè)備的普及，電子設(shè)備也朝著小型化、高性能和可靠性方向發(fā)展。摩爾定律趨緩背景下，封裝技術(shù)成為提升性能的關(guān)鍵路徑。從傳統(tǒng)的TO封裝到先進(jìn)封裝，MOS管的封裝技術(shù)經(jīng)歷了許多變革，從而間接地影響到了智能應(yīng)用的表現(xiàn)。合科泰將帶您深入探討MOS管封裝技術(shù)的演變。

隨著新能源汽車、5G、AI等新型應(yīng)用領(lǐng)域爆發(fā)，MOS管在電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景需求也隨之激增，國(guó)產(chǎn)替代加速，對(duì)MOS管的工藝和性能提出了更高的要求。作為重要的分立元器件之一，如此微小而精密的電子元器件是如何生產(chǎn)的呢?其中又涉及到哪些高科技工藝?今天合科泰帶您進(jìn)入MOS管的微觀世界。

我們提出了一種無(wú)模式跳變（mode-hop-free）的外腔激光器（ECL）設(shè)計(jì)，該設(shè)計(jì)結(jié)合了半導(dǎo)體增益芯片和具有增強(qiáng)熱靈敏度的光纖布拉格光柵（FBG）。這種緊湊型ECL實(shí)現(xiàn)了35 kHz的窄線寬，以及65 pm/℃（8.125 GHz/℃）的高線性熱調(diào)諧速率，其熱調(diào)諧速率比常規(guī)FBG基外腔激光器提高了六倍。