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荷蘭奈梅亨 – 2019年5月8日 – 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）現(xiàn)在宣布基于其成熟的第9代高壓LDMOS工藝技術(shù)派生出高級(jí)加固技術(shù)（Advanced Rugged Technology，ART），并借此開(kāi)發(fā)出新系列射頻功率器件中的首款產(chǎn)品。這個(gè)新工藝的開(kāi)發(fā)旨在用于實(shí)現(xiàn)極其堅(jiān)固的、工作電壓高達(dá)65V的晶體管。

很多工程師提問(wèn)關(guān)于氮化鎵(GaN)及碳化硅(SiC)的異同。GaN和SiC都是寬帶隙半導(dǎo)體，因此可以在更小、更快的器件中處理比硅更多的功率。GaN的一個(gè)額外優(yōu)點(diǎn)是可以在器件表面產(chǎn)生二維電子氣(2DEG)。

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的收緊和政府法規(guī)的改變是使產(chǎn)品能效更高的關(guān)鍵推動(dòng)因素。例如，數(shù)據(jù)中心正在成倍增長(zhǎng)以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(yīng)(400千瓦時(shí))的3%，占溫室氣體排放總量的2%。航空業(yè)的碳排放量也一樣。隨著對(duì)能源的巨大需求，各國(guó)政府正在采取更嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)和新的監(jiān)管措施，以確保所有依賴能源的產(chǎn)品都需具有最高能效。

功率器件受下游新能源汽車、變頻家電、軍工產(chǎn)品等市場(chǎng)領(lǐng)域需求爆發(fā)的影響，上游晶圓供不應(yīng)求，供給緊張，功率器件持續(xù)缺貨，廠商已經(jīng)數(shù)次提價(jià)，交貨期仍在延長(zhǎng)，目前MOS、IGBT等功率器件仍在漲價(jià)。

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，2018年全球?qū)?huì)有超過(guò)20家的汽車業(yè)者，在OBC中使用SiC肖特基二極體(Schottky Diodes)或SiC MOSFET；未來(lái)SiC功率半導(dǎo)體在OBC市場(chǎng)中有望以CAGR 44%的速度成長(zhǎng)至2023年。麥姆斯繼續(xù)指出，未來(lái)將有愈來(lái)愈多的汽車制造商會(huì)在主逆變器中采用SiC功率半導(dǎo)體，特別是中國(guó)車商，近幾年更是紛紛考慮使用SiC功率元件，因此，2017~2023年，SiC功率元件在主逆變器市場(chǎng)的CAGR，更可能高達(dá)108%。這就推動(dòng)市場(chǎng)的爆發(fā)性進(jìn)展。

現(xiàn)代電子技術(shù)偏愛(ài)高壓，轉(zhuǎn)向?qū)捊麕О雽?dǎo)體的高壓系統(tǒng)，是因?yàn)椋菏紫龋邏阂馕吨碗娏?，這也意味著系統(tǒng)所用的銅總量會(huì)減少，結(jié)果會(huì)直接影響到系統(tǒng)成本的降低；其次，寬禁帶技術(shù)(通過(guò)高壓實(shí)現(xiàn))的阻性損耗減少，結(jié)果意味著更高的效率，還能減小冷卻系統(tǒng)的尺寸，降低其必要性；最后，在子系統(tǒng)層次，它們使工程師可以從基于基板功率模塊的設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)向分立式設(shè)計(jì)或基于功率模塊的輕型設(shè)計(jì)。這也就是說(shuō)要采用兼容型PCB和較小的電線，而不是采用匯流條和較重的電線。

CoolGaN是英飛凌GaN增強(qiáng)模式高電子遷移率晶體管（E-HEMT）系列產(chǎn)品。最近該公司推出了兩款進(jìn)入量產(chǎn)的產(chǎn)品——CoolGaN 600 V增強(qiáng)型HEMT和GaN開(kāi)關(guān)管專用驅(qū)動(dòng)IC GaN EiceDRIVER。籍此我們梳理了一下GaN功率器件在全球市場(chǎng)、產(chǎn)品應(yīng)用和技術(shù)特性方面的信息，以及英飛凌相關(guān)業(yè)務(wù)和此次量產(chǎn)產(chǎn)品的細(xì)節(jié)。

碳化硅概念股有哪些？碳化硅國(guó)內(nèi)企業(yè)有哪些？國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)盤點(diǎn)分析：英飛凌以1.39億美元收購(gòu)初創(chuàng)企業(yè)Siltectra，獲得后者創(chuàng)新技術(shù)ColdSpilt以用于碳化硅晶圓的切割上，進(jìn)一步加碼碳化硅市場(chǎng)，X—Fab、日本羅姆等企業(yè)早些時(shí)候也相繼宣布將擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能，碳化硅產(chǎn)業(yè)海外重要玩家已開(kāi)始備戰(zhàn)。從產(chǎn)業(yè)鏈角度看，碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設(shè)計(jì)、器件制造等環(huán)節(jié)，但目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被在國(guó)外企業(yè)所壟斷。

由于以前器件的存在，多是分離式器件(discrete device)或模塊(module)形式，而不是更習(xí)見(jiàn)的集成電路封裝；其生產(chǎn)工廠多為傳統(tǒng)的6吋廠、8吋廠，而使用制程最多止于0.13/0.11微米，因此比較少接受到關(guān)注。

由于PC和智能手機(jī)的流行，英特爾、高通和三星等廠商不遺余力的普及，我們都知道了國(guó)內(nèi)在這些數(shù)字芯片上與國(guó)際先進(jìn)水平有不小的差距。但其實(shí)除了這些數(shù)字芯片外，我們?cè)谀M芯片上面與國(guó)際領(lǐng)先廠商的差距更加明顯。