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英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出第二代嵌入式功率器件（ePower）。全新TLE983x片上系統(tǒng)（SoC）產(chǎn)品系列將一顆功能強(qiáng)大的8位單片機(jī)與LIN收發(fā)器及相關(guān)外設(shè)集成到一顆芯片上，以滿(mǎn)足對(duì)空間和成本都很敏感的車(chē)身應(yīng)用的需求。這款新器件經(jīng)專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)，以適用于各式各樣的LIN伺服電機(jī)控制應(yīng)用，包括：車(chē)窗升降、雨刷、天窗、電動(dòng)座椅和風(fēng)扇/鼓風(fēng)機(jī)控制等。封裝小巧和外接元件數(shù)量少是此類(lèi)應(yīng)用對(duì)芯片的基本要求。該器件也可用于空間有限的LIN伺服應(yīng)用，譬如鍵盤(pán)接口和配電板接口等。

6月26日至28日，PCIM亞洲展于上海世博展覽館舉行。三菱電機(jī)半導(dǎo)體大中國(guó)區(qū)攜多款代表業(yè)界流行趨勢(shì)的功率器件產(chǎn)品（IGBT、IPM、DIPIPM、HVIGBT和EV-PM等）及相關(guān)解決方案在展會(huì)上亮相。27日下午，三菱電機(jī)于上海東錦江希爾頓逸林酒店召開(kāi)媒體發(fā)布會(huì)，三菱電機(jī)半導(dǎo)體首席技術(shù)官Dr.Gourab Majumdar在會(huì)上分享了三菱電機(jī)對(duì)功率元器件的理解以及新產(chǎn)品介紹，大中國(guó)區(qū)三菱電機(jī)半導(dǎo)體總經(jīng)理楠·真一、大中國(guó)區(qū)三菱電機(jī)半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)宋高升、大中國(guó)區(qū)三菱電機(jī)半導(dǎo)體市場(chǎng)總監(jiān)錢(qián)宇峰、三菱電機(jī)敏捷功率半導(dǎo)體（合肥）有限公司技術(shù)服務(wù)中心總監(jiān)商明、大中國(guó)區(qū)三菱電機(jī)半導(dǎo)體公關(guān)宣傳主管閔麗豪出席發(fā)布會(huì)并解答媒體提問(wèn)。

功率半導(dǎo)體器件種類(lèi)眾多。 功率半導(dǎo)體根據(jù)載流子類(lèi)型可分為雙極型與單極型功率半導(dǎo)體。雙極型功率半導(dǎo)體包括功率二極管、雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor，BJT）、電力晶體管（Giant Transistor， GTR）、晶閘管、 絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT）等，單極型功率半導(dǎo)體包括功率 MOSFET、肖特基勢(shì)壘功率二極管等。

據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)，2018年，國(guó)際上有20多家汽車(chē)廠商已經(jīng)在車(chē)載充電機(jī)（OBC）中使用SiC SBD 或SiC MOSFET。此外，特斯拉Model 3的逆變器采用了意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的全SiC功率模塊，該功率模塊包含兩個(gè)采用創(chuàng)新的芯片貼裝解決方案的SiC MOSFET，并通過(guò)銅基板實(shí)現(xiàn)散熱。不僅是特斯拉，幾乎所有汽車(chē)制造商，特別是中國(guó)企業(yè)，都計(jì)劃于未來(lái)幾年在主逆變器中應(yīng)用SiC功率器件。

上海積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目土地成功摘牌，并簽訂了土地出讓合同，這為項(xiàng)目的順利開(kāi)工奠定了基礎(chǔ)。

017年，英飛凌營(yíng)收70.63億歐元（約82億美元），意法半導(dǎo)體營(yíng)收83億美元。二者若合并則將誕生165億美元的半導(dǎo)體巨頭，超越博通，成為全球第六大半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司。

“所有功率器件都在漲價(jià)，其中電容領(lǐng)漲，MOSFET、IGBT、二極管等都在持續(xù)跟進(jìn)漲價(jià)潮?！睒I(yè)內(nèi)人士表示，自去年以來(lái)，電容漲幅超過(guò)十幾倍，MOS、IGBT整體漲幅超過(guò)40%，未來(lái)很長(zhǎng)一段時(shí)間功率器件漲價(jià)依舊堅(jiān)挺。

隨著汽車(chē)功能電子化趨勢(shì)的不斷增強(qiáng)，汽車(chē)內(nèi)的電子元件越來(lái)越多，應(yīng)用環(huán)境日益嚴(yán)苛，汽車(chē)設(shè)計(jì)工程師需要考慮空間和性能等多方面因素，功率MOSFET是提供低功耗和更小尺寸的理想器件，被廣泛用于許多汽車(chē)應(yīng)用，如防抱死制動(dòng)系統(tǒng)(ABS)的油壓閥控制、電動(dòng)窗和LED照明的電機(jī)控制、氣囊、暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)、動(dòng)力總成應(yīng)用、電子動(dòng)力轉(zhuǎn)向和信息娛樂(lè)系統(tǒng)等等。

全面屏今年加速增長(zhǎng)，如今全面屏在大陸手機(jī)品牌中已經(jīng)成為新機(jī)標(biāo)準(zhǔn)配置，另外異形切割也快速普及。反映在面板廠商的出貨產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上，根據(jù)群智咨詢(xún)（Sigmaintell）調(diào)查，今年第一季度全球智能手機(jī)面板出貨接近4.2億片，其中全面屏面板出貨數(shù)量1.8億片，滲透率超過(guò)40％，接下來(lái)滲透率還會(huì)提升

6月26日-28日，基本半導(dǎo)體成功參展PCIMAsia 2018上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)。 基本半導(dǎo)體展臺(tái)以充滿(mǎn)科技感和未來(lái)感的藍(lán)白為主色調(diào)，獨(dú)有的3D SiC技術(shù)和自主研發(fā)的碳化硅功率器件吸引了眾多國(guó)內(nèi)外參展觀眾的眼球。 全球獨(dú)創(chuàng)3D SiC技術(shù) 展會(huì)期間，基本半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊(duì)詳細(xì)介紹了公司獨(dú)創(chuàng)的3D SiC外延技術(shù)，該技術(shù)能夠充分利用碳化硅的材料潛力，通過(guò)外延生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)取代離子注入，使碳化硅器件在高溫應(yīng)用中擁有更高的穩(wěn)定性。優(yōu)良的外延質(zhì)量