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• 低溫共燒陶瓷（LTCC）封裝

  低溫共燒陶瓷 （ Low Temperature Co-Fired Ceramics, LTCC ） 封裝能將不同種類的芯片等元器件組裝集成于同一封裝體內(nèi)以實現(xiàn)系統(tǒng)的某些功能，是實現(xiàn)系統(tǒng)小型化、集成化、多功能化和高可靠性的重要手段?？偨Y(jié)了 LTCC 基板所采用的封裝方式，闡述了 LTCC 基板的金屬...

  5423次閱讀 · 0評論 封裝LTCC低溫共燒陶瓷

• 臺積電計劃在美國生產(chǎn)3納米芯片

  作為全球最大的芯片代工廠，臺積電正在美國亞利桑那州建設(shè)一座價值120億美元的工廠。臺積電此前曾透露，亞利桑那州工廠建成后采用5nm制程工藝，預計2024年投產(chǎn)，每月將量產(chǎn)2萬片晶圓。...

  1380次閱讀 · 0評論 臺積電3nm工藝

• 度亙激光發(fā)布通信級高功率單模980nm半導體激光芯片

  全光網(wǎng)絡(luò)是大容量光通信的基礎(chǔ)，全光纖摻鉺光纖放大器（EDFA）是長距離（陸地和海底）光通信網(wǎng)絡(luò)重要組成部分。...

  2286次閱讀 · 0評論 光通信半導體激光芯片

• QFN、SOP以及BGA哪種封裝形式才更適合語音芯片

  IC是指集成電路，芯片是指基于集成電路技術(shù)制成的器件。IC芯片包含晶圓芯片和封裝芯片，相應(yīng) IC 芯片生產(chǎn)線主要由晶圓生產(chǎn)線和封裝生產(chǎn)線兩部分組成。封裝是必不可少的一個步驟，那么對于語音芯片的封裝形式都有哪些呢？下面小編就為大家介紹下。...

  3539次閱讀 · 0評論 BGAIC封裝qfn語音芯片九芯智能

• 晶體缺陷的常見的三種類型

  晶體缺陷就是實際晶體中偏離理想結(jié)構(gòu)的不完整區(qū)域。根據(jù)晶體中結(jié)構(gòu)不完整區(qū)域的形狀及大小, 晶體缺陷常分為如下三類。...

  11496次閱讀 · 0評論 晶體

• 光電子器件封裝形式

  光電子器件系統(tǒng)封裝是把光電子器件、電子元器件及功能應(yīng)用原材料進行封裝的一個系統(tǒng)集成過程。光電子器件封裝在光通訊系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)激光、民用光顯示等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。主要可以分為如下幾個級別的封裝：芯片IC級封裝、器件封裝、模塊封裝、系統(tǒng)板級封裝、子系統(tǒng)組裝和系統(tǒng)集成。...

  7444次閱讀 · 0評論 光電子封裝

• 關(guān)于電子束光刻工藝技術(shù)解讀

  束流消除器：兩個平行板電極之間的直流偏置(~42 v)是否垂直于電子路徑，使電子偏離軸，從而“轉(zhuǎn)動”關(guān)閉/阻塞/被下面的孔所覆蓋。...

  1251次閱讀 · 0評論 電子束光刻工藝

• 關(guān)于SMT技術(shù)的前世今生

  1985年7月,FUJI推出首臺帶影像處理功能的高速貼片機(CP-I) 1994年,FUJI推出超高速貼片機(CP6) 21世紀以來，自動貼片機邁進“兼?zhèn)涓咚倥c多功能”的時代....

  4775次閱讀 · 0評論 smt貼片機

• 一文詳解光刻機的工作原理

  　　是的！光刻機本身的原理，其實和相機非常相似，同學們可以把光刻機就想成是一臺巨大的單反相。機。相機的原理，是被攝物體被光線照射所反射的光線，透過相機的鏡頭，將影像投射并聚焦在相機的底片（感光元件）上， 如此便可把被攝物體的影像復制到底片上。...

  8635次閱讀 · 0評論 光刻機

• 全球半導體芯片巨廠布局Chiplet技術(shù)

  Chiplet 芯片一般采用先進的封裝工藝，將小芯片組合代替形成一個大的單片芯片。利用小芯片（具有相對低的面積開銷）的低工藝和高良率可以獲得有效降低成本開銷。...

  2109次閱讀 · 0評論 摩爾定律chiplet

• 中芯國際14nm已投入量產(chǎn) 淺談不同制程芯片的設(shè)計制造成本

  2019年第四季度，中芯國際就表示14nm已投入量產(chǎn)。2021年時傳出消息，中芯國際14nm的良率達到95%，已經(jīng)追平臺積電。（目前7nm也已小規(guī)模投產(chǎn)）...

  108801次閱讀 · 0評論 中芯國際14nm

• BGA基板工藝制程簡介

  BGA基板工藝制程簡介...

  1978次閱讀 · 0評論 BGA基板工藝制程

• 關(guān)于MEMS和納米技術(shù)的綜述

  　　納米技術(shù)涉及到材料的操縱和結(jié)構(gòu)和系統(tǒng)的建立它們以原子的規(guī)模存在，分子=納米尺度。...

  745次閱讀 · 0評論 納米技術(shù)mems

• 半導體制造之等離子工藝

  等離子體工藝廣泛應(yīng)用于半導體制造中。比如，IC制造中的所有圖形化刻蝕均為等離子體刻蝕或干法刻蝕，等離子體增強式化學氣相沉積(PECVD)和高密度等離子體化學氣相沉積 (HDP CVD)廣泛用于電介質(zhì)沉積。離子注入使用等離子體源制造晶圓摻雜所需的離子，并提供電子中和晶圓表面上的正電荷。物理氣相沉積(P...

  5863次閱讀 · 0評論 半導體工藝等離子

• 新一代邏輯半導體制造技術(shù)， 工藝目標瞄準2nm

  據(jù)日經(jīng)新聞報道，這次成立的公司由日本東京電氣（Tokyo Electro，全球半導體設(shè)備大廠）的前社長東哲郎等人主導， 吸引了日本豐田、索尼、鎧俠、NEC、軟銀、電裝等8家公司聯(lián)合投資，每家出資10億日元。...

  1058次閱讀 · 0評論 半導體制造2nm

• 如何集成5nm高速IP（SerDes、DDR、PCIE等）？

  深度亞微米技術(shù)的進步，以及增加多種功能以降低成本，結(jié)合現(xiàn)有操作規(guī)模，意味著SoC的設(shè)計變得更加復雜。...

  1463次閱讀 · 0評論 socIP5nm

• 碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

  二十多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關(guān)注。與硅相比，碳化硅具有很多優(yōu)點，如：碳化硅的禁帶寬度更大，這使碳化硅器件擁有更低的漏電流及更高的工作溫度，抗輻照能力得到提升;碳化硅材料擊穿電場是硅的 10 倍，因此，其器件可設(shè)計更高的摻雜濃度...

  2058次閱讀 · 0評論 封裝功率器件碳化硅

• 半導體制造之加熱工藝

  激光退火系統(tǒng)采用激光光源的能量來快速加熱晶圓表面到臨界溶化點溫度。由于硅的高導熱性，硅片表面可以在約1/10 ns范圍快速降溫冷卻。激光退火系統(tǒng)可以在離子注入后以最小的雜質(zhì)擴散激活摻雜物離子，這種技術(shù)已被用于后45nm工藝技術(shù)節(jié)點。激光退火系統(tǒng)可用于尖峰退火系統(tǒng)，以實現(xiàn)更優(yōu)的結(jié)果。...

  5013次閱讀 · 0評論 半導體工藝

• 偉大的工程之芯片制造

  縱觀整個制造業(yè)，芯片的制造流程可以說是最復雜的之一，這項點石成金術(shù)可分為八個大步驟，如下圖所示，這些步驟又可細分為上百道工序。...

  3416次閱讀 · 0評論 晶圓芯片制造刻蝕

• 三星計劃背面供電網(wǎng)絡(luò)技術(shù)開發(fā)2nm芯片

  BSPDN可以理解為Chiplet技術(shù)的演變(圖自：IMEC) 目前主流的 FinFET(過去被稱為 3D 晶體管)是 10nm 工藝發(fā)展過程中的關(guān)鍵芯片設(shè)計技術(shù)，采用三面包覆式的柵極設(shè)計，可以在三個側(cè)面圍起電流通道，以此減少漏電流(電子泄露)。...

  1588次閱讀 · 0評論 隨機存取存儲器三星
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