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功率放大器和運(yùn)算放大器的區(qū)別功率放大器需要連成負(fù)反饋嗎

功率放大器側(cè)重于對(duì)信號(hào)功率的放大，以驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載，而運(yùn)算放大器則側(cè)重于電壓信號(hào)的放大和數(shù)學(xué)運(yùn)算，用于實(shí)現(xiàn)信號(hào)處理和精確的電路控制。它們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)和應(yīng)用中具有不同的功能和特性。...

5063次閱讀 · 0評(píng)論放大器功率放大器運(yùn)算放大器反饋信號(hào)
什么是D/A轉(zhuǎn)換器？D/A轉(zhuǎn)換器的基本形式

D/A轉(zhuǎn)換器(Digital-to-Analog Converter, DAC)是指將數(shù)字(Digital)量轉(zhuǎn)換為模擬(Analog)量的元器件。...

8395次閱讀 · 0評(píng)論轉(zhuǎn)換器元器件cpudac數(shù)字量
mosfet選型要考慮哪些因素？

功率MOSFET有兩種類型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇，N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號(hào)較少，成本高。...

1024次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFETcpu控制芯片鋰電池保護(hù)板
功率MOSFET選型指南

俗話說“人無遠(yuǎn)慮必有近憂”，對(duì)于電子設(shè)計(jì)工程師，在項(xiàng)目開始之前，器件選型之初，就要做好充分考慮，選擇最適合自己需要的器件，才能保證項(xiàng)目的成功。...

1682次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET封裝MOS功率器件N溝道功率MOSFETp溝道
MOSFET與IGBT的本質(zhì)區(qū)別

由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。...

2194次閱讀 · 0評(píng)論二極管MOSFETIGBT開關(guān)損耗導(dǎo)通損耗
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)內(nèi)部結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/優(yōu)缺點(diǎn)

今天給大家分享的是：IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)...

7249次閱讀 · 0評(píng)論半導(dǎo)體MOS管IGBT晶體管開關(guān)器件
IGBT模塊/IPM的安全運(yùn)行設(shè)計(jì)方案

由于SCSOA 區(qū)域在集電極電流變大時(shí)有變窄的傾向，需要加以注意。IPM 內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路可以對(duì)超出IGBT 安全工作區(qū)的運(yùn)行模式加以保護(hù)以免模塊受損。...

2547次閱讀 · 0評(píng)論保護(hù)電路IGBTIPM柵極驅(qū)動(dòng)
三極管在基極為什么會(huì)下拉一個(gè)電阻呢？

三極管屬于電流型驅(qū)動(dòng)元器件，因此一般在基極都會(huì)串一個(gè)限流電阻，一般小于等于10K，但是在基極為什么會(huì)下拉一個(gè)電阻呢？舉例說明。...

4471次閱讀 · 0評(píng)論下拉電阻MOS管寄生電容電容充放電NPN三極管
SiC MOSFET使用溝槽柵真的有必要嗎？

MOSFET全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。...

1250次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET場效應(yīng)晶體管體二極管碳化硅米勒電容
電源防反電路的四種電路設(shè)計(jì)方案

上電瞬間，MOS管的寄生二極管導(dǎo)通，系統(tǒng)形成回路，源極S的電位大約是0.7V，而柵極G的電位為Vbat，MOS管的開啟電壓極為：Ugs=Vbat-Vs,柵極表現(xiàn)為高電平，NMOS的ds導(dǎo)通，寄生二極管被短路，系統(tǒng)通過NMOS的DS接入形成回路，若電源接反，NMOS的導(dǎo)通電壓為0，NMOS截止，寄生二...

1673次閱讀 · 0評(píng)論二極管MOS管PMOS寄生二極管防反電路
功率電子器件封裝工藝有哪些

封裝技術(shù)是一種將芯片與承載基板連接固定、引出管腳并將其塑封成整體功率器件或模塊的工藝，主要起到電氣連接、結(jié)構(gòu)支持和保護(hù)、提供散熱途徑等作用[4]。封裝作為模塊集成的核心環(huán)節(jié)，封裝材料、工藝和結(jié)構(gòu)直接影響到功率模塊的熱、電和電磁干擾等特性。...

3288次閱讀 · 0評(píng)論 IGBT功率器件半導(dǎo)體器件功率電子
TVS管的4種關(guān)鍵電壓有哪些？

瞬態(tài)電壓抑制器：Transient Voltage Suppressor，一種二極管形式的高效能保護(hù)器件。其他的，百度百科解釋了一大堆，我就不搬運(yùn)了。小伙伴自行研究，總之，這個(gè)器件能吸收瞬態(tài)能量，能扛靜電的瞬態(tài)干擾！...

7049次閱讀 · 0評(píng)論 ESDTVS管瞬態(tài)干擾瞬態(tài)電壓抑制器
為什么逆導(dǎo)型IGBT是大功率PFC應(yīng)用的最佳選擇呢？

對(duì)于功率因數(shù)校正（PFC），通常使用升壓轉(zhuǎn)換器Boost拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。...

2158次閱讀 · 0評(píng)論升壓轉(zhuǎn)換器續(xù)流二極管CCMPFC電源igbt芯片
SiC與Si它們兩者本身有什么不同呢？

始于19世紀(jì)初期半導(dǎo)體材料的研究至今已經(jīng)由第一代半導(dǎo)體材料發(fā)展到了第四代半導(dǎo)體材料，其中較為矚目的莫過于第一代半導(dǎo)體材料si和第三代半導(dǎo)體材料sic了。...

2071次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET電阻器IGBTSiC碳化硅
SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別

率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，對(duì)其改良可以實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導(dǎo)體具有低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等優(yōu)勢。...

3688次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFETIGBTSiC功率元器件
ADC分辨率和精度的差異，別再混為一談了

分辨率和精度—即Resolution和Accuracy。這是兩個(gè)不同的參數(shù)，卻經(jīng)常被混用。...

4282次閱讀 · 0評(píng)論模數(shù)轉(zhuǎn)換器RMSSNR數(shù)字信號(hào)電平ADC采樣
關(guān)于模擬技術(shù)的27個(gè)基礎(chǔ)知識(shí)的排列組合

所謂頻率補(bǔ)償，就是指提高或降低某一特定頻率的信號(hào)的強(qiáng)度，用來彌補(bǔ)信號(hào)處理過程中產(chǎn)生的該頻率的減弱或增強(qiáng)，常用的有負(fù)反饋補(bǔ)償、發(fā)射極電容補(bǔ)償、電感補(bǔ)償?shù)取?..

847次閱讀 · 0評(píng)論放大器三極管反饋電路甲類功放有源濾波器
紅外線發(fā)射管工作原理是什么紅外發(fā)射管主要參數(shù)介紹

紅外發(fā)射管由GaAIAs（鎵、鋁、砷化合物）或GaAs（鎵、砷化合物）制成PN結(jié)，正向偏壓向PN結(jié)注入電流后激發(fā)紅外光，其光譜分布在830nm-950nm。市面上紅外發(fā)射管的波長主要有850nm、940nm。850nm的輻射強(qiáng)度比940nm的輻射強(qiáng)度高2-3倍，因此850nm的紅外發(fā)射管在工作時(shí)人眼...

4403次閱讀 · 0評(píng)論遙控器紅外遙控器發(fā)射管紅外發(fā)射管
什么是穩(wěn)壓二極管？穩(wěn)壓二極管應(yīng)用電路圖識(shí)讀

穩(wěn)壓二極管比較特殊，基本結(jié)構(gòu)與普通二極管一樣，也有一個(gè)PN結(jié)。...

8083次閱讀 · 0評(píng)論三極管穩(wěn)壓電源穩(wěn)壓二極管電源電壓負(fù)載電阻
信號(hào)完整性100條經(jīng)驗(yàn)法則整理匯總

隨著現(xiàn)代數(shù)字電子系統(tǒng)突破1GHz的壁壘，PCB板級(jí)設(shè)計(jì)和IC封裝設(shè)計(jì)必須都要考慮到信號(hào)完整性和電氣性能問題。凡是介入物理設(shè)計(jì)的人都可能會(huì)影響產(chǎn)品的性能。所有的設(shè)計(jì)師都應(yīng)該了解設(shè)計(jì)如何影響信號(hào)完整性，至少能夠和信號(hào)完整性專業(yè)的工程師進(jìn)行技術(shù)上的溝通。當(dāng)快速地得到粗略的結(jié)果比以后得到精確的結(jié)果更重要時(shí)，...

1069次閱讀 · 0評(píng)論 pcb信號(hào)完整性IC封裝