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本應(yīng)用筆記提出了多個(gè)高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)與多路復(fù)用輸入或集成插值濾波器的同步方法。這種DAC用于I/Q上變頻器或數(shù)字波束成形發(fā)射器。這些DAC提供數(shù)據(jù)時(shí)鐘輸出,用于與數(shù)據(jù)源同步。...
晶體濾波器通常沒有方向,即可以正向或反向使用,其濾波特性和頻率響應(yīng)不會(huì)受到方向的影響。...
晶體濾波器是一種使用晶體振蕩器作為基礎(chǔ)的濾波器,其工作原理基于晶體振蕩器的特性。...
濾波器的帶寬大小通常取決于特定應(yīng)用的需求,不是越小越好。在某些情況下,需要較窄的帶寬以濾除高頻噪聲,但在其他情況下,則需要更寬的帶寬以允許信號(hào)通過。...
PIN二極管通常用作電視調(diào)諧器中RF信號(hào)的可變衰減器,以及固定設(shè)備中的寬帶RF的可變衰減器。這些二極管可以作為分立器件安裝在電路板上,也可以集成到混合GaAs模塊中。在高RF頻率下,PIN二極管的正向電阻隨著通過結(jié)的直流電流的增加而減?。▓D1)。...
本應(yīng)用筆記比較了數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)和數(shù)字電位器。傳統(tǒng)上,數(shù)字電位器旨在取代簡(jiǎn)單的機(jī)械電位器。隨著最近分辨率和附加功能的提高,數(shù)字電位計(jì)也可用于一些傳統(tǒng)的DAC插座。同樣,傳統(tǒng)的DAC封裝太大,成本太高,無法與數(shù)字電位計(jì)競(jìng)爭(zhēng)。然而,DAC的價(jià)格和封裝尺寸已顯著降低,因此在某些插座中可以使用DAC或數(shù)...
滿足高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)的數(shù)字定時(shí)要求對(duì)于實(shí)現(xiàn)最高性能至關(guān)重要。隨著時(shí)鐘頻率的增加,數(shù)據(jù)接口的建立和保持時(shí)間成為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員關(guān)注的重要問題。本應(yīng)用筆記旨在全面解釋與Analog高性能轉(zhuǎn)換器解決方案相關(guān)的設(shè)置和保持時(shí)間。...
在設(shè)計(jì)數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)系統(tǒng)時(shí),DAC規(guī)格及其基準(zhǔn)電壓源協(xié)同工作,以產(chǎn)生整體系統(tǒng)性能。因此,DAC和參考應(yīng)同時(shí)選擇。組件的規(guī)格可以相互權(quán)衡,以確保以最低的成本滿足系統(tǒng)規(guī)格。...
下面的電路圖是SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的同步式boost電路,LS開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的示例。電路圖中包括SiC MOSFET的寄生電容、電感、電阻,HS和LS的SiC MOSFET的VDS和ID的變化帶來的各處的柵極電流(綠色線)。...
下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時(shí)最簡(jiǎn)單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊(HS)和低邊(LS)是交替導(dǎo)通的,為了防止HS和LS同時(shí)導(dǎo)通,設(shè)置了兩個(gè)SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時(shí)間。右下方的波形表示其門極信號(hào)(VG)時(shí)序。...
這里會(huì)針對(duì)下述條件與電路結(jié)構(gòu),使用緩沖電容器與專用柵極驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行特性對(duì)比。在電路構(gòu)成中,有上次介紹過的電解電容器和薄膜電容器。在不使用專用柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí),作為柵極誤導(dǎo)通對(duì)策,增加微法級(jí)的CGS,對(duì)VGS施加-5V作為負(fù)偏壓(搭載第二代SiCMOSFET的全SiC模塊)。...
小川給大家介紹的是共集電極放大電路的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。...
小川給大介紹的是共集電極放大電路的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。...
小川給大家介紹的是共基極放大電路的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。...
小川給大家介紹的是復(fù)合管共射放大電路的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。...
小川給大家介紹的是復(fù)合管共集放大電路的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。...
小川今天給大家介紹的是光耦合放大電路的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。...
小川今天給大家介紹的是差分式放大電路的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。...
緩沖電容器是為了降低電氣布線的寄生電感而連接在大電流開關(guān)節(jié)點(diǎn)的電容器。寄生電感會(huì)使開關(guān)關(guān)斷時(shí)(切斷電流)產(chǎn)生較大的浪涌,當(dāng)浪涌超過元器件的額定值時(shí),甚至可能會(huì)致使產(chǎn)品損壞。...
使用評(píng)估電路來確認(rèn)柵極電壓升高的抑制效果。下面是柵極驅(qū)動(dòng)電路示例,柵極驅(qū)動(dòng)L為負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)。CN1和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動(dòng)器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET,使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動(dòng)器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接,來確認(rèn)柵極電壓的升高情況。...