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四款新型多極碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）單片微波集成電路（MMIC）器件。進(jìn)一步擴(kuò)展射頻（RF）解決方案范圍，適用于包括海事、氣象監(jiān)測(cè)和新興的無(wú)人機(jī)系統(tǒng)雷達(dá)等在內(nèi)的脈沖和連續(xù)波 X-波段相控陣應(yīng)用。...
氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體，用于高效功率晶體管和集成電路。在GaN晶體的頂部生長(zhǎng)氮化鋁鎵（AlGaN）薄層并在界面施加應(yīng)力，從而產(chǎn)生二維電子氣（2DEG）。2DEG用于在電場(chǎng)作用下，高效地傳導(dǎo)電子。2DEG具有高導(dǎo)電性，部分原因是由于電子被困在界面處的非常細(xì)小的區(qū)域，從而將電子的遷移率從未施...
具體而言，SiC 近年來(lái)在很多領(lǐng)域都有應(yīng)用，比如工業(yè)領(lǐng)域。對(duì)于 GAN 來(lái)說，可使用場(chǎng)景非常廣泛。SiC 產(chǎn)品在高功率市場(chǎng)中有著很好的應(yīng)用，例如 IGBT 這些產(chǎn)品都有著很好的使用，應(yīng)用領(lǐng)域在不斷增長(zhǎng)中，其主要?jiǎng)恿?lái)自汽車行業(yè)...
在這種情況下，氮化鎵因其卓越的射頻性能而成為5G mMIMO無(wú)線電的領(lǐng)先大功率射頻功率放大器技術(shù)。然而，目前的實(shí)現(xiàn)方式成本過高。與硅基技術(shù)相比，氮化鎵生長(zhǎng)在昂貴的III/V族SiC晶圓上，采用昂貴的光刻技術(shù)，生產(chǎn)成本特別高。最初嘗試在硅晶圓上生長(zhǎng)氮化鎵，但由于性能不佳和不具有成本優(yōu)勢(shì)，沒有被市場(chǎng)采納...
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。...
DC-DC指直流轉(zhuǎn)直流電源（Direct Current）。 是一種在直流電路中將一個(gè)電壓值的電能變?yōu)榱硪粋€(gè)電壓值得電能的裝置。 如，通過一個(gè)轉(zhuǎn)換器能將一個(gè)直流電壓（5.0V）轉(zhuǎn)換成其他的直流電壓（1.5V或12.0V），我們稱這個(gè)轉(zhuǎn)換器為DC-DC轉(zhuǎn)換器，或稱之為開關(guān)電源或開關(guān)調(diào)整器。...
逆變器，別稱為變流器、反流器，是一種可將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的器件，由逆變橋、邏輯控制、濾波電路三大部分組成，主要包括輸入接口、電壓?jiǎn)?dòng)回路、MOS開關(guān)管、PWM控制器、直流變換回路、反饋回路、LC振蕩及輸出回路、負(fù)載等部分，可分為半橋逆變器、全橋逆變器等。目前已廣泛適用于空調(diào)、家庭影院、電腦、電視、...
Buck converter 的輸入電流一定小于輸出電流，因?yàn)樵谀芰渴睾愕那疤嵯?，電壓降低，電流就?huì)變大，而由于交換式電源的轉(zhuǎn)換效率不可能達(dá)到 100%，所以實(shí)際上的輸入電流會(huì)比 208.3 mA 還要大。...
UPS不間斷電源的使用越來(lái)越廣泛，當(dāng)市電輸入正常時(shí)，UPS 將市電穩(wěn)壓后供應(yīng)給負(fù)載使用，此時(shí)的UPS就是一臺(tái)交流市電穩(wěn)壓器，同時(shí)它還向機(jī)內(nèi)電池充電。...
開關(guān)電源（包括AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、AC/DC模塊和DC/DC模塊）與線性電源相比較，最突出的優(yōu)點(diǎn)是轉(zhuǎn)換效率高，一般可達(dá)80%～85%，高的可達(dá)90%～97%；其次，開關(guān)電源采用高頻變壓器替代了笨重的工頻變壓器，不僅重量減輕，體積也減小了，因此應(yīng)用范圍越來(lái)越廣。但開關(guān)電源的缺點(diǎn)是由于其...
碳化硅材料以其優(yōu)異的性能被行業(yè)列為第三代半導(dǎo)體材料，其擊穿場(chǎng)強(qiáng)是硅的10倍，熱導(dǎo)率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高溫環(huán)境下工作，具有極低的開關(guān)損耗和高頻工作能力，減小模塊的體積和重量，顯著提高系統(tǒng)的效率，有利于節(jié)能降耗，廣泛應(yīng)用于風(fēng)光發(fā)電、光伏逆變、UPS儲(chǔ)能、新能源...
碳化硅二極管具有較短的恢復(fù)時(shí)間、溫度針對(duì)電源開關(guān)個(gè)人行為的危害較小、規(guī)范操作溫度范疇為-55℃到175℃，那樣更平穩(wěn)，還大幅度降低熱管散熱器的要求。碳化硅二極管的關(guān)鍵優(yōu)點(diǎn)取決于它具有極快的電源開關(guān)速率且無(wú)反向恢復(fù)電流量，與硅元器件對(duì)比，它可以大幅度降低開關(guān)損耗并完成非凡的能耗等級(jí)。...
溫度補(bǔ)償功能就是要將溫度對(duì)蓄電池的影響減至最小，但絕不是說有了充電電壓的調(diào)節(jié)系數(shù)，蓄電池就可以在任意環(huán)境溫度下使用。因?yàn)椋瑴囟妊a(bǔ)償功能只是補(bǔ)償蓄電池在不同溫度情況下的化學(xué)反應(yīng)活性。...
由于碳化硅材料的帶隙很寬（4H型碳化硅在室溫下約為3.26eV），碳化硅器件能夠在很高的溫度下工作而不至于因?yàn)楸菊鬏d流子激發(fā)導(dǎo)致器件性能失效。碳化硅材料在發(fā)生雪崩擊穿前所能夠忍受的極限電場(chǎng)是硅材料和砷化鎵（GaAs）的5~20倍12。這一高極限電場(chǎng)可以用來(lái)制造高壓、大功率器件。...
所需經(jīng)費(fèi)： 長(zhǎng)期穩(wěn)定(壽命20-30年) 可靠性 來(lái)源材料的供應(yīng)情況 成本效益 無(wú)環(huán)境危害...
從以往2170電池的脈沖激光器點(diǎn)焊，到目前4680電池線或激光點(diǎn)陣，激光焊接工藝提升，可能會(huì)從原來(lái)的脈沖激光器變?yōu)檫B續(xù)激光器，整體造價(jià)增加...
由于鋰離子電池的內(nèi)部結(jié)構(gòu)原因，放電時(shí)鋰離子不能全部移向正極，必須保留一部分鋰離子在負(fù)極，以保證在下次充電時(shí)鋰離子能夠暢通地嵌入通道。...
通過使用開關(guān)穩(wěn)壓器，可以有效減少電路發(fā)熱以節(jié)約能耗。此外，開關(guān)穩(wěn)壓器有助于減小散熱器尺寸，從而可以制作出更緊湊的電路以及發(fā)熱量更少的電源電路。...
首先從效率上說，DC/DC的效率普遍要遠(yuǎn)高于LDO，這是其工作原理決定的。其次，DC/DC有Boost，Buck，Boost/Buck，(有人把ChargePump也歸為此類)；而LDO只有降壓型。...
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