模擬技術(shù)
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PN結(jié)如何形成 PN結(jié)伏安特性的解釋 MOSFET基礎(chǔ)知識
當(dāng)n型半導(dǎo)體與p型半導(dǎo)體接觸時，電子與空穴都從濃度高處向濃度低處擴散，稱為擴散運動。當(dāng)電子進(jìn)入p型區(qū)域，空穴進(jìn)入n型區(qū)域后，即與對方多子復(fù)合，留下了固定不動的原子核。這些原子...
如何設(shè)計一種適用于SiC FET的PCB呢？
SiC FET（即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)推出后，功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無疑受益匪淺。...
2023-10-19 標(biāo)簽：MOSFETJFETDC-DC轉(zhuǎn)換器SiC去耦電容 833
談?wù)勚绷鞴β恃h(huán)老化的測試方法
經(jīng)常聽到功率循環(huán)這個實驗，總覺得這個不是很簡單嗎，不就是IGBT溫度在一定范圍波動，然后經(jīng)過幾萬次循環(huán)，再測試IGBT的Vcesat或Rth是否異常來確定循環(huán)次數(shù)。...
一文詳解模數(shù)、數(shù)模轉(zhuǎn)換器中的AGND和DGND
敏感的模擬元件，例如放大器和基準(zhǔn)電壓源，必須參考和去耦至模擬接地層。具有低數(shù)字電流的 ADC 和 DAC（和其他混合信號 IC）一般應(yīng)視為模擬元件，同樣接地并去耦至模擬接地層。乍看之下，...
2023-10-19 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器ADIadc接地數(shù)模轉(zhuǎn)換器 7121
安世半導(dǎo)體IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動應(yīng)用
近年來，我國年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高，但能耗比卻居高不下，高能耗比已成為制約我國經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸...
人機大戰(zhàn)之如何計算IGBT壽命——ChatGPT越戰(zhàn)越勇
本期是和ChatGPT辯論的第四回合（第三期回合回顧），本期ChatGPT大顯神威，抗住了資深FAE的連環(huán)追問，答案有模有樣。...
模擬系統(tǒng)混合測試優(yōu)化方案
由于模擬系統(tǒng)在現(xiàn)代電子設(shè)備中起著至關(guān)重要作用，模擬系統(tǒng)測試優(yōu)化已引起學(xué)術(shù)界和工業(yè)界廣泛關(guān)注。盡管現(xiàn)有方法能實現(xiàn)測試策略的自動生成，但是由于復(fù)雜結(jié)構(gòu)和多變的運行環(huán)境的影響，...
2023-10-19 標(biāo)簽：電子設(shè)備拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)模擬系統(tǒng) 803
二極管在電路設(shè)計中的應(yīng)用
摘要 ：二極管是非常常用的基礎(chǔ)元器件，本文主要聊一聊其在電路設(shè)計中的應(yīng)用，大概總結(jié)了二極管的如下作用防反、整流、穩(wěn)壓、續(xù)流、檢波、倍壓、鉗位、包絡(luò)線檢測。...
2023-10-19 標(biāo)簽：二極管電路設(shè)計穩(wěn)壓二極管整流電路 1380
科友半導(dǎo)體官宣，首批8吋碳化硅襯底下線
科友半導(dǎo)體8英寸碳化硅（SiC）中試線在2023年4月正式貫通后，同步推進(jìn)晶體生長厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線建設(shè)，加快襯底加工設(shè)備調(diào)試與工藝參數(shù)優(yōu)化。...
MOS器件物理基礎(chǔ)知識
標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝：就是在同一塊襯底上集成NMOS和PMOS,比如在一塊p襯底可以先做一個nmos然后再做一個N阱，再在N阱中摻入p+區(qū)形成PMOS。...
常用的電路保護(hù)元件有哪些？電路保護(hù)的意義是什么?
電子電路很容易在過壓、過流、浪涌等情況發(fā)生的時候損壞，隨著技術(shù)的發(fā)展，電子電路的產(chǎn)品日益多樣化和復(fù)雜化，而電路保護(hù)則變得尤為重要。電路保護(hù)元件也從簡單的玻璃管保險絲，變得...
2023-10-18 標(biāo)簽：二極管壓敏電阻電路保護(hù)防雷器瞬態(tài)抑制二極管 1189
SiC功率器件的優(yōu)勢和應(yīng)用前景
隨著新能源汽車銷量暴漲的東風(fēng)，采用碳化硅功率器件可助力新能源汽車提升加速度、降低系統(tǒng)成本、增加續(xù)航里程以及實現(xiàn)輕量化等。碳化硅的優(yōu)越性能使其在更多尖端領(lǐng)域有著迫切的需求。...
全志R128驅(qū)動OLED屏幕步驟教程
OLED，即有機發(fā)光二極管（ Organic Light Emitting Diode）。...
2023-10-18 標(biāo)簽：驅(qū)動器OLED屏SPI接口IIC總線有機發(fā)光二極管R128 1941
100家功率器件廠商匯總
100家功率器件廠商匯總前言功率器件應(yīng)用前景廣闊，幾乎涵蓋了所有電子產(chǎn)業(yè)鏈。以MOSFET、IGBT為代表的功率器件需求旺盛。根據(jù)性能不同，廣泛應(yīng)用于汽車、充電樁、光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、消...
二極管反向恢復(fù)電流輻射發(fā)射問題分析調(diào)試與解決方案
二極管正向?qū)〞r，電子存儲在P區(qū)，空穴存儲在N區(qū)，此現(xiàn)象叫做電荷存儲效應(yīng)。外加反向電壓時，電子和空穴分別往相反方向移動，形成反向漂移電流，同時與其他多數(shù)載流子復(fù)合，待電子和...
科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底下線
2023年9月，科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底成功下線。...
功率MOSFET結(jié)構(gòu)和參數(shù)解讀
眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率，且開關(guān)速度優(yōu)異?？梢哉f具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型...
降壓DC/DC電壓轉(zhuǎn)換器的工作原理
本文將詳細(xì)分析降壓 DC/DC 電壓轉(zhuǎn)換器的工作原理。使用 SPICE 仿真，我們將研究輸出電壓穩(wěn)定、電壓紋波以及電感器和負(fù)載電流。...
2023-10-18 標(biāo)簽：仿真降壓轉(zhuǎn)換器SPICE電壓轉(zhuǎn)換器LTspice 3731
兩級放大電路失真分析
兩級放大電路是指由兩個放大器組成的電路，通常用于提高放大電路的增益和性能。在實際應(yīng)用中，兩級放大電路可能會出現(xiàn)失真現(xiàn)象，影響信號的質(zhì)量和穩(wěn)定性。本文將對兩級放大電路失真進(jìn)...
2023-10-17 標(biāo)簽：放大器放大電路失真諧波失真交調(diào)失真失真放大器放大電路諧波失真 5154
功率放大器失真的原因和解決方法
功率放大器失真是指輸出信號與輸入信號之間存在差異，這種差異可能是頻率、幅度或相位上的偏差。功率放大器失真的原因主要有以下幾種。...
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