模擬技術(shù)
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揭開JESD204B轉(zhuǎn)換器內(nèi)確定性延遲的神秘面紗
對(duì)于需要一系列同步模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）的高速信號(hào)采樣和處理應(yīng)用，校正和匹配轉(zhuǎn)換器之間的延遲變化的能力至關(guān)重要。圍繞此功能的系統(tǒng)設(shè)計(jì)至關(guān)重要，因?yàn)閺哪M采樣點(diǎn)到處理模塊的任何延...
2023-02-28 標(biāo)簽：FPGA轉(zhuǎn)換器adc 3874
對(duì)數(shù)字的需求：高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器和雷達(dá)系統(tǒng)的挑戰(zhàn)和解決方案
對(duì)更多數(shù)字信號(hào)處理的需求正在推動(dòng)雷達(dá)信號(hào)鏈盡早過渡到數(shù)字信號(hào)鏈，使模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）更靠近天線，這反過來(lái)又引入了許多具有挑戰(zhàn)性的系統(tǒng)級(jí)考慮因素。為了進(jìn)一步探討這一點(diǎn)，圖1顯...
為給定噪聲預(yù)算選擇最佳數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器
ACD和DAC數(shù)據(jù)手冊(cè)中的典型值和最大值可用于確定存在噪聲（如數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器量化、時(shí)鐘抖動(dòng)、通道非線性以及輸入和輸出參考噪聲）的系統(tǒng)性能。演示了為給定噪聲預(yù)算選擇最佳數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的分步...
2023-02-28 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器dacACD 1474
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器中的噪聲和失真 如何為其應(yīng)用選擇最合適的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器
本文是關(guān)于信號(hào)鏈噪聲的三部分系列文章的第二部分。在第1部分中，我們確定了所有半導(dǎo)體器件中噪聲的來(lái)源和特性，并解釋了器件數(shù)據(jù)手冊(cè)中如何指定噪聲。我們展示了如何在數(shù)據(jù)手冊(cè)中未...
2023-02-28 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器噪聲adcdac數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 70691
關(guān)于氮化鎵功率器件的產(chǎn)品預(yù)覽
在PD快充領(lǐng)域推出了DFN系列產(chǎn)品，在電源適配器領(lǐng)域推出了TO系列產(chǎn)品，在工業(yè)領(lǐng)域則針對(duì)高頻與高可靠性的需求，推出了PIIP系列產(chǎn)品。...
2023-02-28 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵驅(qū)動(dòng)芯片 1191
將高壓輸入電平處理到低壓ADC中，而不會(huì)損失太多SNR
使用模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，一個(gè)典型的誤解是，縮小輸入信號(hào)以驅(qū)動(dòng)ADC的滿量程范圍會(huì)顯著降低信噪比（SNR）。對(duì)于使用寬電壓擺幅的系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，這一點(diǎn)尤其值得關(guān)注。使問題...
2023-02-28 標(biāo)簽：放大器轉(zhuǎn)換器adc 1721
無(wú)源器件并不是那么無(wú)源：電容器
晶體管和集成電路被認(rèn)為是有源元件，因?yàn)樗鼈兝脕?lái)自電源的能量改變信號(hào)。同時(shí)，我們將電容器、電阻器、電感器、連接器甚至 PC 板 （PCB） 等組件稱為無(wú)源元件，因?yàn)樗鼈兯坪醪幌墓β?..
ASIC修復(fù)嘈雜的模擬“哎呀”
良好的專用集成電路 （ASIC） 可享受 90% >首次硅成功。您可能想知道為什么我們要討論“修復(fù)”此問題的方法？畢竟，ASIC幾乎可以工作，沒有時(shí)間旋轉(zhuǎn)它，仍然滿足市場(chǎng)窗口。聽起來(lái)很耳熟...
直接采樣DAC的理論與應(yīng)用
具有12至14位高分辨率的現(xiàn)代高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）為采用直接調(diào)制方案的新型發(fā)射器設(shè)計(jì)奠定了基礎(chǔ)。在此類設(shè)計(jì)中，調(diào)制后的傳輸信號(hào)直接在基頻上生成。到目前為止，這種方法僅用于生成...
2023-02-28 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器dacRF 4467
分析音頻DAC抖動(dòng)靈敏度
高性能音頻數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）傳統(tǒng)上需要一個(gè)非常干凈的采樣主時(shí)鐘（MCLK），以避免音頻質(zhì)量下降。時(shí)鐘源通常直接來(lái)自晶體振蕩器，其產(chǎn)生的抖動(dòng)通常小于100ps。在某些系統(tǒng)中，音頻過采樣頻...
探討負(fù)電壓浪涌的對(duì)策及其效果
下圖顯示了同步升壓電路中LS關(guān)斷時(shí)柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過。要想抑制事件（IV），即HS（非開關(guān)側(cè)）的VGS的負(fù)浪涌，采用浪涌抑制電路的米勒鉗位用MOSFET Q2、或鉗...
探討正電壓浪涌的對(duì)策和其效果
下圖顯示了同步升壓電路中LS導(dǎo)通時(shí)柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過。要想抑制事件（II），即HS（非開關(guān)側(cè)）的VGS的正浪涌，正如在上一篇文章的表格中所總結(jié)的，采用浪...
針對(duì)所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對(duì)策
只是由于SiC MOSFET的跨導(dǎo)比Si MOSFET的跨導(dǎo)小一個(gè)數(shù)量級(jí)以上，因此不會(huì)立即流過過大的直通電流。所以即使流過了直通電流，也具有足夠的冷卻能力，只要不超過MOSFET的Tj(max)，基本上沒有問題。...
什么是柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中，SiC MOSFET在近年來(lái)的應(yīng)用速度與日俱增，它的工作速度非?？欤灾劣陂_關(guān)時(shí)的電壓和電流的變化已經(jīng)無(wú)...
如何設(shè)計(jì)時(shí)間可調(diào)的給定積分器電路
如何設(shè)計(jì)時(shí)間可調(diào)的給定積分器電路？這樣處理積分電路更靈活。...
2023-02-28 標(biāo)簽：二極管運(yùn)算放大器運(yùn)放積分電路積分器 4902
低邊開關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作
下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時(shí)的電流動(dòng)作的等效電路和波形示意圖。與導(dǎo)通時(shí)的做法一樣，為各事件進(jìn)行了(IV)、(V)、(VI)編號(hào)。與導(dǎo)通時(shí)相比，只是VDS和ID變化的順序發(fā)生了改變，其他基本動(dòng)作是一...
低邊開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的Gate-Source間電壓的動(dòng)作
當(dāng)SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，首先ID會(huì)變化（下述波形示意圖T1）。此時(shí)LS的ID沿增加方向、HS的ID沿減少方向流動(dòng)，受下述等效電路圖中所示的事件(I)影響，在圖中所示的極性產(chǎn)生公式（1）的電動(dòng)勢(shì)。...
2023-02-28 標(biāo)簽：MOSFETSiC電動(dòng)勢(shì) 1150
光控晶閘管的工作原理_光控晶閘管的特征
光控晶閘管的工作原理是利用光控電阻效應(yīng)來(lái)控制晶閘管的導(dǎo)通。其內(nèi)部包含了一個(gè)光敏元件和一個(gè)晶閘管，其中光敏元件通常是一個(gè)光控電阻。當(dāng)光線照射到光敏元件時(shí)，光能會(huì)激發(fā)出光生載...
電力二極管與普通二極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)區(qū)別
電力二極管與普通二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)存在較大的區(qū)別，主要體現(xiàn)在以下兩個(gè)方面： 管芯尺寸和結(jié)構(gòu)：相比普通二極管，電力二極管的管芯尺寸更大，結(jié)構(gòu)更為復(fù)雜。這是因?yàn)殡娏ΧO管...
電力二極管功能特點(diǎn)及工作狀態(tài)
電力二極管的功能特點(diǎn)如下： 高電壓承受能力：電力二極管具有較高的電壓承受能力，一般可達(dá)幾百伏至幾千伏，可以承受高壓電力系統(tǒng)中的電壓波動(dòng)和電氣干擾。...
電力二極管的主要作用_電力二極管的用途有哪些
電力二極管屬于半導(dǎo)體器件，通常也被稱為功率二極管。它們主要用于高功率、高電壓和高頻率的電路中，用于控制和轉(zhuǎn)換電能。電力二極管具有低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速恢復(fù)時(shí)間等特性...
2023-02-28 標(biāo)簽：二極管整流器半導(dǎo)體器件 5643
電力二極管導(dǎo)通條件及額定電流
電力二極管在正向偏置的情況下導(dǎo)通，反向偏置的情況下不導(dǎo)通，這是其最基本的導(dǎo)通條件。具體而言，電力二極管的導(dǎo)通條件如下...
電力二極管結(jié)構(gòu)_電力二極管工作原理
電力二極管的結(jié)構(gòu)通常是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成的PN結(jié)。與普通二極管不同，電力二極管的承受電壓和電流能力較高，因此需要采用特殊的結(jié)構(gòu)和材料，以實(shí)現(xiàn)更高的性能和可靠性。...
2023-02-28 標(biāo)簽：二極管PN結(jié)單向?qū)щ?/a> 6675
功率半導(dǎo)體器件發(fā)展現(xiàn)狀與前沿趨勢(shì)
功率半導(dǎo)體器件一直是電力電子技術(shù)發(fā)展的重要組成部分，隨著電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)展和電力電子技術(shù)水平的提高，功率半導(dǎo)體器件也在不斷發(fā)展和創(chuàng)新。目前，功率半導(dǎo)體器件發(fā)展的主...
2023-02-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體器件 6022
功率半導(dǎo)體器件有哪些_功率半導(dǎo)體器件工藝流程
功率半導(dǎo)體器件是一種用于控制和轉(zhuǎn)換大功率電能的半導(dǎo)體器件，主要包括以下幾種類型： 二極管：功率二極管是一種只允許電流單向流動(dòng)的半導(dǎo)體器件，常用于整流、反向保護(hù)等應(yīng)用...
2023-02-28 標(biāo)簽：二極管晶閘管功率半導(dǎo)體器件 4847
igct和gto晶閘管相比具有什么特點(diǎn)
IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor，集成門控晶閘管）和GTO（Gate Turn-Off thyristor，門極可控晶閘管）是兩種功率半導(dǎo)體器件。相比GTO晶閘管，IGCT具有以下幾個(gè)特點(diǎn)： 更高的控制性能：IGC...
igct和igbt有什么區(qū)別
IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor，集成門控晶閘管）和 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）都是用于高功率電力電子設(shè)備的開關(guān)器件，但它們的結(jié)構(gòu)和工作原理有所不同，主要...
igct是什么_igct器件未來(lái)如何
IGCT指的是集成門控晶閘管（Integrated Gate-Commutated Thyristor），是一種高壓高功率電子器件，也是一種雙向晶閘管，可以在正、反向都能夠?qū)娏?。與傳統(tǒng)的晶閘管相比，IGCT具有更低的導(dǎo)通壓降...
igct工作原理_igct的構(gòu)成
IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor，集成門控晶閘管）的工作原理是通過對(duì)內(nèi)部PN結(jié)區(qū)域施加正向電壓，將PN結(jié)區(qū)域中的空穴和電子注入到N型感應(yīng)層和P型感應(yīng)層中，形成感應(yīng)電流。同時(shí)，施加正...
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