模擬技術(shù)
電子發(fā)燒友網(wǎng)為用戶(hù)提供了專(zhuān)業(yè)的模擬技術(shù)文章和模擬電子技術(shù)應(yīng)用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術(shù)與電子技術(shù)欄目。
模擬IC是處理模擬信號(hào)的集成電路模擬IC屬于集成電路的子分類(lèi)
模擬IC：處理連續(xù)性的聲、光、電、電磁波、速度和溫度等自然模擬信號(hào)的集成電路為通常意義上的模擬IC。...
什么是文氏橋振蕩？ 文氏橋振蕩電路的原理詳解
交流信號(hào)需要用幅值和相位才能描述全面，那要想實(shí)現(xiàn)一個(gè)信號(hào)的自激， 需要同時(shí)滿(mǎn)足幅值和相位條件...
如何將兩個(gè)轉(zhuǎn)換器并聯(lián)使得DC-DC轉(zhuǎn)換器的負(fù)載電流倍增
保持兩個(gè)轉(zhuǎn)換器之間有180°的相位差，就可以減小輸入/輸出紋波。一般情況下，一個(gè)IC電流增大時(shí)，另一個(gè)IC的電流正在減小，這樣使它們的紋波電流互相抵消，從而減輕了對(duì)輸入輸出儲(chǔ)能電容...
2020-04-19 標(biāo)簽：電容器電流轉(zhuǎn)換器 10576
滿(mǎn)足汽車(chē)導(dǎo)航系統(tǒng)設(shè)計(jì)的模擬DC/DC轉(zhuǎn)換器分析
汽車(chē)環(huán)境的寬工作電壓要求、大瞬變電壓以及大溫度漂移等因素共同作用下，電子系統(tǒng)面臨著嚴(yán)酷的條件，本文介紹如何在性能要求變得愈加苛刻的條件下，設(shè)計(jì)多個(gè)電源電壓以滿(mǎn)足汽車(chē)電子系...
2020-06-17 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器汽車(chē)電子導(dǎo)航 1061
3v轉(zhuǎn)5v電路圖
該電路將產(chǎn)生一個(gè)5V穩(wěn)壓輸出。輸出電流限制在50mA的，是許多微控制器電源電路的理想選擇。...
關(guān)于模擬開(kāi)關(guān)相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)的介紹
模擬開(kāi)關(guān)，是利用JFET或MOS的特性實(shí)現(xiàn)控制信號(hào)通路的開(kāi)關(guān)，主要用來(lái)完成信號(hào)鏈路連接或斷開(kāi)的切換功能。...
2020-04-17 標(biāo)簽：模擬開(kāi)關(guān)模擬信號(hào) 4059
模擬芯片行業(yè)技術(shù)發(fā)展情況及市場(chǎng)前景分析預(yù)測(cè)
集成電路產(chǎn)品依其功能，主要可分為模擬芯片（Analog IC）、存儲(chǔ)器芯片（Memory IC）、微處理器芯片（Micro IC）、邏輯芯片（Logic IC）。...
蘋(píng)果發(fā)布新款iPhone SE 消費(fèi)電子或再受市場(chǎng)關(guān)注
4月15日晚間，蘋(píng)果在其官網(wǎng)悄然上架新款iPhone SE，該款手機(jī)擁有一塊 4.7 英寸的LCD屏幕，看起來(lái)與iPhone 8非常類(lèi)似。...
2020-04-16 標(biāo)簽：蘋(píng)果 5674
差分信號(hào)的含義及布線要求
由于差分信號(hào)頻率與一般都比較高，所以在走線過(guò)程中，盡量不折，少打折，不打孔，少打孔為優(yōu)先考慮處理方式。...
2020-05-03 標(biāo)簽：差分信號(hào) 11419
一種基于電荷泵改進(jìn)型CMOS的模擬開(kāi)關(guān)電路
當(dāng)前VLSI 技術(shù)不斷向深亞微米及納米級(jí)發(fā)展，模擬開(kāi)關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件，由于其較低的導(dǎo)通電阻，極佳的開(kāi)關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。...
2020-04-15 標(biāo)簽：CMOS模擬開(kāi)關(guān) 2504
如何通過(guò)運(yùn)算放大器實(shí)現(xiàn)ppm精度
在本文中，我們將在轉(zhuǎn)換函數(shù)中使用大致相當(dāng)于1 ppm的非線性度表現(xiàn)諧波失真的–120 dBc失真。...
2020-04-15 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器PPM斬波放大器PPM斬波放大器運(yùn)放設(shè)計(jì)運(yùn)算放大器 2849
自耦補(bǔ)償和諧波屏蔽換流變壓器的原理及配套濾波裝置的接線方案
自耦補(bǔ)償與諧波屏蔽換流變壓器具有特有的繞組連接方式，該變壓器與必要的濾波裝置相配合，不僅能滿(mǎn)足交流系統(tǒng)濾波和無(wú)功補(bǔ)償?shù)囊?，而且能解決傳統(tǒng)換流變壓器直流輸電系統(tǒng)和傳統(tǒng)無(wú)源...
基于振動(dòng)法的變壓器振動(dòng)檢測(cè)法原理及方案研究
本文介紹了變壓器振動(dòng)檢測(cè)法原理，應(yīng)用振動(dòng)信號(hào)測(cè)試系統(tǒng)得到變壓器繞組在不同狀態(tài)下的振動(dòng)信號(hào)，提取量化繞組狀態(tài)變化的特征值，據(jù)此來(lái)判斷變壓器的繞組狀態(tài)。...
應(yīng)用于煤礦行業(yè)中傳感器轉(zhuǎn)換電路的設(shè)計(jì)和原理
但是很多傳感器只提供4～20mA或者0～5V的直流模擬信號(hào)輸出，而我國(guó)煤礦使用的煤礦安全監(jiān)測(cè)系統(tǒng)大部分只允許接入1～5mA或者200～1000Hz的模擬信號(hào)，所以在一般工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)使用的傳感器要實(shí)現(xiàn)在煤...
關(guān)于電子電路中模擬信號(hào)與數(shù)字信號(hào)的分析
模擬信號(hào)與數(shù)字信號(hào)：電子電路中的信號(hào)包括模擬信號(hào)和數(shù)字信號(hào)兩種。模擬信號(hào)是時(shí)間連接的信號(hào)，如正弦波信號(hào)，鋸齒波信號(hào)等。...
2020-04-14 標(biāo)簽：模擬信號(hào)數(shù)字信號(hào) 7263
通過(guò)采用PPTC器件實(shí)現(xiàn)過(guò)流、過(guò)熱協(xié)同保護(hù)電路的設(shè)計(jì)
用高分子聚合物正溫度系數(shù)器件（PPTC）實(shí)現(xiàn)的過(guò)流、過(guò)熱協(xié)同保護(hù)技術(shù)可以保護(hù)家用電器中的電動(dòng)機(jī)、控制器和電子元件。...
采用CAE電子設(shè)備散熱分析工具對(duì)大功率DC-DC變換器進(jìn)行熱仿真研究
隨著電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，電子設(shè)備的功率密度不斷提高。高功率密度帶來(lái)的高溫對(duì)大多數(shù)電子元器件將產(chǎn)生嚴(yán)重的影響，它會(huì)導(dǎo)致電子元器件的失效，進(jìn)而引起整個(gè)設(shè)備的失效。因此電子設(shè)備...
如何通過(guò)PLC讀取模擬量，這些要素是必要的
在PLC的輸入輸出中，較為常見(jiàn)的是開(kāi)關(guān)量和模擬量，開(kāi)關(guān)量顧名思義是一種表示開(kāi)關(guān)的數(shù)據(jù)，而模擬量是做什么的呢？...
高速ADC輸入信號(hào)接口的挑戰(zhàn)與不同技術(shù)的需求
當(dāng)今的模數(shù)轉(zhuǎn)換器 （ADC） 采用了最新的技術(shù)，以高精度及快速的采樣頻率對(duì)模擬信號(hào)進(jìn)行采集。數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的復(fù)雜性隨著采樣頻率及精度的提高而增加。高性能數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器規(guī)格的設(shè)定必須遵循...
2020-04-12 標(biāo)簽：接口adc模數(shù)轉(zhuǎn)換器 4478
采用LVDS技術(shù)ADC12QS065芯片降低ADC布局的要求
當(dāng)共模信號(hào)較難處理或?qū)ο到y(tǒng)有負(fù)面影響的時(shí)候，需要進(jìn)行信號(hào)調(diào)理。部分系統(tǒng)的設(shè)計(jì)會(huì)將模擬變換器輸出的單端信號(hào)轉(zhuǎn)為全差分信號(hào)，然后將這些信號(hào)傳送到差分輸入ADC。這種設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)是，...
模擬芯片產(chǎn)業(yè)在機(jī)遇及發(fā)展趨勢(shì)等各大方面的市場(chǎng)分析
在芯片的世界里面，一直離不開(kāi)模擬芯片和數(shù)字芯片，這兩種芯片形式幾乎貫穿著整個(gè)產(chǎn)業(yè)。...
IGBT模塊驅(qū)動(dòng)的安裝布局詳解
明確機(jī)械分布和寄生影響，逆變器中每個(gè)IGBT/驅(qū)動(dòng)連接完全一樣，這樣器件的開(kāi)關(guān)特性也相同。...
2020-05-02 標(biāo)簽：IGBT模塊IGBT模塊IGBT模塊驅(qū)動(dòng) 8772
IGBT器件在激光電源中的應(yīng)用
絕緣柵雙極管（簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT）集MOSFET和GTR一身，既具有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性好和驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單的特點(diǎn)，又具有通態(tài)電壓低、耐壓高和承受電流大等優(yōu)點(diǎn)。...
IGBT開(kāi)關(guān)特性的實(shí)例分享
IGBT器件T1通過(guò)雙脈沖信號(hào)兩次開(kāi)通和關(guān)斷。換流的變化率di/dt導(dǎo)通過(guò)電阻RGon來(lái)調(diào)節(jié)的，VCC是直流母線電壓。...
2020-05-02 標(biāo)簽：IGBTIGBTIGBT開(kāi)關(guān) 7000
IGBT的結(jié)構(gòu)_功率MOSFET的垂直結(jié)構(gòu)
功率MOSFET和IGBT是做在0.1到1.5平方厘米的芯片上，它的密度是每平方毫米250.000個(gè)單元（50V功率MOS-FET）或者50.000單元（1200VIGBT）。...
IGBT模塊的封裝技術(shù)介紹
當(dāng)焊接面很大時(shí)，因?yàn)楹附用娴臏囟茸冃蜗禂?shù)不同，所以在溫度變化時(shí)，會(huì)產(chǎn)生焊接疲勞，直到脫焊。例如，不能使用這種焊接方法在銅底板上焊接大面積的陶瓷。...
IGBT關(guān)斷振蕩的參數(shù)_IGBT關(guān)斷振蕩的應(yīng)對(duì)措施
在電壓UCE緩慢上升時(shí)，柵極電壓處于密勒平臺(tái)，這個(gè)位移電流最初保持穩(wěn)定并有助于維持平臺(tái)電壓恒定。...
IGBT短路振蕩的影響因素有哪些
在形成恒定短路電流后的很短時(shí)間內(nèi)發(fā)生振蕩且可以在柵極電壓中觀測(cè)到明顯的電壓振蕩。...
一文詳解IGBT模塊并聯(lián)動(dòng)態(tài)均流方法
動(dòng)態(tài)工作指電力電子器件的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程。IGBT的開(kāi)關(guān)頻率越高，動(dòng)態(tài)均流問(wèn)題對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的影響就越大。...
模擬電路設(shè)計(jì)之二階系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)分析
增加額外高頻極點(diǎn)對(duì)于二階系統(tǒng)的影響，如果二階系統(tǒng)增加一個(gè)或者多個(gè)極點(diǎn)，對(duì)系統(tǒng)有何影響？這取決于增加的極點(diǎn)離諧振頻率ωn的遠(yuǎn)近。...
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