模擬技術(shù)
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斷電延時(shí)繼電器設(shè)計(jì)方案
斷電延時(shí)型因其工作狀態(tài)(在延時(shí)過程中不需外接工作電源)以及控制觸點(diǎn)在斷電延時(shí)過程中吸合觸點(diǎn)來滿足其控制要求。...
2011-11-09 標(biāo)簽：延時(shí)繼電器 4020
安森美半導(dǎo)體完整ESD/EMI保護(hù)方案
先進(jìn)的系統(tǒng)級芯片(SoC)設(shè)計(jì)都是采用幾何尺寸很小的工藝制造的。為了優(yōu)化功能和芯片尺寸，IC設(shè)計(jì)人員一直在不斷減少其設(shè)計(jì)的功能的最小尺寸。IC尺寸的縮小導(dǎo)致器件更容易受到ESD電...
2011-11-07 標(biāo)簽：ESDemi安森美半導(dǎo)體 2211
手持式移動(dòng)設(shè)備顯示器效果分析
此篇文章以常用的液晶顯示器為例，將詳細(xì)解釋顯示器顏色實(shí)現(xiàn)原理，并加以實(shí)際數(shù)據(jù)測量和顯示效果的對比，來闡述不同顏色深度對手持式移動(dòng)設(shè)備顯示器顯示效果的影響。 ...
2011-11-07 標(biāo)簽：顯示器移動(dòng)設(shè)備 2842
手機(jī)電阻式觸摸屏分析
近幾年來手機(jī)技術(shù)的發(fā)展日新月異，隨著手機(jī)觸摸屏技術(shù)的不斷發(fā)展，使我們在操作手機(jī)方面的體驗(yàn)產(chǎn)生諸多變化。蘋果的iPhONe 出現(xiàn)后，又打破了這一傳統(tǒng)觀念。...
Matlab在FIR數(shù)字濾波器中的應(yīng)用
提出FIR敷字濾波器的設(shè)計(jì)方案，并基于Matlab實(shí)現(xiàn)濾波仿真。通過使用Matlab信號處理工具箱提供的函數(shù)，選擇適當(dāng)?shù)拇昂瘮?shù)編寫程序，其中窗函數(shù)按照實(shí)際信號的處理需求，參數(shù)折中選...
2011-11-06 標(biāo)簽：matlab數(shù)字濾波器 8311
初識霍爾傳感器應(yīng)用
超薄磁力攪拌器設(shè)計(jì)方案_霍爾傳感器以霍爾效應(yīng)為其工作基礎(chǔ)，是由霍爾元件和它的附屬電路組成的集成傳感器。...
2011-11-06 標(biāo)簽：霍爾傳感器 2324
斷電延時(shí)繼電器原理與實(shí)現(xiàn)
斷電延時(shí)繼電器，是當(dāng)時(shí)間繼電器線圈通電時(shí)，各延時(shí)觸頭瞬時(shí)動(dòng)作，而線圈斷電以后觸頭呈延時(shí)置位工作狀態(tài)，當(dāng)所設(shè)延時(shí)到達(dá)后，延時(shí)觸頭又恢復(fù)為初始狀態(tài)。斷電延時(shí)型因其工作...
2011-11-04 標(biāo)簽：延時(shí)繼電器 16377
通電延時(shí)繼電器原理/型號
通電延時(shí)的時(shí)間繼電器：剛通電時(shí)延時(shí)觸點(diǎn)是不動(dòng)作的，等到了延時(shí)時(shí)間后，延時(shí)常閉觸點(diǎn)斷開，延時(shí)常開觸點(diǎn)閉合。通電延時(shí)型和斷電 延時(shí)繼電器 共同點(diǎn)：由于兩類時(shí)間繼電器的瞬...
2011-11-04 標(biāo)簽：延時(shí)繼電器 14357
瞬態(tài)抑制器的性能與應(yīng)用
瞬態(tài)干擾指交流電網(wǎng)上出現(xiàn)的浪涌電壓、振鈴電壓、火花放電等瞬間干擾信號，其特點(diǎn)是作用時(shí)間極短，但電壓幅度高、瞬態(tài)能量大。...
2011-11-02 標(biāo)簽：TVS瞬態(tài)抑制器 1890
手機(jī)電磁兼容問題與解決
本文針對手機(jī)電磁兼容測試中經(jīng)常出現(xiàn)的問題，提出了相應(yīng)的改善手機(jī)電磁兼容性能的建議。 ...
ADC輸入噪聲利弊分析
在本文中，我們說明了所有ADC都有一定量的折合到輸入端噪聲。在精密、低頻測量應(yīng)用中，以數(shù)字方式對ADC輸出數(shù)據(jù)求平均值可以降低該噪聲...
電路配置通盤考量應(yīng)用
最大效率的AC-DC電源設(shè)計(jì)顯得非常重要，因?yàn)槠鋵s小散熱器的尺寸與成本、提高設(shè)計(jì)的整體可靠性有直接影響。 ...
軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器的輸出電容設(shè)計(jì)
輸出電容是軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)的重要部分。設(shè)計(jì)人員必須慎重考慮等效電容值，而不是將其固定為漏源電壓下的單一數(shù)值。...
2011-11-02 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電容軟開關(guān) 3417
CCD攝像機(jī)測試方法
測試 攝像機(jī) 主要測試晰度和色彩還原性、照度、逆光補(bǔ)償，其次是測其球型失真、耗電量、最低工作電壓，下面先把清晰度和色彩還原性以及照度、逆光補(bǔ)償?shù)臏y量步驟先介紹一下。...
2011-11-01 標(biāo)簽：CCDCCDCCD攝像機(jī) 3931
什么是CCD攝像機(jī)?
CCD是Charge Coupled Device(電荷耦合器件)的縮寫，它是一種半導(dǎo)體成像器件，因而具有靈敏度高、抗強(qiáng)光、畸變小、體積小、壽命長、抗震動(dòng)等優(yōu)點(diǎn)。 工作原理 (1) CCD攝像 器件：其作用是進(jìn)...
2011-11-01 標(biāo)簽：CCDCCD攝像機(jī) 4042
MEMS與CMOS技術(shù)的異同
在某種程度上， MEMS 可以看作CMOS集成電路的擴(kuò)展。如果將CMOS比喻為人的大腦和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，那么MEMS就是大腦智慧的手臂，為這信息系統(tǒng)提供了獲取信號的微傳感器和執(zhí)行命令的微執(zhí)行器...
MEMS封裝技術(shù)及相關(guān)公司
MEMS封裝屬于后道工藝，成本往往占到整個(gè)MEMS元件的70～80%。與生產(chǎn)環(huán)節(jié)相比，封裝環(huán)節(jié)水平更能決定 MEMS 產(chǎn)品的競爭力。原因是：1)MEMS元件包含驅(qū)動(dòng)部分，不能直接采用IC元件的樹脂工...
典型MEMS工藝流程
MEMS表面微機(jī)械加工工藝是指所有工藝都是在圓片表面進(jìn)行的 MEMS 制造工藝。表面微加工中，采用低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)這一類方法來獲得作為結(jié)構(gòu)單元的薄膜。表面微加工工藝采用若...
2011-11-01 標(biāo)簽：mems 12883
MEMS/MEMS壓力傳感器
MEMS是英文Micro Electro Mechanical systems的縮寫，即微電子機(jī)械系統(tǒng)。微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)是建立在微米/納米技術(shù)(micro/nanotechnology)基礎(chǔ)上的21世紀(jì)前沿技術(shù)，是指對微米/納米材料進(jìn)行設(shè)計(jì)...
正沿觸發(fā)的拋物線時(shí)基發(fā)生器
非線性系統(tǒng)經(jīng)常需要變?yōu)榫€性的才能有用，圖1中的電路提供了一個(gè)用于PWM(脈沖寬度調(diào)制)的非線性鋸齒脈沖，可以用于補(bǔ)償傳感器、控制器或系統(tǒng)中的非線性特性。電路在一個(gè)外部觸發(fā)...
2011-10-31 標(biāo)簽：時(shí)基發(fā)生器拋物線時(shí)基發(fā)生器 1124
可變阻值的功率電阻設(shè)計(jì)
當(dāng)測試電源或?yàn)殡姵胤烹姇r(shí)，通常需要一種恒流負(fù)載。不過有些情況下，當(dāng)負(fù)載是一只電阻時(shí)，必須研究其特性。采用大功率電位計(jì)可能是一種高成本方案，沒有性價(jià)比。圖1中電路的作...
ESR/ESL/電容容量
ESR就是等效串聯(lián)電阻。 ESR 的出現(xiàn)導(dǎo)致電容的行為背離了原始的定義。ESR是等效串聯(lián)電阻，意味著，將兩個(gè)電容串聯(lián)，會增大這個(gè)數(shù)值，而并聯(lián)則會減少之。和ESR類似的另外一個(gè)概念是...
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