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Anker Nano USB-C充電器與PD快充數(shù)據(jù)線詳細測評...

在電路設計中差模干擾和共模干擾是指干擾雜信號流通路徑的方式。1、凡是來自電源火線或正端（V+）而經(jīng)由零線或負端（V-）返回的雜信號稱為差模干擾。2、凡是來自電源火線（L）或正端（V+）或零線（N）或負端（V-）而經(jīng)由地線（GND）返回的雜信號，稱為共模干擾。一般雜信號所經(jīng)由的路徑不是工模路徑就是差模路徑，因此可對不同路徑的雜信號采用不同的處理，以濾波、屏蔽等手段來濾除。如圖1、紅色虛線內(nèi)為L，N之間的差模干擾路徑，L進N出。

當設計師希望在物聯(lián)網(wǎng) (IoT)、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) (IIoT)、人工智能 (AI) 和機器學習 (ML) 應用的邊緣收集更多數(shù)據(jù)時，就需要采用一種簡單的方法來檢測電壓、電流、溫度或壓力等測量值，以確定其是否高于或低于閾值。類似地，也通常需要知道所測的量在數(shù)值范圍之內(nèi)或之外。存在噪聲和干擾信號時很難在邊緣進行這種判定，但是，如果能夠正確選擇并使用電壓比較器會有助于改善這種局面。 電壓比較器是一種用于電壓比較的電子器件，能夠比較輸入電壓與已

2020年7月，DDR 5新標準誕生，令人興奮的DDR5技術保證了更高的數(shù)據(jù)速率和更低的功耗。這是接口設計人員熟悉的承諾。但是，就像生活中的大多數(shù)事情一樣，沒有免費的午餐。降低功耗和提高速度的進步伴隨著設計復雜性的增加。 DDR5與前幾代產(chǎn)品之間最顯著的區(qū)別是判決反饋均衡的引入，這是串行鏈路系統(tǒng)中用于改善接收信號完整性的一項技術。 隨著新技術的發(fā)展，本文將研究DDR5上下文中的一些基本信號完整性概念。第一部分介紹了眼圖：確定信號完

我一直有一個感覺：咱們硬件工程師，會遇到各種各樣的問題，亦或是各種各樣的現(xiàn)象，總會有一個非常簡單的解釋，一句話或者是幾句話，我們見多了這個解釋，就自以為明白了，當別人再問起我們的時候，我們也會拿這句話去給別人解釋。 比如說，寄生電感這個字眼就經(jīng)常出現(xiàn)，特別是引線電感。我們解釋一些問題的時候都是直接套用的，默認它的存在?？蓪嶋H上是，我在很長一段時間內(nèi)并不理解它到底是怎么來的，因為我印象中電感都是線圈，而

DC / DC轉(zhuǎn)換器的電流限制規(guī)格有時會讓不熟悉此類型調(diào)壓器的設計師感到困惑。此系列博文包括兩部分，我希望此內(nèi)容能幫您消除一些困惑。 首先，DC / DC轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表中的電流限制規(guī)格與低壓差穩(wěn)壓器（LDO）的規(guī)格并非代指同一內(nèi)容。對于一個LDO，電流限制值是當調(diào)壓器處于過載或短路條件時，該裝置提供給輸出的最大電流。對于降壓轉(zhuǎn)換器，數(shù)據(jù)表將在電感電流的峰值或谷指定限制。然而，正是平均電感電流代表降壓轉(zhuǎn)換器的輸出電流。方程1和2將電

更高集成度和更強大的半導體制造工藝的總體趨勢使設備制造商能夠開發(fā)單芯片解決方案以進行離線功率轉(zhuǎn)換。

得益于TN5015H-6G的15 mA調(diào)諧門，它可以作為浪涌電壓斜坡的快速觸發(fā)器，并專注于SCR的保護功能。

負載通常表現(xiàn)為變壓器形式，其低壓初級線圈與MOSFET橋連接以實現(xiàn)預期的DC到AC反相。

電容器上電動機和壓縮機中使用具有比在固態(tài)電路中使用的電容器不同的功能。單相電動機或壓縮機上使用的電容器有助于啟動電動機旋轉(zhuǎn)（啟動蓋）或減少運行安培（運行蓋）。

繼電器可用于電機驅(qū)動的應用中，以測量和監(jiān)視溫度，電流或電壓等參數(shù)，以防止在出現(xiàn)故障或異常運行狀況時損壞電機和所連接的設備。電壓監(jiān)控繼電器不僅可以檢測欠壓和過壓狀態(tài)，還可以檢測與電壓相關的問題，例如相不平衡，相損耗和相序。 電壓監(jiān)視繼電器設計用于單相或三相系統(tǒng)。三相系統(tǒng)中使用的繼電器有時稱為相位監(jiān)視繼電器。 單相電壓監(jiān)視繼電器可用于單相交流或直流電壓。它們的主要目的是保護電動機和連接的設備免受欠壓或過壓

FRAM存儲器操作經(jīng)過設計，以使在開關電容器中感應出的電荷至少是未開關電容器可用電荷的兩倍。

ADF4150HV的集成電荷泵所需的高壓可以通過ADP1613 dc-dc轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生，而不會影響PLL的性能。

可以明確包括電阻器以限制流過二極管的故障電流，或者可以隱含在任何信號源的源阻抗或兩者的混合中。

單片機開發(fā)整流器數(shù)據(jù)表中只有2個絕對最大額定值：浪涌電流Ifsm和擊穿電壓Vrrm。超過它們可能導致災難性的故障。

基于增強型氮化鎵（eGaN?技術）的電源轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點，其現(xiàn)有數(shù)據(jù)中心和集中于低至1VDC負載電壓的48 VDC輸入電壓所用的電信架構解決方案。

By Haiwen Huang 隨著近幾年TWS耳機的爆發(fā)式增長，越來越多的終端客戶對TWS耳機的體積，續(xù)航，音質(zhì)等提出了更高的要求。 以下我們從續(xù)航的角度給大家推薦TI最新的解決方案。圖一是一個典型的TWS耳機電源框圖，用一顆Iq（靜態(tài)電流）低至600nA的升壓芯片TPS61099將電池電壓升到5V同時給兩個耳機端供電。耳機端電池電壓存在電壓差，這將降低充電效率。 圖一 TI創(chuàng)新性地采用2顆升降壓芯片TPS63810分別給兩個耳機端供電，提高整機效率的同時，降低了耳機及耳機

在柵極關斷時，CGS和Con中的電荷將快速達到平衡。此處必須確保Con大于CGS，以確保穩(wěn)態(tài)的電荷差使柵極電壓VG變?yōu)樨撝?，從而在硬開關應用中關斷晶體管。

SPWM發(fā)生器的實現(xiàn)基于Dialog半導體公司的SLG46826V，它是一種可配置的混合信號IC（CMIC），其中包含F(xiàn)SM數(shù)字計數(shù)器、高速模擬比較器和高頻振蕩器。

如今，系統(tǒng)設計師需要對電源管理更加精通。因為功能和應用數(shù)量不斷增加，對電池容量的要求也會更高。用戶也要求較短的充電時間，這需要更快的充電電流。 但是，由于半導體封裝的熱限制，單個充電器可能不能支持所需的高充電電流。沒有人喜歡握住一個摸起來發(fā)熱的設備。通過添加一個與主充電器并行的輔助充電器，您可將總充電電流升到75％-100％。這就是所謂的雙充電系統(tǒng)。它一般可作為一個很好的解決方案用于支持大于5A的充電電流并穿過