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DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM

  DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)NV SRAM,按照8位、2,097,152字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控

2010-11-10 關(guān)鍵字: 非易DS1270W

東芝推出Blade X-gale系列薄型、刀片式高性能SSD

  東芝今日宣布推出Blade X-gale系列薄型、刀片式高性能SSD(固態(tài)硬盤)產(chǎn)品。該新型SSD產(chǎn)品分為64GB、128GB和256GB三種

2010-11-10 關(guān)鍵字: BladeX-ga

DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM

  DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM,按

2010-11-07 關(guān)鍵字: 非易DS1265W

基于位線循環(huán)充電SRAM結(jié)構(gòu)的雙模式自定時(shí)電路設(shè)計(jì)

  引言   近些年來,隨著集成電路制造工藝和制造技術(shù)的發(fā)展,SRAM存儲芯片在整個(gè)SoC芯片面積中所占比例越來越大,而SRAM的功耗也成為整個(gè)SoC芯片的主要部分。

2010-11-03 關(guān)鍵字:

新型混合光驅(qū) (ODD) 的閃存解決方案

  美光科技 (Micron Technology Inc.) 日前宣布,美光獲獎(jiǎng)的25nm NAND 已獲日立LG數(shù)據(jù)儲存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 簡稱 HLDS) 采用作為其新型混合

2010-11-03 關(guān)鍵字: 閃存光驅(qū)ODD

DS1225Y 64K非易失SRAM

  DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態(tài)非易失RAM,按照

2010-11-03 關(guān)鍵字: 非易DS1225Y

DS28E01-100保護(hù)型1-Wire EEPROM

  DS28E01-100將1024位EEPROM與符合ISO/IEC 10118-3安全散列算法(SHA-1)的質(zhì)詢響應(yīng)安全認(rèn)證結(jié)合在一起。1024位EEPROM陣列被配置為

2010-11-03 關(guān)鍵字: DS28E01-10

相變化內(nèi)存原理分析及設(shè)計(jì)使用技巧

  相變化內(nèi)存(Phase Change Memory,PCM)是一項(xiàng)全新的內(nèi)存技術(shù),目前有多家公司在從事該技術(shù)的研發(fā)活動(dòng)。這項(xiàng)技術(shù)集當(dāng)今揮發(fā)性內(nèi)存和非揮發(fā)性內(nèi)存兩大技術(shù)之長,為系統(tǒng)工程師

2010-11-01 關(guān)鍵字: 相變化內(nèi)存

SpaNSion FL-K閃存

  SpaNSion FL-K系列支持統(tǒng)一4-千字節(jié)(KB)的小扇區(qū)設(shè)計(jì)。目前整個(gè)SpansiON SPI產(chǎn)品組合覆蓋密度范圍為4Mb至256Mb,是市場上最廣泛的產(chǎn)品組合之一。   Spansion FL-K系列具備快速

2010-10-25 關(guān)鍵字: SpaNSion

高速數(shù)據(jù)應(yīng)用中ESD抑制技術(shù)

  高清電視及顯示器的發(fā)展加速提高了信號傳輸速率,除此之外,USB 2.0以及USB 3.0等高速串行協(xié)議的應(yīng)用也使信號速率在不斷提高。隨著信號速率的提高,以前傳統(tǒng)的

2010-10-25 關(guān)鍵字: ESD高速數(shù)據(jù)

DS1330W 256k全靜態(tài)非易失SRAM

  DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制

2010-10-22 關(guān)鍵字: 非易DS1330W

DS1330 256k非易失(NV) SRAM

  DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電

2010-10-22 關(guān)鍵字: 非易失DS1330

DS1345 1024k非易失(NV) SRAM

  DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM,

2010-10-22 關(guān)鍵字: 非易失DS1345

DS1646是一個(gè)128K的× 8非易失性與全功能實(shí)時(shí)時(shí)鐘

  DS1646是一個(gè)128K的× 8非易失性與全功能實(shí)時(shí)時(shí)鐘,都在一個(gè)字節(jié)寬的格式訪問靜態(tài)RAM。非易失性RAM是計(jì)時(shí)功能等同于

2010-10-22 關(guān)鍵字: 非易失DS1646

DS1647為512k x 8非易失性靜態(tài)RAM

  DS1647為512k x 8非易失性靜態(tài)RAM,包括一個(gè)完備的實(shí)時(shí)時(shí)鐘,兩者均以字節(jié)寬度格式訪問。非易失性時(shí)間保持RAM功能等

2010-10-22 關(guān)鍵字: 非易失DS1647

怎樣降低IC的功耗

  在許多設(shè)計(jì)中,功耗已經(jīng)變成一項(xiàng)關(guān)鍵的參數(shù)。在高性能設(shè)計(jì)中,超過臨界點(diǎn)溫度而產(chǎn)生的過多功耗會削弱可靠性。在芯片上表現(xiàn)為電壓下降,由于片上邏輯不再是理想電壓

2010-10-21 關(guān)鍵字: IC功耗

DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM

  DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控

2010-10-21 關(guān)鍵字: SRDS1345W

DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM

  DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電

2010-10-21 關(guān)鍵字: 非易DS1350W

DS1350 4096k非易失(NV) SRAM

  DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM,

2010-10-21 關(guān)鍵字: 非易失DS1350

DS9034PCX PowerCap的設(shè)計(jì)

  該DS9034PCX PowerCap的設(shè)計(jì)是一個(gè)在達(dá)拉斯半導(dǎo)體非易失時(shí)鐘RAM的鋰動(dòng)力源的直接表面貼裝PowerCap模塊(PCM)封裝。經(jīng)過PowerCap模塊板焊接已經(jīng)到位并清洗,DS9034PCX PowerCap是放置在PCM

2010-10-21 關(guān)鍵字: DS9034PCX

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電池測試、電化學(xué)阻抗譜和半導(dǎo)體測試等測試和測量應(yīng)用需要準(zhǔn)確的電流和電壓輸出直流電源。在環(huán)境溫度變化為±5°C時(shí),設(shè)備的電流和電壓控制精度需要...

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