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DS1220Y 16k非易失SRAM

  DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態(tài)非易失RAM,按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路

2010-10-20 關(guān)鍵字: DS1220Y非易

鐵電存儲器的技術(shù)特點分析

如圖1所示,電子電能表的基本架構(gòu)包括下列各主要功能模塊:電壓電流取樣電路;16位以上分辨率的ADC;計量與控制單元;通信接口;操作界面;顯示器;存儲器。本文將以存儲器

2010-10-18 關(guān)鍵字: 鐵電存儲器

基于浮柵技術(shù)的閃存

  恒憶閃存基于浮柵技術(shù)。閃存晶體管的絕緣柵極(浮柵)捕獲(或排除)電子,因此,晶體管的閾值電壓被修改(偏離原始

2010-10-18 關(guān)鍵字: 閃存浮柵技術(shù)

磁盤陣列消除系統(tǒng)管理程序的存儲壓力

專用磁盤陣列,例如IBM的XIV及其他產(chǎn)品,會執(zhí)行那些原本得由操作系統(tǒng)或系統(tǒng)管理程序執(zhí)行的功能。而原先的做法則會給虛擬平臺造成額外壓力。

2010-10-17 關(guān)鍵字: 存儲磁盤陣列

加強ESD保護的技巧

  在本文章中,我們將介紹各種技巧,電路板設(shè)計者可以用它們幫助自己實現(xiàn)設(shè)計所需的ESD等級,從而保證所選的ESD

2010-10-13 關(guān)鍵字: ESD

FPGA中SPI Flash存儲器的復(fù)用編程方法的實現(xiàn)

SPI(Serial Peripheral Interface,串行外圍設(shè)備接口)是一種高速、全雙工、同步的通信總線,在芯片的引腳上只占用4根線,不僅

2010-10-13 關(guān)鍵字: FPGASPIflash存儲器

GIS數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)中OCI的應(yīng)用

  O 引言   Oracle憑借其優(yōu)越的穩(wěn)定性和卓越的性能在眾多領(lǐng)域里有著廣泛的應(yīng)用。高性能是Oracle優(yōu)

2010-10-13 關(guān)鍵字: GISOCI

DS2433 4K位1-Wire® EEPROM

  DS2433是一款4K位1-Wire® EEPROM,用于識別和存儲與產(chǎn)品相關(guān)的信息。這個標(biāo)簽或特殊產(chǎn)品信息可以通過最少的

2010-10-13 關(guān)鍵字: EEPDS2433

為何電子式電能表需要使用鐵電存儲器(F-RAM)

  自從1889年匈牙利工程師 Otto Blathy 發(fā)明全世界第一個電能表 (瓦特瓦時表)原型之后,電能表經(jīng)過一個世紀(jì)多的演進:由機械式電表到今日的各種不同型式的電子電能表,包含新

2010-10-11 關(guān)鍵字: 電能表鐵電存儲器

重復(fù)數(shù)據(jù)刪除技術(shù)分析及分類

          重復(fù)數(shù)據(jù)刪除也稱為智能壓縮或單一實例存儲,是一種可自動搜索重復(fù)

2010-10-10 關(guān)鍵字:

應(yīng)對MCAD-ECAD協(xié)同設(shè)計的一體化設(shè)計方案

  在當(dāng)今全球市場中,設(shè)計人員受分立設(shè)計原則的過時思想所困擾。他們只想設(shè)計能夠在競爭中勝出的優(yōu)秀產(chǎn)品,而且他們只想獲得一種簡單易用、使自己能夠?qū)V诋a(chǎn)品智能

2010-10-09 關(guān)鍵字: MCADECAD

基于SDRAM文件結(jié)構(gòu)存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng)

  O 引言   面對不同的應(yīng)用場景,原始采樣數(shù)據(jù)可能包含多種不同樣式的信號,這給傳統(tǒng)基于連續(xù)存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng)帶來了挑戰(zhàn)。除此之外,由于對不同信

2010-10-08 關(guān)鍵字: SDRAM數(shù)據(jù)緩存

非易失性SRAM DS1747

  DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬

2010-09-28 關(guān)鍵字: SRAM非易失性

GPS時鐘系統(tǒng)在綜自變電站中的應(yīng)用

近幾年來,隨著變電站自動化水平的提高,在綜自變電站中計算機監(jiān)控系統(tǒng)、微機保護裝置、微機故障錄波裝置以及各類數(shù)據(jù)管理機得到了廣泛的應(yīng)用,而這些自動裝置的配合工

2010-09-20 關(guān)鍵字: 變電站GPS時鐘

基于FPGA和IP Core的定制緩沖管理的實現(xiàn)

隨著通信協(xié)議的發(fā)展及多樣化,協(xié)議處理部分PE在硬件轉(zhuǎn)發(fā)實現(xiàn)方面,普遍采用現(xiàn)有的商用芯片NP(Network Processor,網(wǎng)絡(luò)處理器)來完成,流量管理部分需要根據(jù)系統(tǒng)的需要進行定制或采

2010-09-14 關(guān)鍵字: FPGAIP核

存儲器數(shù)據(jù)的軟誤差率(SER)問題

  軟誤差率(SER)問題是于上個世紀(jì)70年代后期作為一項存儲器數(shù)據(jù)課題而受到人們的廣泛關(guān)注的,當(dāng)時DRAM開始呈現(xiàn)出隨機故障的征兆。隨著工藝幾何尺寸的不斷縮小,引起失調(diào)所

2010-08-31 關(guān)鍵字: 存儲器SE軟誤差

非易失性存儲器FeRAM、MRAM和OUM

  本文對目前幾種比較有競爭力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦头且资源鎯ζ髯隽艘粋€簡單的介紹。   鐵電存儲器(FeRAM)   鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內(nèi)容的非易

2010-08-31 關(guān)鍵字: Fe

可攜式電子產(chǎn)品ESD保護組件設(shè)計要求

針對這些可攜式電子產(chǎn)品所使用的ESD保護組件需符合下列幾項要求: 第一、為符合這類電子產(chǎn)品輕薄小巧、易于攜帶的需求,ESD保護組件的尺寸必須夠小,例如0402封裝尺

2010-08-10 關(guān)鍵字: ESD

SRAM特點及工作原理

  SRAM是英文Static RAM的縮寫,它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù).   基本簡介   SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部

2010-08-02 關(guān)鍵字: SRAM

DDR3存儲器接口控制器IP核在視頻數(shù)據(jù)處理中的應(yīng)用

 DDR3存儲器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應(yīng)用的性能。然而,和過去幾代(DDR和DDR2)器件相比,DDR3存儲器器件有了一些新的要求。為了充分利用和發(fā)揮DDR3存儲器的優(yōu)點,使用一

2010-07-16 關(guān)鍵字: DDR3IP核

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