點燃半導體業(yè)新戰(zhàn)火。 ? 第三代半導體主要和氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)兩種材料有關,不少大廠都已先期投資數(shù)十年,近年隨著蘋果、小米及現(xiàn)代汽車等大廠陸續(xù)宣布產品采用新材料的計劃,讓第三代半導體成為各界焦點。 ? 目前各大廠都運用不同
2021-05-10 16:00:57
3039 ,但由于第三代(3G)SiC-MOSFET導通電阻更低,晶體管數(shù)得以從8個減少到4個。關于效率,采用第三代(3G)SiC-MOSFET時的結果最理想,無論哪種SiC-MOSFET的效率均超過Si IGBT
2018-11-27 16:38:39
、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料?! ≡诠怆娮?、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制,也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
?到了上個世紀六七十年代,III-V族半導體的發(fā)展開辟了光電和微波應用,與第一代半導體一起,將人類推進了信息時代。八十年代開始,以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為代表的第三代半導體材料的出現(xiàn),開辟了人類
2017-05-15 17:09:48
KSZ8873RLL-EVAL,KSZ8873RLL評估板是第三代完全集成的3端口開關。 KSZ8873RLL的兩個PHY單元支持10BASE-T和100BASE-TX。 KSZ8873RLL支持
2020-05-15 08:48:50
3G定義 3G是英文3rd Generation的縮寫,至第三代移動通信技術。相對于第一代模擬制式手機(1G)和第二代GSM、TDMA等數(shù)字手機(2G)來說,第三代手機是指將無線通信與國際互聯(lián)網等
2019-07-01 07:19:52
第三代移動通信過渡技術——EDGE作者:項子GSM和TDMA/136現(xiàn)在是全球通用的第二代蜂窩移動通信標準。當前有100多個國家的1億多人采用GSM,有近100個國家的約9500萬用戶采用 TDMA
2009-11-13 21:32:08
(PATRO)高解析強光抑制攝像機、帕特羅(PATRO)遠距離紅外一體攝像機、帕特羅(PATRO)紅外防雷攝像機 正當IR-III技術以新臉孔出現(xiàn)在紅外夜視市場時,市場上也出現(xiàn)了第三代陣列式紅外攝像機,造成
2011-02-19 09:35:33
,到目前全球首推的第三代紅外技術,紅外夜視領域經歷了一場場紅外技術新革命,引領著夜視監(jiān)控行業(yè)向更深更遠的方向發(fā)展,給安防市場制造著一個又一個亮點。紅外技術早在60年代初期由美國貝爾實驗室研發(fā)
2011-02-19 09:38:46
Neway第三代GaN系列模塊的生產成本Neway第三代GaN系列模塊的生產成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設計及市場定位等多重因素影響,整體呈現(xiàn)“高技術投入與規(guī)模化降本并存”的特征。一、成本構成:核心
2025-12-25 09:12:32
XM3半橋電源模塊系列是 Wolfspeed(原CREE)推出的高功率碳化硅(SiC)電源模塊平臺,專為電動汽車、工業(yè)電源和牽引驅動等高要求應用設計。XM3半橋電源模塊系列采用第三代 SiC
2025-09-11 09:48:08
`第一代沒有留下痕跡。第二代之前在論壇展示過:https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html現(xiàn)在第三代誕生:`
2013-08-10 15:35:19
;Reliability (可靠性) " ,始終堅持“品質第一”SiC元器有三個最重要的特性:第一個高壓特性,比硅更好一些;而是高頻特性;三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應
2020-07-16 14:55:31
據業(yè)內權威人士透露,我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導體產業(yè),寫入“十四五”規(guī)劃,計劃在2021-2025年期間,在教育、科研、開發(fā)、融資、應用等等各個方面,大力支持發(fā)展第三代半導體產業(yè),...
2021-07-27 07:58:41
什么是第三代移動通信答復:第三代移動通信系統(tǒng)IMT2000,是國際電信聯(lián)盟(ITU)在1985年提出的,當時稱為陸地移動系統(tǒng)(FPLMTS)。1996年正式更名為IMT2000。與現(xiàn)有的第二代移動
2009-06-13 22:49:39
隨著第三代移動通信技術的興起,UMTS網絡的建立將帶來一場深刻的革命,這對網絡規(guī)劃也提出了更高的要求。在德國轟動一時的UMTS執(zhí)照拍賣,引起了公眾對這一新技術的極大興趣。第三代移動通信網絡的建設正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技術定義(IR-III Technology Definition)IR-III技術即紅外夜視第三代技術,根植于上世紀60年代美國貝爾實驗室發(fā)明的紅外夜視技術,屬于一種主動式紅外
2011-02-19 09:34:33
:?全SiC功率模塊由ROHM自主生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD組成。?與Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。?全SiC功率模塊正在不斷進化,最新產品搭載了最新的第三代SiC-MOSFET。
2018-11-27 16:38:04
DMOS結構SiC-MOSFET的全SiC功率模塊BSM180D12P2C101、以及采用第三代溝槽結構MOSFET的BSM180D12P3C007的開關損耗比較結果。相比IGBT,第二代的開關損耗
2018-11-27 16:37:30
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力,基本半導體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管,這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
應的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列,SCH系列內置SiC肖特基勢壘二極管,包括體二極管的反向恢復特性在內,特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號即第三代溝槽結構SiC-MOSFET
2018-12-05 10:04:41
本文討論了移動通信向
第三代(
3G)標準的演化與發(fā)展,給出了范圍廣泛的
3G發(fā)射機關鍵技術與規(guī)范要求的概述。文章提供了頻分復用(FDD)寬帶碼分多址(WCDMA)系統(tǒng)發(fā)射機的設計和測得的性能數(shù)據,以Maxim現(xiàn)有的發(fā)射機IC進行展示和說明?! ?/div>
2019-06-14 07:23:38
分享小弟用第三代太陽能的心得。
最近看了很多資料對第三代太陽能的介紹,諸多的評論都說到他的優(yōu)勢,小弟于是購買了這種叫第三代的太陽能-砷化鎵太陽能模塊。想說,現(xiàn)在硅晶的一堆
2010-11-27 09:53:27
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET,損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET,損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新?lián)Q代,現(xiàn)已推出新一代產品的定位–采用溝槽結構的第3代產品
2018-12-04 10:11:50
文章介紹了第三代LonWorks 技術的應用方向和結構,以及美國Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks 產品以及它們的主要技術特點和性能。關鍵詞LonWorks® LonTalk® LonMark®, L
2009-05-29 12:14:45
8 00904774第三代通信網管構架:
2009-06-18 16:53:14
22 第三代移動通信技術與業(yè)務:蜂窩移動通信標準的演進,第三代移動通信標準化格局,技術不斷進步背后的苦干問題。
2009-08-02 14:35:46
12 第三代LonWorks技術和產品介紹
文章介紹了第三代LonWorks技術的應用方向和結構,以及美國Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks產品以及它們的主要技術特點
2010-03-18 09:55:04
17 Intel Xeon?鉑金處理器(第三代)Intel? Xeon?鉑金處理器(第三代)是安全、敏捷、數(shù)據中心的基礎。這些處理器具有內置AI加速、先進的安全技術和出色的多插槽處理性能,設計用于任務關鍵
2024-02-27 11:57:15
Intel Xeon?金牌處理器(第三代)Intel? Xeon?金牌處理器(第三代)支持高內存速度和增加內存容量。Intel? Xeon?金牌處理器具有更高性能、先進的安全技術以及內置工作負載加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon?可擴展處理器(第三代)Intel?Xeon?可擴展處理器(第三代)針對云、企業(yè)、HPC、網絡、安全和IoT工作負載進行了優(yōu)化,具有8到40個強大的內核和頻率范圍、功能和功率級別
2024-02-27 11:58:54
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET,采用TurboFET技術
日前,Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件,從而擴展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09
883 
第三代無線通信標準
今天,我們正在進入第三代無線通信階段?;蛘哒f“互聯(lián)網包含一切”的階段,這個階段用無線傳感器和控制技術來連接人類世界與虛擬電子世界。
2009-03-24 08:40:43
2065 第三代移動通信常識
1、3G定義
3G是英文3rd Generation的縮寫,指第三代移動通信技術。相對
2009-06-01 21:03:57
2976 什么是第三代移動通信系統(tǒng)
第三代移動通信系統(tǒng)IMT2000,是國際電信聯(lián)盟(ITU)在1985年提出的,當時稱為陸地移動系
2009-06-13 22:20:55
1326 采用芯片級MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用芯片級MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET -
2010-04-30 08:42:49
1125 LatticeECP3系列是來自萊迪思半導體公司的第三代高價值的FPGA,在業(yè)界擁有SERDES功能的FPGA器件中,它具有最低的功耗和價格
2011-03-23 10:41:36
1465 消防中第三代移動通信技術的應用介紹了第三代數(shù)字移動通信(3G)技術,車輛定位與監(jiān)控,中國的3G等等,對 3G 在消防工作中的應用領域與方法進行論述,并針對可能存在的技術問題做了
2011-07-21 16:03:57
40 據一向不靠譜的臺灣媒體DigiTimes報道,蘋果將于今年夏季發(fā)布新款第三代iPad。新款第三代iPad將配備來自夏普的IGZO顯示屏,這種技術將使iPad變得更薄,電池更耐用。在第三代iPad發(fā)布之
2012-06-30 11:48:16
724 3月31日,在深圳市委市政府的大力支持下,由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導體和南方科技大學等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導體研究院在五洲賓館宣布正式啟動。深圳第三代半導體研究院的成立具有
2018-04-02 16:25:00
4266 5G將于2020年將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網化與電動化的趨勢,將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據拓墣產業(yè)研究院估計,2018年全球SiC基板產值將達1.8億美元,而GaN基板產值僅約3百萬美元。
2018-03-29 14:56:12
36743 
前面讓我介紹基礎內容,這是非常必要的。要想更好地了解第三代產品的優(yōu)勢與特點,需要先了解SiC-SBD的基本特性等。
2018-04-09 15:42:50
7154 本文首先分別對第一代半導體材料、第二代半導體材料和第三代半導體材料進行了概述,其次介紹了第三代半導體材料應用領域及我國第三代半導體材料的前景展望。
2018-05-30 14:27:17
152618 繼5G、新基建后,第三代半導體概念近日在市場上的熱度高居不下。除了與5G密切相關外,更重要是有證券研報指出,第三代半導體有望納入重要規(guī)劃,消息傳出后多只概念股受到炒作。證券業(yè)人士提醒,有個人投資者
2020-09-21 11:57:55
4538 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(相比第二代)ROHM第三代設計應用于650V和1200V產品之中,包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET,并利用光學顯微鏡和掃描電鏡研究復雜的碳化硅溝槽結構。
2018-08-20 17:26:29
10826 根據今年3月份曝光的AMD產品線路圖來看,第三代線程撕裂者有望在今年年內發(fā)布,但隨后在6月舉行的臺北電腦展上,新的AMD線路圖顯示第三代線程撕裂者被移除,加之AMD推出了新的Ryzen 9第三代銳龍
2019-09-02 13:08:00
5845 第三代半導體,又稱寬禁帶半導體,是以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的半導體材料,具備高壓、高溫、高頻大功率等特性。
2019-06-21 10:29:31
8930 5G將于2020年將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網化與電動化的趨勢,將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。2018年全球SiC基板產值將達1.8億美元,而GaN基板產值
2020-03-15 09:56:57
5001 第一代材料是硅(Si),大家通俗理解的硅谷,就是第一代半導體的產業(yè)園。
第二代材料是砷化鎵(GaAs),為4G時代而生,目前的大部分通信設備的材料。
第三代材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶的半導體材料,是未來5G時代的標配
2020-09-04 19:07:14
7928 
?為什么說第三代半導體有望成為國產替代希望? 第三代半導體也被稱為寬帶隙半導體,主要是以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬帶隙半導體材料,其帶隙寬度大于2.2eV,是5G、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網等多個新基建產業(yè)的重要材料,同時也是
2020-10-29 18:26:40
6025 
。 什么是第三代半導體? 第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 一、二、三代半導體什么區(qū)別? 一、材料 第一代半導體材料,發(fā)
2020-11-04 15:12:37
5552 在5G和新能源汽車等新市場需求的驅動下,第三代半導體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求,碳化硅和氮化鎵等第三代半導體的優(yōu)勢被放大。
2020-11-29 10:48:12
92797 招商引資名單中。 問題來了:第三代半導體產業(yè)是真的進入春天還是虛火上升?又有哪些行業(yè)真的需要GaN或SiC功率器件呢?相對于IGBT、MOSFET和超級結MOSFET,GaN和SiC到底能為電子行業(yè)帶來哪些技術變革? 為了回答這些問題,小編認真閱讀了多
2020-12-08 17:28:03
14626 最近,“我國將把發(fā)展第三代半導體產業(yè)寫入‘十四五’規(guī)劃”引爆全網。什么是第三代半導體?發(fā)展第三代半導體的意義在哪兒?它憑什么一夜爆火
2020-12-14 11:02:44
4277 日前,阿里巴巴達摩院預測了2021年科技趨勢,其中位列第一的是以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導體將迎來應用大爆發(fā)。第三代半導體與前兩代有什么不同?為何這兩年會成為爆發(fā)的節(jié)點?第三代半導體之后
2021-01-07 14:19:48
4256 近期,阿里巴巴達摩院發(fā)布2021年十大科技趨勢,“第三代半導體迎來應用大爆發(fā)”位列第一。達摩院指出,第三代半導體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)并正在打開應用市場。未來5年,基于第三代半導體材料的電子器件將廣泛應用于5G基站、新能源汽車、特高壓、數(shù)據中心等場景。
2021-01-13 10:16:08
3182 1月22日,高德地圖正式發(fā)布第三代車載導航,小鵬汽車成為首款搭載第三代車載導航的企業(yè)。 第三代車載導航能力從“導人”升級為“人車共導”,利用AI視覺技術和高精地圖,實現(xiàn)車道導航,讓道路規(guī)劃以及引導
2021-01-22 18:05:14
4757 2月25日晚,Redmi召開K40系列新品發(fā)布會,會上還發(fā)布了第三代真無線耳機Redmi AirDots 3,首發(fā)價僅199元。
2021-03-08 09:33:40
6245 深圳愛仕特科技公司第三代半導體SiC產品宣傳冊
2021-03-16 16:18:59
34 第三代半導體Central issue 2020年10月,國星光電成功舉辦了首屆國星之光論壇,論壇上國星光電宣布將緊抓國產化機遇,迅速拓展第三代半導體新賽道。近期,國星光電正式推出一系列第三代半導體
2021-04-22 11:47:10
3594 EE-230:第三代SHARC?系列處理器上的代碼覆蓋
2021-05-25 15:18:41
7 第三代電機驅動電路圖下載
2021-10-18 11:23:36
1 第三代半導體器件毫不夸張的講為電源行業(yè)帶來了革新,基于其高速,小體積,低功耗的特點,越來越廣泛應用在消費電子及電力電子行業(yè)。下圖顯示了不同技術的功率器件的性能區(qū)別??梢钥吹?,傳統(tǒng)的Si基IGBT或者
2021-12-29 17:11:06
1577 
SIC MOSFET是新興起的第三代半導體材料,是一種寬禁帶半導體(禁帶寬度>2eV,而SI禁帶寬度僅為1.12eV),因其具有寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特點,適用于高溫、高頻、大功率等應用場合。
2022-02-25 15:49:28
44 據統(tǒng)計,目前國內以SiC、GaN為代表的第三代半導體主要制造商已達147家。
2022-07-20 15:16:35
2379 隨著新能源行業(yè)的發(fā)展,IGBT /SiC MOSFET作為充電樁設備、光伏SVG系統(tǒng)中的關鍵半導體器件組成部分,市場對其應用條件和性能提出更高的要求,對于驅動方案的要求也隨之提高。
2022-10-21 15:23:49
1966 第三代化合物半導體材料中,碳化硅(SiC)與方案商和中小設備終端制造商關系最大,它主要作為高功率半導體材料應用于電源,汽車以及工業(yè)電力電子,在大功率轉換應用中具有巨大的優(yōu)勢。
2022-11-01 09:29:13
2633 在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中,ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為采用,在SiC-MOSFET中由于溝槽結構有利于降低導通電阻也備受關注。
2023-02-08 13:43:21
3058 
ROHM近期推出的"SCS3系列"是第三代SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱"SiC-SBD")產品。ROHM的每一代SiC-SBD產品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進過程。
2023-02-10 09:41:07
797 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC-SBD”)產品。ROHM的每一代SiC-SBD產品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進過程。
2023-02-10 09:41:07
1642 
-進入主題之前請您介紹了很多基礎內容,下面請您介紹一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被稱為“第三代”,首先請您講一講各“代”的歷史。前面讓我介紹基礎內容,這是非常必要的。
2023-02-16 09:55:07
1790 
、EV等領域獨有的新能源電源電源解決方案,同時實現(xiàn)了量產,并培養(yǎng)了3家千萬級SiC MOSFET應用客戶。
行家說三代半:2022年,貴公司在產品、技術等方面有哪些新的突破?2023年有
2023-02-24 14:25:42
1691 、射頻應用中的顯著
性能優(yōu)勢,第三代半導體逐漸顯露出廣闊的應用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α?
所謂第三代半導體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料,又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化
硅(SiC)、氮化鎵
2023-02-27 15:23:54
2 日前,在南京世界半導體大會暨第三代半導體產業(yè)發(fā)展高峰論壇上,國家新材料產業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會委員、第三代半
導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲透露:國家2030計劃和“十四五”國家研發(fā)計劃都已經明確,第三代半導體是重要發(fā)展方
向,現(xiàn)在到了動議討論實施方案的階段。
2023-02-27 15:23:00
5 、射頻應用中的顯著
性能優(yōu)勢,第三代半導體逐漸顯露出廣闊的應用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α?
所謂第三代半導體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料,又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化
硅(SiC)、氮化鎵
2023-02-27 14:37:56
1 所謂第三代半導體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料,又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AIN)、氧化鋅(ZnO)和金剛石等,其中
2023-05-18 10:57:36
2109 第三代半導體功率器件的理想材料,可以在溶劑中生長。
2022-01-13 17:39:23
3689 
第三代寬禁帶半導體SiC和GaN在新能源和射頻領域已經開始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導體相比,第三代半導體具有許多優(yōu)勢,這些優(yōu)勢源于新材料和器件結構的創(chuàng)新。
2023-10-10 16:34:28
1254 
近年來,碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導體材料成為全球半導體市場熱點之一。
2023-10-16 14:45:06
2239 2021年第三代半導體系列報告之二
2023-01-13 09:05:55
4 5G、快充、UVC,第三代半導體潮起
2023-01-13 09:06:00
3 基于國內外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢,半導體應用市場持續(xù)擴大;對于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè),IGBT/SiC MOSFET的應用廣泛,而驅動電源作為專為IGBT/SiC MOSFET驅動器提供驅動能力的來源,市場潛力巨大。
2023-12-01 09:47:42
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近日,上海瞻芯電子科技股份有限公司(簡稱“瞻芯電子”)基于第三代工藝平臺開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產品(IV3Q12013T4Z)通過了車規(guī)級可靠性(AEC-Q101)測試
2024-06-24 09:13:20
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當前,第三代半導體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產業(yè)高速發(fā)展。其中,新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導體技術推進的重要動力之一,新能源汽車需要高效、高密度的功率器件來實現(xiàn)更長的續(xù)航里程和更優(yōu)的能量管理。
2024-12-16 14:19:55
1388 電子發(fā)燒友網站提供《EE-230:第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加.pdf》資料免費下載
2025-01-08 14:43:01
0 SemiQ最新發(fā)布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產品基礎上實現(xiàn)突破性升級,芯片面積縮小20%,開關損耗更低,能效表現(xiàn)更優(yōu)。該產品專為電動汽車充電樁、可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)
2025-03-03 11:43:43
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隨著新能源電動汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展,其動力系統(tǒng)的關鍵組件:IGBT及SiC MOSFET驅動件需求量十分可觀;為更好地迎合上述市場的需求,金升陽推出了高性能的第三代插件式單路驅動電源QA_(T)-R3S系列(“T”為貼片式封裝)。
2025-04-09 17:25:26
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隨著AI技術井噴式快速發(fā)展,進一步推動算力需求,服務器電源效率需達97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇,瑞能半導體先發(fā)制人,推出的第三代超結MOSFET,能全面滿足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35
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)和碳化硅(SiC),它們在電力電子、射頻和光電子等領域展現(xiàn)出卓越的性能。本文將詳細探討第三代半導體的基本特性、優(yōu)勢、應用領域以及其發(fā)展前景。
2025-05-22 15:04:05
1952 作為國內MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一,新潔能始終致力于功率半導體核心技術的突破,其研發(fā)團隊持續(xù)創(chuàng)新,正式推出第三代SGT產品Gen.3 SGT MOSFET,電壓涵蓋25-150V系列
2025-06-11 08:59:59
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一、產品介紹 隨著新能源電動汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展,其動力系統(tǒng)的關鍵組件:IGBT及SiC MOSFET驅動件需求量十分可觀;為更好地迎合上述市場的需求,金升陽推出了高性能的第三代插件式單路驅動電源
2025-06-16 14:30:41
1201 傾佳電子行業(yè)洞察:基本半導體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設計 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源、電力電子設備
2025-09-21 16:12:35
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基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用 第一章:B3M技術平臺架構前沿 本章旨在奠定對基本半導體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術認知
2025-10-08 13:12:22
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