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電子發(fā)燒友網>電源/新能源>IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅動電源——QA_(T)-R3G系列

IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅動電源——QA_(T)-R3G系列

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第三代化合物半導體材料中,碳化硅(SiC)與方案商和中小設備終端制造商關系最大,它主要作為高功率半導體材料應用于電源,汽車以及工業(yè)電力電子,在大功率轉換應用中具有巨大的優(yōu)勢。
2022-11-01 09:29:132633

第三代雙溝槽結構SiC-MOSFET介紹

SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中,ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為采用,在SiC-MOSFET中由于溝槽結構有利于降低導通電阻也備受關注。
2023-02-08 13:43:213058

第三代SiC肖特基勢壘二極管SCS3系列介紹

ROHM近期推出的"SCS3系列"是第三代SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱"SiC-SBD")產品。ROHM的每一SiC-SBD產品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進過程。
2023-02-10 09:41:07797

第三代SiC肖特基勢壘二極管介紹

ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC-SBD”)產品。ROHM的每一SiC-SBD產品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進過程。
2023-02-10 09:41:071642

淺談第三代SiC-SBD 提高追求高可靠性的設備的效率與安全余量

-進入主題之前請您介紹了很多基礎內容,下面請您介紹一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被稱為“第三代”,首先請您講一講各“”的歷史。前面讓我介紹基礎內容,這是非常必要的。
2023-02-16 09:55:071790

2023年第三代半導體GaN與SiC MOSFET的發(fā)展前景

、EV等領域獨有的新能源電源電源解決方案,同時實現(xiàn)了量產,并培養(yǎng)了3家千萬級SiC MOSFET應用客戶。   行家說三代半:2022年,貴公司在產品、技術等方面有哪些新的突破?2023年有
2023-02-24 14:25:421691

如何化解第三代半導體的應用痛點

、射頻應用中的顯著 性能優(yōu)勢,第三代半導體逐漸顯露出廣闊的應用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α? 所謂第三代半導體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料,又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化 硅(SiC)、氮化鎵
2023-02-27 15:23:542

第三代半導體SiC產業(yè)鏈分布

日前,在南京世界半導體大會暨第三代半導體產業(yè)發(fā)展高峰論壇上,國家新材料產業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會委員、第三代半 導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲透露:國家2030計劃和“十四五”國家研發(fā)計劃都已經明確,第三代半導體是重要發(fā)展方 向,現(xiàn)在到了動議討論實施方案的階段。
2023-02-27 15:23:005

如何化解第三代半導體的應用痛點

、射頻應用中的顯著 性能優(yōu)勢,第三代半導體逐漸顯露出廣闊的應用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α? 所謂第三代半導體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料,又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化 硅(SiC)、氮化鎵
2023-02-27 14:37:561

如何化解第三代半導體的應用痛點

所謂第三代半導體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料,又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AIN)、氧化鋅(ZnO)和金剛石等,其中
2023-05-18 10:57:362109

第三代功率器件材料,氧化鎵

第三代半導體功率器件的理想材料,可以在溶劑中生長。
2022-01-13 17:39:233689

進入第三代半導體領域,開啟電子技術的新紀元

第三代寬禁帶半導體SiC和GaN在新能源和射頻領域已經開始大規(guī)模商用。與第一和第二半導體相比,第三代半導體具有許多優(yōu)勢,這些優(yōu)勢源于新材料和器件結構的創(chuàng)新。
2023-10-10 16:34:281254

第三代半導體的應用面臨哪些挑戰(zhàn)?如何破局?

近年來,碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導體材料成為全球半導體市場熱點之一。
2023-10-16 14:45:062239

2021年第三代半導體系列報告之二.zip

2021年第三代半導體系列報告之二
2023-01-13 09:05:554

5G、快充、UVC,第三代半導體潮起.zip

5G、快充、UVC,第三代半導體潮起
2023-01-13 09:06:003

金升陽IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅動電源產品優(yōu)勢

基于國內外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢,半導體應用市場持續(xù)擴大;對于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè),IGBT/SiC MOSFET的應用廣泛,而驅動電源作為專為IGBT/SiC MOSFET驅動器提供驅動能力的來源,市場潛力巨大。
2023-12-01 09:47:421458

瞻芯電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通過車規(guī)級可靠性測試認證

近日,上海瞻芯電子科技股份有限公司(簡稱“瞻芯電子”)基于第三代工藝平臺開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產品(IV3Q12013T4Z)通過了車規(guī)級可靠性(AEC-Q101)測試
2024-06-24 09:13:201944

第三代半導體產業(yè)高速發(fā)展

當前,第三代半導體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產業(yè)高速發(fā)展。其中,新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導體技術推進的重要動力之一,新能源汽車需要高效、高密度的功率器件來實現(xiàn)更長的續(xù)航里程和更優(yōu)的能量管理。
2024-12-16 14:19:551388

EE-230:第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加

電子發(fā)燒友網站提供《EE-230:第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加.pdf》資料免費下載
2025-01-08 14:43:010

SemiQ第三代SiC MOSFET:車充與工業(yè)應用新突破

SemiQ最新發(fā)布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產品基礎上實現(xiàn)突破性升級,芯片面積縮小20%,開關損耗更低,能效表現(xiàn)更優(yōu)。該產品專為電動汽車充電樁、可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)
2025-03-03 11:43:431484

金升陽推出高性能第三代插件式單路驅動電源

隨著新能源電動汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展,其動力系統(tǒng)的關鍵組件:IGBTSiC MOSFET驅動件需求量十分可觀;為更好地迎合上述市場的需求,金升陽推出了高性能的第三代插件式單路驅動電源QA_(T)-R3S系列(“T”為貼片式封裝)。
2025-04-09 17:25:26985

瑞能半導體第三代超結MOSFET技術解析(1)

隨著AI技術井噴式快速發(fā)展,進一步推動算力需求,服務器電源效率需達97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇,瑞能半導體先發(fā)制人,推出的第三代超結MOSFET,能全面滿足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35726

第三代半導體的優(yōu)勢和應用領域

)和碳化硅(SiC),它們在電力電子、射頻和光電子等領域展現(xiàn)出卓越的性能。本文將詳細探討第三代半導體的基本特性、優(yōu)勢、應用領域以及其發(fā)展前景。
2025-05-22 15:04:051952

新潔能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列產品

作為國內MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一,新潔能始終致力于功率半導體核心技術的突破,其研發(fā)團隊持續(xù)創(chuàng)新,正式推出第三代SGT產品Gen.3 SGT MOSFET,電壓涵蓋25-150V系列
2025-06-11 08:59:592501

5000V隔離 高性能插件式單路驅動電源——QA-(T)-R3S系列

一、產品介紹 隨著新能源電動汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展,其動力系統(tǒng)的關鍵組件:IGBTSiC MOSFET驅動件需求量十分可觀;為更好地迎合上述市場的需求,金升陽推出了高性能的第三代插件式單路驅動電源
2025-06-16 14:30:411201

傾佳電子行業(yè)洞察:基本半導體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設計

傾佳電子行業(yè)洞察:基本半導體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設計 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源、電力電子設備
2025-09-21 16:12:351740

基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用

基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用 第一章:B3M技術平臺架構前沿 本章旨在奠定對基本半導體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術認知
2025-10-08 13:12:22500

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