第三代半導(dǎo)體器件在方案設(shè)計(jì)和工程師選型中越來(lái)越重要，不再是隔水觀望或錦上添花的初期時(shí)代。如果說(shuō)砷化鎵（GaAs）器件在通訊和PA的應(yīng)用主要在手機(jī)和通訊設(shè)備，僅對(duì)頭部通訊設(shè)備制造有關(guān)系。那么碳化硅（SiC）進(jìn)入電源、快充和汽車(chē)電子的迅猛勢(shì)頭，與方案商和中小設(shè)備制造商就有重大關(guān)系。我們梳理一次第三代半導(dǎo)體和選型要領(lǐng)。

半導(dǎo)體材料可分為單質(zhì)半導(dǎo)體及化合物半導(dǎo)體兩類(lèi)，前者如硅（Si）、鍺(Ge）等所形成的半導(dǎo)體，后者為砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物形成。半導(dǎo)體在過(guò)去主要經(jīng)歷了三代變化，砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體分別作為第二代和第三代半導(dǎo)體的代表，相比第一代半導(dǎo)體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導(dǎo)體中的新貴。

第三代化合物半導(dǎo)體材料中，碳化硅（SiC）與方案商和中小設(shè)備終端制造商關(guān)系最大，它主要作為高功率半導(dǎo)體材料應(yīng)用于電源，汽車(chē)以及工業(yè)電力電子，在大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中具有巨大的優(yōu)勢(shì)。而砷化鎵（GaAs）目前占大頭市場(chǎng)，是最成熟的應(yīng)用市場(chǎng)，主要用于通訊領(lǐng)域，全球市場(chǎng)容量接近百億美元，主要受益通信射頻芯片尤其是PA升級(jí)驅(qū)動(dòng)；氮化鎵（GaN）大功率、高頻性能更出色，主要應(yīng)用于軍事領(lǐng)域，目前市場(chǎng)容量不到10億美元，隨著成本下降有望迎來(lái)廣泛應(yīng)用。

PART01第三代半導(dǎo)體的特點(diǎn)

碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）——并稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。

相對(duì)于Si，SiC的優(yōu)點(diǎn)很多：有10倍的電場(chǎng)強(qiáng)度，高3倍的熱導(dǎo)率，寬3倍禁帶寬度，高1倍的飽和漂移速度。因?yàn)檫@些特點(diǎn)，用SiC制作的器件可以用于極端的環(huán)境條件下。微波及高頻和短波長(zhǎng)器件是目前已經(jīng)成熟的應(yīng)用市場(chǎng)。42GHz頻率的SiC MESFET用在軍用相控陣?yán)走_(dá)、通信廣播系統(tǒng)中，用SiC作為襯底的高亮度藍(lán)光LED是全彩色大面積顯示屏的關(guān)鍵器件。

氮化鎵（GaN、Galliumnitride）是氮和鎵的化合物，此化合物結(jié)構(gòu)類(lèi)似纖鋅礦，硬度很高。作為時(shí)下新興的半導(dǎo)體工藝技術(shù)，提供超越硅的多種優(yōu)勢(shì)。與硅器件相比，GaN在電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度上實(shí)現(xiàn)了性能的飛躍。

PART02第三代半導(dǎo)體選型要素

第三代半導(dǎo)體中，SiC 與 GaN 相比較，前者相對(duì) GaN 發(fā)展更早一些，技術(shù)成熟度也更高一些；兩者有一個(gè)很大的區(qū)別是熱導(dǎo)率，這使得在高功率應(yīng)用中，SiC占據(jù)統(tǒng)治地位；同時(shí)由于GaN具有更高的電子遷移率，因而能夠比SiC 或Si 具有更高的開(kāi)關(guān)速度，在高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，GaN具備優(yōu)勢(shì)。

GaN和SiC在材料性能上各有優(yōu)劣，因此在應(yīng)用領(lǐng)域上各有側(cè)重和互補(bǔ)。如GaN的高頻Baliga優(yōu)值顯著高于SiC，因此GaN的優(yōu)勢(shì)在高頻小電力領(lǐng)域，集中在1000V以下，例如通信基站、毫米波等。SiC的Keye優(yōu)值顯著高于GaN，因此SiC的優(yōu)勢(shì)在高溫和1200V以上的大電力領(lǐng)域，包括電力、高鐵、電動(dòng)車(chē)、工業(yè)電機(jī)等。在中低頻、中低功率領(lǐng)域，GaN和SiC都可以應(yīng)用，與傳統(tǒng)Si基器件競(jìng)爭(zhēng)。

GaN的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：體積小、高頻高功率、低能耗速度快；5G通信將是GaN射頻器件市場(chǎng)的主要增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)因素。

PART03第三代半導(dǎo)體適應(yīng)更多應(yīng)用場(chǎng)景

第三代半導(dǎo)體適應(yīng)更多應(yīng)用場(chǎng)景。硅基半導(dǎo)體具有耐高溫、抗輻射性能好、制作方便、穩(wěn)定性好。可靠度高等特點(diǎn)，使得99%以上集成電路都是以硅為材料制作的。但是硅基半導(dǎo)體不適合在高頻、高功率領(lǐng)域使用。2G、3G 和 4G等時(shí)代PA主要材料是 GaAs，但是進(jìn)入5G時(shí)代以后，主要材料是GaN。5G的頻率較高，其跳躍式的反射特性使其傳輸距離較短。由于毫米波對(duì)于功率的要求非常高，而GaN具有體積小功率大的特性，是目前最適合5G時(shí)代的PA材料。SiC和GaN等第三代半導(dǎo)體將更能適應(yīng)未來(lái)的應(yīng)用需求。

SiC功率器件的主要應(yīng)用：智能電網(wǎng)、交通、新能源汽車(chē)、光伏、風(fēng)電；新能源汽車(chē)是SiC功率器件市場(chǎng)的主要增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)因素。目前SiC器件在新能源車(chē)上應(yīng)用主要是功率控制單元(PCU)、逆變器，DC-DC轉(zhuǎn)換器、車(chē)載充電器等方面。iC能大大降低功率轉(zhuǎn)換中的開(kāi)關(guān)損耗，因此具有更好的能源轉(zhuǎn)換效率，更容易實(shí)現(xiàn)模塊的小型化，更耐高溫。

總結(jié)：

在應(yīng)用升級(jí)和市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)的雙重帶動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)發(fā)展熱潮。把握“新基建”為第三代半導(dǎo)體材料帶來(lái)的新機(jī)遇，快充，5G基建、新能源汽車(chē)和充電樁、特高壓及軌道交通四大關(guān)鍵領(lǐng)域，將會(huì)給第三代半導(dǎo)體帶來(lái)更大的市場(chǎng)空間。

審核編輯 ：李倩