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可變延時(shí)型繼電器電路
采用2N385A或類似的高增益、大電流開關(guān)晶體管，能改善可靠性。選擇2N242作為說出晶體管，因其基數(shù)只需要極小的正電壓（對(duì)發(fā)射極而言）就可使之高溫時(shí)戒指。CR1的正向壓降和R11供給...
輸出電壓可調(diào)的開關(guān)穩(wěn)壓電源電路圖
L4970A芯片內(nèi)部主要由基準(zhǔn)電壓源、鋸齒波發(fā)生器、40kHz振蕩器、誤差放大器、PWM比較器和PWM鎖存器、驅(qū)動(dòng)級(jí)、DMOS開關(guān)管、兩級(jí)或門構(gòu)成觸發(fā)器、或非門、欠過壓檢測(cè)、限流取樣電...
零壓零流逆變電路原理圖
相移全橋零壓零流PWM(FBZVZCSPWM)逆變電路的結(jié)構(gòu)如圖所示。S1～S4為功率開關(guān)器件,D1～D4為器件自身反并二極管,D5和D6為阻斷二極管,C1～C2為S1和S2的旁路電容,Cb為隔直電容。 ...
CMOS雙向開關(guān)工作原理
CMOS雙向開關(guān)工作原理 CMOS雙向開關(guān)也稱CMOS傳輸門。CMOS雙向開關(guān)在模擬電路和數(shù)字電路應(yīng)用非常廣泛。 ...
MOS-FET開關(guān)電路
MOS-FET開關(guān)電路 MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-F...
J-FET開關(guān)電路工作原理
J-FET開關(guān)電路工作原理 1、簡(jiǎn)單開關(guān)控制電路 圖5.4-97為簡(jiǎn)單J-FET開關(guān)電路。當(dāng)控制電壓VC高于輸入電壓V1時(shí)，VGS=0，J-FET導(dǎo)通，傳...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管開關(guān)電路
場(chǎng)效應(yīng)晶體管開關(guān)電路 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管）有結(jié)型（J-FET）和絕緣柵型（MOS-FET）兩類。 場(chǎng)效應(yīng)管作為開關(guān)器件應(yīng)用類似...
短路開關(guān)工作原理
短路開關(guān)工作原理 圖5.4-95A中的V2管是作為短路開關(guān)用的，三極管用作短路開關(guān)，可用于對(duì)信號(hào)的傳輸通/斷（串聯(lián)于通路），也可用于對(duì)信號(hào)的旁路通/斷（旁...
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管“放電式”長延時(shí)電路圖
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管“放電式”長延時(shí)電路圖 ...
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